对比文件名称：2000-07-14_JP2000196152A_发明专利_JP2000196152A Semiconductor light emitting device and manufacture thereof
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层 — **未公开** | 对比文件未记载由金属或含Si的半导体层制成的支撑层。 | 对比文件实施例采用蓝宝石衬底（[0005]），虽在[0081]提到可使用Si、GaN等导电性基板，但该基板作为初始衬底使用，并非在移除衬底后形成的支撑层，且未公开支撑层由金属或含Si的半导体制成。因此未直接或隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极 — **未公开** | 对比文件未记载支撑层，故无支撑层上的第一电极。 | 由于特征A未公开，特征B缺乏支撑层基础，对比文件未公开此结构。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构 — **未公开** | 对比文件未记载支撑层及支撑层上的第一电极，故无第一电极上的半导体结构。 | 对比文件的结构是半导体层在衬底上，电极在半导体层上，与目标专利的垂直结构顺序相反。未公开。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面 — **未公开** | 对比文件未记载半导体结构具有倾斜侧表面。 | 对比文件在p型GaN层表面形成凹凸状（[0022]），但凹凸是表面起伏，而非从第一电极到第二电极面积逐渐增大的倾斜侧表面。未公开。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层 — **未公开** | 对比文件未记载在半导体结构与第一电极之间设置电流扩散层。 | 对比文件在p型GaN层上直接形成透明电极（[0041]），无中间电流扩散层。未公开。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层 — **《直接公开》** | [0041] “在凹凸加工后的p型GaN层4上，通过真空蒸镀法沉积厚度5nm的Ni层13a作为透明金属电极，然后通过溅射法形成ITO透明电极13b。” | 对比文件公开了在半导体结构（p型GaN层）上形成透明导电氧化物层（ITO），该层用于电流扩散和光提取，与目标专利中TCO层的作用相同。虽然目标专利中半导体结构顺序不同，但特征F未限定具体层序，因此直接公开。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极 — **《直接公开》** | [0040] “在通过蚀刻暴露的n型GaN层2上，蒸镀Ti层5a和Au层5b，通过剥离进行图案化，并在800℃下进行约20秒的快速退火，形成n型电极5。” | 对比文件公开了第二电极（n型电极）形成在半导体结构的一部分（n型GaN层）上，与目标专利的第二电极作用相同。直接公开。 |
| 技术特征H：金属层 — **《直接公开》** | [0041] “在凹凸加工后的p型GaN层4上，通过真空蒸镀法沉积厚度5nm的Ni层13a作为透明金属电极，然后通过溅射法形成ITO透明电极13b。” | 对比文件公开了Ni层（或Pt层）作为金属层，该金属层位于p型GaN层与ITO之间。直接公开。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间 — **未公开** | 对比文件中的金属层（Ni）位于p型GaN层和ITO透明电极之间，而第二电极是n型电极（[0040]），金属层不位于半导体结构和第二电极之间。 | 特征I要求金属层布置在半导体结构和第二电极之间，对比文件的金属层在p型侧，第二电极在n型侧，位置不符。未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触 — **《直接公开》** | [0041] “也可以用Pt层代替Ni层。这样，在ITO层13b下设置Ni或Pt等金属层13a，可以改善ITO层的附着强度，并且可以降低接触电阻。” | 对比文件明确公开金属层（Ni/Pt）降低接触电阻，即在半导体结构上充当欧姆接触。直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性 — **未公开** | 对比文件未提及金属层对氮的反应性。 | 对比文件中的金属层为Ni或Pt，通常不被认为对氮具有高反应性，且未公开任何吸气特性。未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中 — **未公开** | 对比文件中的金属层（Ni）是通过真空蒸镀沉积在p型GaN层表面，属于沉积而非涂覆或掺杂；且未公开掺杂进入界面。 | 对比文件虽在[0036]有Mg层扩散工艺，但该金属层随后被去除，并非永久金属层。永久金属层（Ni）仅为沉积，不符合“涂覆或掺杂在界面中”的含义。未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数 — **未公开** | 对比文件未设置电流扩散层，故无相关功函数比较。 | 特征M依赖于电流扩散层，对比文件无此层，未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层 — **未公开** | 对比文件未记载电流扩散层，更无InGaN或超晶格层。 | 对比文件无电流扩散层，未公开。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层 — **未公开** | 对比文件的结构是：蓝宝石衬底→n型GaN层→InGaN发光层→p型GaN层→p侧透明电极（[0021]）。p型半导体层在p侧电极之下，而非“在第一电极上”。 | 目标专利中p型半导体层位于第一电极之上，对比文件顺序相反。未公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层 — **未公开** | 对比文件有源层（InGaN发光层）位于p型GaN层之下（[0021]）。 | 目标专利有源层在p型半导体层上，对比文件相反。未公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层 — **未公开** | 对比文件n型GaN层位于有源层之下（[0021]）。 | 目标专利n型半导体层在有源层上，对比文件相反。未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率 — **未公开** | 对比文件未设置电流扩散层，无相关功能描述。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数 — **未公开** | 对比文件无电流扩散层，无相关功函数比较。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数 — **未公开** | 对比文件无电流扩散层，无相关功函数比较。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极 — **未公开** | 对比文件的第一电极是p侧透明电极（ITO），未设置反射电极层。 | 对比文件未公开反射电极。未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极 — **《直接公开》** | [0021] “p型GaN层4上形成p侧透明电极13”；[0041] “形成ITO透明电极13b”。 | 对比文件公开第一电极（p侧电极）为透明电极（ITO），与目标专利中第一电极可包括透明电极一致。直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属 — **未公开** | 对比文件未记载支撑层，故无支撑层金属材料。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上 — **未公开** | 对比文件未记载支撑层，故无支撑层位于第一电极上的结构。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积 — **未公开** | 对比文件未记载半导体结构具有倾斜侧表面，且无面积大小关系。 | 对比文件仅在p型GaN层表面形成凹凸，未导致上下表面面积差异。未公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积 — **未公开** | 对比文件未记载相关面积关系。 | 特征Z与Y实质相同，未公开。 |
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