对比文件名称：2005-03-10_JP2005064072A_发明专利_JP2005064072A Semiconductor light emitting element
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（不公开） | 对比文件无支撑层相关内容。 | 对比文件采用蓝宝石或SiC基板，基板保留，未移除，因此没有用于支撑的金属或含Si半导体层。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极（不公开） | 对比文件无支撑层相关内容。 | 由于无支撑层，不存在位于支撑层上的第一电极。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构（不公开） | 对比文件半导体结构位于基板上，第一电极（金属电极层）位于半导体结构之上，而非之下。 | 目标专利中半导体结构在第一电极之上，对比文件第一电极在半导体结构之上，顺序相反，不能直接或隐含得出。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面（不公开） | 对比文件未描述半导体结构具有倾斜侧表面。 | 对比文件未提及任何关于倾斜侧表面的结构或制造方法。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层（直接公开） | 【0021】“超格子層２１１に平行な方向に対する電気伝導率が、超格子層２１１に垂直な方向に対する電気伝導率より大きいという性質を利用すると、超格子層２１１を金属電極層２６と活性層２３との間の任意の位置に備えれば、金属電極層２６の厚さを従来のものより薄くし、さらに、図２に示すように、第二電極２８を金属電極層２６の端に配置しても、活性層２３への電流の供給が均一となる。”<br>翻译：利用超晶格层211平行方向上的电导率大于垂直方向上的电导率的性质，如果在金属电极层26和活性层23之间的任意位置设置超晶格层211，则可以使金属电极层26的厚度比传统更薄，并且即使将第二电极28配置在金属电极层26的端部，也能向活性层23均匀供给电流。<br>【0024】“超格子層２１１を金属電極層２６に直接接するように、超格子層２１１にコンタクト層としての働きをさせてもよい。”<br>翻译：也可以使超晶格层211直接接触金属电极层26，使超晶格层211起到接触层的作用。 | 对比文件中的超晶格层211位于第二导电型半导体层24（半导体结构的一部分）与金属电极层26（相当于第一电极）之间，其功能是使电流均匀扩散，与目标专利的电流扩散层功能相同，且位置关系一致。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层（不公开） | 对比文件未在半导体结构上设置透明导电氧化物层，仅在电极材料中提及ZnO、ITO。 | 对比文件的第一电极29或金属电极层26并非位于半导体结构上方的透明导电氧化物层，且无任何TCO层用于电流扩散的教导。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极（直接公开） | 【0039】“第二電極２８を第二導電型半導体層２４の端に配置しても、均一に活性層２３を発光させることができる。”<br>翻译：即使将第二电极28配置在第二导电型半导体层24的端部，也能使活性层23均匀发光。<br>图3显示第二电极28直接接触第二导电型半导体层24。 | 对比文件明确公开了第二电极28直接设置在第二导电型半导体层24（半导体结构的一部分）上，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征H：金属层（不公开） | 对比文件未公开位于半导体结构和第二电极之间的金属层。 | 对比文件没有目标专利中用于吸气欧姆接触的金属层（如Ti、Zr、Cr）。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间（不公开） | 同上。 | 对比文件无此金属层，故不公开。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触（不公开） | 对比文件未公开该金属层及其欧姆接触功能。 | 对比文件未提到吸气金属层形成欧姆接触的机制。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（不公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及对氮具有高反应性的金属层。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中（不公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有披露在半导体结构界面涂覆或掺杂金属层。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（不公开） | 对比文件未公开功函数关系。 | 对比文件未提及电流扩散层或TCO层的功函数及其比较。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。（不公开） | 对比文件公开超晶格层直接接触第二导电型半导体层和金属电极层（【0024】），但超晶格层材料为ＡｌｐＧａｑＩｎ１－ｐ－ｑＮ（【0023】），未具体限定为InGaN层或InGaN/GaN超晶格。 | 对比文件虽公开了超晶格层直接接触，但未明确其材料为InGaN或InGaN/GaN超晶格，本领域技术人员不能从对比文件直接得出该具体材料组合，故不公开。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层（不公开） | 对比文件半导体结构顺序为：第一导电型半导体层22（n型或p型）→活性层23→第二导电型半导体层24（相反极性）→金属电极层26。 | 对比文件中p型半导体层（若为第二导电型）位于金属电极层之下，而非第一电极之上，且第一电极（金属电极层）在p型层之上，与目标专利“p型半导体层在第一电极上”相反。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层（不公开） | 对比文件有源层在p型半导体层之下，不在之上。 | 对比文件层序为第一导电型（n型）→有源层→第二导电型（p型），故有源层在p型层之下。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层（不公开） | 对比文件n型半导体层在有源层之下。 | 对比文件n型层位于基板侧，有源层之下，与目标专利相反。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。（不公开） | 对比文件仅提及超晶格层使电流均匀供给，未明确提到增强载流子迁移率。 | 对比文件未描述超晶格层与迁移率的关系，本领域技术人员不能直接得出该功能。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。（不公开） | 对比文件未公开功函数。 | 对比文件无任何关于功函数比较的教导。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。（不公开） | 对比文件未公开功函数。 | 对比文件无任何关于功函数比较的教导。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极。（不公开） | 对比文件未提及反射电极。 | 对比文件中的第一电极（金属电极层或第一电极29）未明确作为反射电极使用，且未强调反射功能。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极。（直接公开） | 【0029】“第一導電型半導体層２２がｐ型の場合は、第一電極２９として、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、若しくはこれらを含む合金、またはＺｎＯ、ＩＴＯからなるものを適用することが好ましい。”<br>翻译：当第一导电型半导体层22为p型时，第一电极29优选使用金（Au）、镍（Ni）、或其合金，或ZnO、ITO。 | 对比文件明确公开第一电极29可以使用ZnO、ITO等透明导电氧化物，因此第一电极包括透明电极的特征被直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属。（不公开） | 对比文件无支撑层。 | 对比文件没有支撑层，更未限定支撑层材料为金属。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。（不公开） | 对比文件无支撑层。 | 对比文件没有支撑层，故不存在该位置关系。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。（不公开） | 对比文件未描述半导体结构具有倾斜侧表面，也未提及面积关系。 | 对比文件未公开任何关于倾斜侧表面或面积差异的结构特征。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。（不公开） | 对比文件未描述面积关系。 | 对比文件未公开第一电极与半导体结构表面的面积比较。 |
### 结论
根据上述对比分析，对比文件直接公开了技术特征E、技术特征G和技术特征V。其他技术特征未被直接公开或隐含公开。
<<<E>>> <<<G>>> <<<V>>>