对比文件名称：2009-11-26_US2009288704A_发明申请_US20090288704A1 NITRIDED BARRIER LAYERS FOR SOLAR CELLS
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开） | [0039] “which begins with the shallow emitter 504 diffusion in step S652” | 对比文件明确公开了通过扩散工艺在基板正面形成浅发射极（低浓度发射层），该层具有电阻（本领域公知），作用与目标专利相同，用于形成pn结。 |
| B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（隐含公开） | [0006] “The selective emitter consists of a shallow, moderately doped diffusion 106…”; [0030] “p-type poly on a low doped n-type substrate” | 对比文件背景技术中选择性发射极结构通常为与衬底相反的导电类型，且本领域技术人员结合多晶硅发射极的导电类型关系可合理推断出浅扩散层也具有相反的导电类型，作用相同。 |
| C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层（直接公开） | [0039] “shallow emitter 504 diffusion” | 扩散工艺即为热扩散，对比文件直接公开了该工艺步骤，作用与目标专利相同。 |
| D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（直接公开） | [0006] “deep, highly doped region 108 under the contacts” | 对比文件公开了在接触区下方形成深扩散高浓度区域，其电阻低于浅扩散区域，作用与目标专利相同，用于减小接触电阻。 |
| E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分（未公开） | 无 | 对比文件未公开高浓度发射层进一步划分为不同电阻的两部分，也未给出任何暗示。 |
| F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开） | 无 | 对比文件未涉及激光照射玻璃组成层，更未提及不同功率激光。 |
| G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成（未公开） | 无 | 对比文件未涉及。 |
| H：所述第一部分位于所述第二部分之间（未公开） | 无 | 对比文件未公开此结构。 |
| I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻（未公开） | 无 | 对比文件未公开高浓度区域内的电阻差异。 |
| J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层（未公开） | 无 | 对比文件未公开玻璃组成层的形成与去除。 |
| K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开） | [0039] “A passivation oxide 506 is then formed in step S656” | 对比文件直接公开了在浅发射极上形成钝化氧化层（绝缘层），作用与目标专利相同，用于钝化和减反射。 |
| L：在所述绝缘层上形成第一电极（直接公开） | [0041] “The metal contacts 510 are then formed in steps S664 and S666” | 对比文件公开了在绝缘层上形成金属接触（第一电极），作用与目标专利相同，用于收集电流。 |
| M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层（直接公开） | [0006] “The contact openings through coating 104 are 2-3 μm wide, and the metal grid lines 102 are aligned over these small openings”及图1 | 对比文件背景技术中金属栅线通过绝缘层开口直接连接到深扩散高浓度区域，作用与目标专利相同，实现低阻接触。 |
| N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层（未公开） | 无 | 对比文件仅提及背面接触，未明确记载形成背面场层。 |
| O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| P：通过热扩散工艺形成所述背面场层（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| Q：在所述背面场层上形成钝化膜（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| R：在所述钝化膜上形成第二电极（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域（未公开） | 无 | 对比文件未公开此结构。 |
| U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（未公开） | 无 | 对比文件未涉及玻璃组成层。 |
| V：该方法还包括以下步骤（未公开） | 无 | 对比文件未公开后续步骤W、X、Y。 |
| W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| X：使所述电极组成层经受热处理（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
### 公开性代码输出
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