对比文件名称：2011-06-16_US2011139236A_发明申请_US20110139236A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390589B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | [0036]“第一发射极部分121...第二发射极部分122...”；[0040]“第一发射极部分121的薄层电阻约为80Ω/sq至150Ω/sq”；[0030]“发射极区域120位于基板110的正面”。 | 对比文件明确公开了在基板正面形成第一发射极部分（低浓度发射层），其薄层电阻（第一电阻）为80-150Ω/sq，因此直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | [0034]“发射极区域120包含与基板110的第一导电类型相反的第二导电类型的杂质（例如n型杂质）”。基板110为p型。 | 对比文件公开了低浓度发射层（第一发射极部分）具有n型导电性，与p型基板相反，因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | [0084]“对基板110进行涉及含有V族元素杂质（例如POCl3或H3PO4）的高温热工艺，以将V族元素杂质扩散（或掺杂）到基板110中，从而形成发射极区域120”。 | 对比文件明确通过热扩散工艺形成发射极区域，包括低浓度部分，因此直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | [0040]“第二发射极部分122的薄层电阻约为20Ω/sq至70Ω/sq”，低于第一发射极部分的80-150Ω/sq。 | 对比文件公开了第二发射极部分（高浓度发射层）具有更低的薄层电阻，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《隐含公开》 | [0039]“如图4(A)和(B)所示，第二发射极部分122中的杂质掺杂深度不是恒定不变的，而是从与第一发射极部分121的边界处阶跃增加或逐渐增加，然后保持预定深度”。 | 对比文件描述了第二发射极部分（高浓度发射层）内部掺杂深度发生变化，从而形成不同掺杂浓度和电阻的区域。虽然未明确称为“第一部分”和“第二部分”，但本领域技术人员可以合理推断出高浓度发射层内部存在不同电阻的区域（例如深度较浅的边缘区域和深度较深的中心区域），因此隐含公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何使用激光束照射玻璃组成层来形成高浓度部分的技术手段，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 无 | 同特征F，对比文件未公开使用激光束形成第二部分，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《隐含公开》 | [0039]及图4，显示第二发射极部分122的掺杂深度从与第一发射极部分的边界处开始增加，中心区域（深度大）位于边缘区域（深度小）之间。 | 基于对比文件图4所示的深度变化，低电阻区域（中心）位于高电阻区域（边缘）之间，本领域技术人员可以合理推断出该位置关系，因此隐含公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《隐含公开》 | [0039]及图4，掺杂深度大的区域电阻小，深度小的区域电阻大。 | 由深度与电阻的关系，本领域技术人员可以合理推断出中心区域（深度大）电阻小于边缘区域（深度小）电阻，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《直接公开》 | [0095]“磷硅玻璃(PSG)（含有磷(P)）...通过蚀刻工艺被去除”。 | 对比文件在形成发射极区域（包括高浓度部分）后，去除了扩散过程中形成的PSG玻璃层，该步骤直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | [0096]“在基板110正面的发射极区域120的一部分上形成抗反射层130”。 | 对比文件在发射极区域（包括低浓度部分）上形成抗反射层（绝缘层），因此直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | [0097]“使用丝网印刷法在抗反射层130的相应部分上涂布含有Ag和玻璃料的前电极浆料，然后干燥，形成前电极图案40”；[0101]后形成前电极140。 | 对比文件在抗反射层上形成前电极图案，最终形成第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | [0102]“在热处理过程中，通过前电极图案40中含有的铅(Pb)等的作用，前电极图案40蚀刻(穿透)前电极图案40下方的抗反射层130的部分。由此，前电极图案40连接到发射极区域120的第二发射极部分122，形成连接到第二发射极部分122的前电极140”。 | 对比文件公开了第一电极通过烧穿工艺穿透抗反射层连接到高浓度发射层（第二发射极部分），因此直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | [0064]“背面场区域171...是比基板110掺杂有更重浓度的相同导电类型杂质的区域”；[0103]“在热处理过程中，后电极图案50中含有的铝(Al)扩散(或掺杂)到基板110背面的发射极区域120中，形成杂质区域，即背面场区域171”。 | 对比文件公开了在基板背面通过铝扩散形成背面场区域（背面场层），因此直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | [0064]“背面场区域171...是比基板110掺杂有更重浓度的相同导电类型杂质的区域，因此，在本实施例中，背面场区域171可以是p+型区域”。 | 对比文件明确背面场层与基板导电类型相同（p+型），因此直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | [0103]“在热处理过程中，后电极图案50中含有的铝(Al)扩散(或掺杂)到基板110背面的发射极区域120中，形成杂质区域，即背面场区域171”。 | 对比文件通过热扩散（铝扩散）形成背面场层，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《未公开》 | 无 | 对比文件未公开在背面场层上形成钝化膜，后电极直接形成在背面场层上，因此未公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《未公开》 | 无 | 由于对比文件未形成钝化膜，因此不存在在钝化膜上形成第二电极，未公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《未公开》 | 无 | 对比文件未公开钝化膜，因此第二电极不穿过钝化膜，未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《隐含公开》 | 基于[0039]及图4，第二发射极部分边缘区域分布在中心区域两侧。 | 基于特征H的隐含公开，本领域技术人员可以合理推断出第二部分（高电阻区域）分别布置在第一部分（低电阻区域）的相对侧，因此隐含公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | [0095]“磷硅玻璃(PSG)...或硼硅玻璃(BSG)”。 | 对比文件明确提到了PSG和BSG作为玻璃组成层，因此直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件在发射极形成后，包括形成抗反射层、电极等步骤（[0096]-[0105]）。 | 对比文件的方法在形成发射极后还包括后续步骤，因此直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《直接公开》 | [0097]“使用丝网印刷法在抗反射层130的相应部分上涂布含有Ag和玻璃料的前电极浆料，然后干燥，形成前电极图案40”。 | 对比文件在抗反射层（绝缘层）上涂布前电极浆料（电极组成层），因此直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《直接公开》 | [0101]“对形成有前电极图案40和后电极图案50的基板110进行烧结工艺（热处理）”。 | 对比文件使电极组成层经受烧结热处理，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《直接公开》 | [0102]“在热处理过程中，前电极图案40中含有的铅(Pb)等的作用，前电极图案40蚀刻(穿透)前电极图案40下方的抗反射层130的部分。由此，前电极图案40连接到发射极区域120的第二发射极部分122，形成连接到第二发射极部分122的前电极140”。 | 对比文件公开了在热处理过程中电极组成层烧穿抗反射层，形成电连接到高浓度发射层的第一电极，因此直接公开。 |
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