对比文件名称：2007-10-11_JP2007266327A_发明专利_JP2007266327A Solar battery element
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：GPT-4（或您使用的模型，根据实际情况填写）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层【未公开】** | 无 | 对比文件仅在半导体基板正面形成高浓度扩散的逆导电型区域（n型层），未公开具有较高电阻的低浓度发射层，也未暗示存在两个不同浓度的发射层区域，因此本领域技术人员无法从对比文件直接或间接得出该特征。 |
| **技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型【未公开】** | 无 | 对比文件虽公开了在p型基板上形成n型扩散层（导电类型相反），但该扩散层为高浓度层，并非低浓度发射层，且对比文件未公开低浓度发射层，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层【未公开】** | 无 | 对比文件公开了通过热扩散工艺形成高浓度扩散层，但未公开形成低浓度发射层。热扩散工艺本身可用于形成低浓度层，但对比文件未给出任何教导或暗示，因此不能合理推断形成低浓度发射层，该特征未被公开。 |
| **技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层【《直接公开》】** | “p型多結晶シリコン基板の光入射面側には、Ｐ（リン）原子などが高濃度に拡散されてｎ型となる逆導電型拡散領域２が形成され”（在“太陽電池素子”部分，即产品结构描述部分；中文翻译：在p型多晶硅基板的光入射面侧，高浓度扩散磷原子等形成n型的逆导电型扩散区域2） | 对比文件明确公开了通过热扩散在半导体基板正面形成高浓度扩散区域（逆导电型扩散区域），该区域由于高浓度掺杂而具有较低的电阻，相当于目标专利中的高浓度发射层。虽然形成方式（直接热扩散）与目标专利（通过激光诱导玻璃层杂质扩散）不同，但特征D仅要求形成高浓度发射层，对比文件直接公开了该步骤。 |
| **技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分【未公开】** | 无 | 对比文件中的高浓度扩散层是均匀的，没有公开或暗示将其分为第一部分和第二部分，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成【未公开】** | 无 | 对比文件完全没有提及使用激光束照射玻璃组成层形成掺杂区域，也未涉及任何激光掺杂工艺，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成【未公开】** | 无 | 同特征F，对比文件无激光照射玻璃层的公开或暗示，该特征未被公开。 |
| **技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间【未公开】** | 无 | 对比文件未公开第一部分和第二部分，更未公开其位置关系，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻【未公开】** | 无 | 对比文件未公开高浓度发射层内的电阻差异，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层【未公开】** | 无 | 对比文件未涉及任何玻璃组成层的形成与去除步骤，该特征未被公开。 |
| **技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层【未公开】** | 无 | 对比文件虽在逆导电型扩散区域（高浓度发射层）上形成反射防止膜（绝缘层），但未公开在低浓度发射层上形成绝缘层，且对比文件未公开低浓度发射层，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极【《直接公开》】** | “反射防止膜３の上に表面電極４の導電性ペーストを直接塗布し焼き付けることによって表面電極４と逆導電型拡散領域２を電気的に接触させるいわゆるファイヤースルー法を用いる場合前記パターニングの必要はない。”（在“反射防止膜の形成”部分；中文翻译：使用在反射防止膜上直接涂布表面电极的导电膏并烧制，从而使表面电极与逆导电型扩散区域电接触的所谓烧穿法时，不需要上述图案化） | 对比文件明确公开了在反射防止膜（绝缘层）上涂布导电膏形成表面电极（第一电极），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层【《直接公开》】** | 同一引用：上述烧穿法使电极延伸穿过反射防止膜电连接到逆导电型扩散区域（高浓度扩散层）。 | 对比文件公开了第一电极（表面电极）通过烧穿工艺延伸穿过绝缘层（反射防止膜）电连接到高浓度扩散区域（逆导电型扩散区域，即高浓度发射层），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层【《直接公开》】** | “光入射面の反対側には、アルミニウムなどのｐ型半導体不純物を多量に含んだ裏面電界領域１２が設けられている。”（在“太陽電池素子”部分；中文翻译：在光入射面的相反侧，设有含有大量铝等p型半导体杂质的背面电场区域12） | 对比文件直接公开了在半导体基板背面形成背面电场区域（背面场层），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型【《直接公开》】** | 同一引用：该区域含大量p型杂质，基板为p型，导电类型相同。 | 对比文件公开了背面场层为p型，与p型基板导电类型相同，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层【《直接公开》】** | “裏面電界領域１２の形成方法は...ガスを用いた熱拡散法で形成することも可能である。この場合は、ＢＢｒ３を拡散源とした高温の熱処理により形成する。”（在“太陽電池素子の製造方法”部分；中文翻译：背面电场区域的形成方法...也可以使用气体的热扩散法形成。在这种情况下，通过以BBr3为扩散源的高温热处理形成。） | 对比文件明确公开了可以通过热扩散法（如BBr3气体扩散）形成背面场层，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜【未公开】** | 无 | 对比文件在制造与结构描述中，未提及在背面场层上形成钝化膜，也没有暗示背面存在钝化膜，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极【未公开】** | 无 | 由于对比文件未公开钝化膜，因此也未公开在钝化膜上形成第二电极，该特征未被公开。 |
| **技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层【未公开】** | 无 | 对比文件未公开背面钝化膜，且其背面电极（集电极）直接形成在背面场层上，未穿过任何钝化膜，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域【未公开】** | 无 | 对比文件未公开第一部分和第二部分，也未公开任何类似布置，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG【未公开】** | 无 | 对比文件未涉及任何玻璃组成层，更未提及PSG或BSG，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征V：该方法还包括以下步骤【《直接公开》】** | 对比文件整个制造方法部分描述了多个步骤，例如“まず、半導体基板を作製する。次に、逆導電型拡散領域を形成する。その後、反射防止膜を形成する。...”等。 | 对比文件的方法包括从基板准备到电极形成的多个步骤，因此直接公开了“该方法还包括以下步骤”这一技术特征（该特征为方法权利要求中引出后续步骤的常规表述，对比文件的方法显然包含多个步骤）。 |
| **技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层【《直接公开》】** | 同一引用特征L：“反射防止膜３の上に表面電極４の導電性ペーストを直接塗布し”（在“反射防止膜の形成”部分；中文翻译：在反射防止膜上直接涂布表面电极的导电膏） | 对比文件公开了在绝缘层（反射防止膜）上方涂布导电膏（电极组成层），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征X：使所述电极组成层经受热处理【《直接公开》】** | “塗布・乾燥した表面電極４、取出電極８を６００〜８５０℃で数秒〜数十分程度の範囲で熱処理を経ることによって、半導体基板１に対して電極を形成することができる。”（在“電極の熱処理”部分；中文翻译：通过将涂布·干燥后的表面电极4、取出电极8在600~850℃数秒至数十分钟范围内进行热处理，可以在半导体基板1上形成电极。） | 对比文件公开了使电极组成层经受热处理（烧成），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极【《直接公开》】** | 同一引用特征L和特征X：烧穿法（ファイヤースルー法）使电极在热处理过程中穿透反射防止膜电连接到逆导电型扩散区域（高浓度发射层）。 | 对比文件公开了通过烧穿工艺（热处理同时进行）使电极穿过绝缘层电连接到高浓度扩散层，从而形成第一电极，因此该特征被直接公开。 |
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