对比文件名称：2001-03-06_JP2001060720A_发明专利_JP2001060720A Semiconductor light emitting element
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，含段落编号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层**<br>【未公开】 | 无。对比文件所有实施例均未提及任何由金属或含Si的半导体层制成的支撑层。 | 目标专利的支撑层用于在移除原始衬底后支撑半导体层，而对比文件始终保留原始衬底（蓝宝石、GaN、SiC），无需额外支撑层，也未公开或暗示任何等效结构。 |
| **技术特征B：在所述支撑层上的第一电极**<br>【未公开】 | 无。对比文件未公开支撑层，因此不存在在支撑层上的第一电极。 | 由于支撑层未公开，该特征未公开。 |
| **技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构**<br>【未公开】 | 对比文件图2显示：GaN基板21、n型GaN层23、活性层24、p型AlGaN层25、超格子接触层26、p侧电极175。半导体结构（n型层、活性层、p型层）位于p侧电极下方，而非上方。 | 目标专利中半导体结构位于第一电极（p侧电极）之上，对比文件图2的顺序相反，半导体结构在p侧电极之下，因此未公开。 |
| **技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面**<br>【未公开】 | 无。对比文件所有附图中半导体结构均为矩形截面，无倾斜侧表面。 | 目标专利的倾斜侧表面用于增大光泄漏角，对比文件未公开任何倾斜侧表面结构，也未暗示。 |
| **技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层**<br>【直接公开】 | [0028]：“超格子コンタクト層は、ｐ側電極１６５に対して接触する半導体層であり、硬度の高い窒化物半導体層と硬度の低い窒化物半導体層とを交互に積層させた超格子構造を有し、ｐ型ドーパントが前記硬度の高い窒化物半導体層に選択的にドープされている。”<br>[0034]：具体描述超格子接触层16位于p型AlGaN层15和p侧电极165之间。 | 对比文件明确公开了在p型半导体层（属于半导体结构）与p侧电极（第一电极）之间设置有一层（超格子接触层），其位置关系与目标专利的电流扩散层完全相同。虽然名称不同，但该层具有降低接触电阻、提高载流子迁移率等类似功能，因此该结构特征被直接公开。 |
| **技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层**<br>【未公开】 | 对比文件图2的n侧电极173直接形成在GaN基板21背面，并未在n型侧设置透明导电氧化物层。图1的n侧电极163直接形成在n型GaN层13上，也无TCO层。 | 目标专利的TCO层位于n型半导体层与第二电极之间，用于电流扩散和改善光提取。对比文件所有实施例中，n型侧均未采用透明导电氧化物层，因此未公开。 |
| **技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极**<br>【直接公开】 | [0035]：“図１に示したように積層構造の一部を表面からｎ型コンタクト層１３までエッチングして、ｎ側電極１６３を形成する。”<br>[0056]：“ＧａＮ基板２１の裏面側には透光性を有するｎ側電極１７３が形成され”。 | 对比文件图1中n侧电极163形成在n型GaN层（半导体结构的一部分）上；图2中n侧电极173形成在GaN基板（导电衬底，可视为半导体结构的一部分）背面。因此，公开了第二电极直接布置在半导体结构的一部分上这一特征。 |
| **技术特征H：金属层**<br>【未公开】 | 无。对比文件未在n型侧设置单独的金属层，p侧电极虽含金属但位置不同。 | 目标专利的金属层是吸气金属，位于n型半导体层与TCO层之间，用于形成欧姆接触。对比文件未公开任何位于半导体结构与第二电极之间的金属层。 |
| **技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开任何层位于半导体结构与第二电极之间，因此未公开。 |
| **技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开金属层及其欧姆接触功能。 |
| **技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开任何与氮具有高反应性的金属层。 |
| **技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开金属层的涂覆或掺杂方式。 |
| **技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及电流扩散层与透明导电氧化物层的功函数比较。 |
| **技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层**<br>【直接公开】 | [0028]：“超格子コンタクト層は、…例えば、Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ドープ超格子構造とすることができる。”<br>[0034]：具体描述超格子接触层16直接生长在p型AlGaN层15上，随后在其上形成p侧电极165。 | 对比文件明确公开了超格子接触层（相当于电流扩散层）直接接触p型半导体层（属于半导体结构）和p侧电极（第一电极），并且该层由In0.01Ga0.99N/GaN（Mg掺杂）超格子构成，属于InGaN/GaN超晶格层。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层**<br>【未公开】 | 对比文件图2中，p型半导体层25位于p侧电极175下方，不在第一电极上。 | 目标专利中半导体结构形成在第一电极之上，p型半导体层靠近第一电极。对比文件图2的顺序相反，p型层在p侧电极之下，因此未公开。 |
| **技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层**<br>【未公开】 | 对比文件图2中，有源层24位于p型层25下方，不在p型层之上。 | 目标专利中有源层位于p型半导体层之上，对比文件图2的顺序相反，有源层在p型层之下，因此未公开。 |
| **技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层**<br>【未公开】 | 对比文件图2中，n型半导体层23位于有源层24下方，不在有源层之上。 | 目标专利中n型半导体层位于有源层之上，对比文件图2的顺序相反，n型层在有源层之下，因此未公开。 |
| **技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率**<br>【直接公开】 | [0045]：“変調ドープにより不純物散乱を十分に抑えることが可能になり、高い移動度を持つ正孔キャリアを得ることができた。”（通过调制掺杂，能够充分抑制杂质散射，从而获得高迁移率的空穴载流子。） | 对比文件明确指出超格子接触层（相当于电流扩散层）通过调制掺杂提高了空穴的迁移率，即增强了载流子迁移率。因此，该功能特征被直接公开。 |
| **技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开功函数的相关比较。 |
| **技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开功函数的相关比较。 |
| **技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极**<br>【未公开】 | 无。对比文件仅提及p侧电极材料为Ni/Au或ITO/Ni，未明确其反射功能。 | 目标专利的反射电极用于反射光，提高光提取效率。对比文件未公开或暗示电极具有反射功能，因此未公开。 |
| **技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极**<br>【直接公开】 | [0036]：“透光性を有するｐ側電極１６５としては、例えば、金属系のＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）／Ｎｉ積層膜や、酸化物／金属系のＩＴＯ（indium tin oxide）／Ｎｉなどを採用することできる。” | 对比文件明确公开了p侧电极（第一电极）可以采用ITO（透明导电氧化物）与Ni的复合结构，即包含透明电极。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征W：其中，所述支撑层包括金属**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开支撑层，更未公开支撑层由金属制成。 |
| **技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开支撑层及其布置位置。 |
| **技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开半导体结构具有倾斜侧表面，也没有任何面积变化的描述。 |
| **技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积**<br>【未公开】 | 无。 | 对比文件未公开半导体结构或电极的面积大小关系。 |
<<<E>>><<<G>>><<<N>>><<<R>>><<<V>>>