对比文件名称：2011-10-20_US2011253209A_发明申请_US20110253209A1 SOLAR CELL, METHOD OF FORMING EMITTER LAYER OF SOLAR CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件[0071]：“将基板301放置在扩散炉中，注入氧气和第二导电类型的杂质气体，将第二导电类型的杂质扩散到基板301中，形成第一发射部分302a。”及[0047]：“第二发射部分302b的薄层电阻小于第一发射部分302a的薄层电阻。” | 对比文件明确通过热扩散形成第一发射部分（低浓度），且其电阻较高（即第一电阻），因此直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 对比文件[0046]：“发射层302具有第二导电类型（例如n型），与基板301的导电类型（p型）相反。” | 对比文件公开了发射层302（包括第一发射部分）的导电类型与基板相反，因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件[0071]：“将基板301放置在扩散炉中，注入杂质气体，扩散杂质形成第一发射部分。” | 对比文件明确使用热扩散工艺（扩散炉）形成第一发射部分，因此直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件[0047]：“第二发射部分302b的薄层电阻小于第一发射部分302a的薄层电阻。” | 对比文件公开了第二发射部分（高浓度）的电阻低于第一发射部分，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 对比文件[0073]公开了激光照射形成第二发射部分，但未将其进一步分为第一部分和第二部分。 | 对比文件仅公开了单一的高浓度发射部分（第二发射部分），未公开其内部具有不同电阻的第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件[0073]公开了激光照射绝缘层形成第二发射部分，但未提及使用不同功率激光形成不同区域。 | 对比文件未公开使用不同功率的激光束分别形成第一部分和第二部分，也未公开第一部分的具体形成方式，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件[0073]公开了激光照射，但未区分不同功率。 | 对比文件未公开使用第二功率激光形成第二部分，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 对比文件未公开高浓度发射层的内部位置关系。 | 对比文件未公开第一部分和第二部分的位置关系，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 对比文件未公开第一部分和第二部分的电阻差异。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部不同区域的电阻关系，因此未公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《直接公开》 | 对比文件[0088]：“在形成第二发射部分302b完成发射层302后，去除位于基板301上的绝缘层303。” | 对比文件明确公开了在形成高浓度发射部分后去除绝缘层（玻璃组成层），因此直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 对比文件[0090]：“在发射层302上形成抗反射层304。” | 对比文件公开了在发射层（包括低浓度发射部分）上形成抗反射层（绝缘层），因此直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 对比文件[0091]：“在抗反射层304上印刷前电极浆料，形成指状电极图案和总线电极图案。” | 对比文件公开了在绝缘层（抗反射层）上形成第一电极（前电极），因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件[0093]：“通过加热过程，前电极图案穿透抗反射层304，与发射层302接触。具体地，指状电极图案与第二发射部分302b接触。” | 对比文件公开了第一电极（指状电极）穿透绝缘层（抗反射层）电连接到高浓度发射层（第二发射部分），因此直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 对比文件[0094]：“通过加热过程，铝从后电极浆料掺杂到基板中，形成背面场层307。” | 对比文件公开了在基板背面形成背面场层，因此直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 对比文件[0094]：“背面场层307具有p+型导电类型，与p型基板301相同。” | 对比文件公开了背面场层与基板导电类型相同，因此直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 对比文件[0094]：“通过加热过程，铝掺杂到基板中形成背面场层。” | 对比文件公开了通过加热使铝扩散（热扩散工艺）形成背面场层，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《未公开》 | 对比文件未公开在背面场层上形成钝化膜。 | 对比文件仅公开了后电极直接形成在背面场层上，未提及背面钝化膜，因此未公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《未公开》 | 对比文件未公开背面钝化膜，因此未公开第二电极形成在钝化膜上。 | 对比文件未公开在钝化膜上形成第二电极，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《未公开》 | 对比文件未公开背面钝化膜及电极穿过钝化膜。 | 对比文件未公开第二电极穿过钝化膜连接背面场层，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 对比文件未公开高浓度发射层的细部结构。 | 对比文件未公开第二部分的相对侧布置，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | 对比文件[0071]：“绝缘层303是PSG（磷硅玻璃）。” | 对比文件公开了绝缘层（玻璃组成层）是PSG，因此直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件[0091]-[0094]公开了后续形成电极和背面场层的步骤。 | 对比文件公开了制造方法包括后续步骤，因此直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《直接公开》 | 对比文件[0091]：“在抗反射层304上印刷前电极浆料。” | 对比文件公开了在绝缘层上涂布电极浆料（电极组成层），因此直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《直接公开》 | 对比文件[0092]：“对具有前电极图案和后电极图案的基板301进行加热过程。” | 对比文件公开了热处理步骤，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《直接公开》 | 对比文件[0093]：“前电极图案穿透抗反射层304，与发射层302接触。” | 对比文件公开了热处理使电极穿透绝缘层（烧穿工艺）形成电连接，因此直接公开。 |
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