对比文件名称：JP2005197289A（Nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method）
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征（公开性判断） | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何支撑层，其结构保留基板，未涉及移除基板后的支撑层。 |
| 技术特征B：在支撑层上的第一电极（未公开） | 无 | 对比文件无支撑层，故无此结构。 |
| 技术特征C：在第一电极上的半导体结构（未公开） | 无 | 对比文件的半导体层形成在基板上，而非在电极上。 |
| 技术特征D：半导体结构具有倾斜的侧表面（未公开） | 无 | 对比文件未提及倾斜侧表面。 |
| 技术特征E：布置在半导体结构和第一电极之间的电流扩散层（隐含公开） | “さらに透光性導電層とｐ型窒化物半導体層との間にＩｎＧａＮ層を５０Åの膜厚で有してもよい”（还可以在透光性导电层和p型氮化物半导体层之间具有厚度50Å的InGaN层）。该描述出现在对比文件说明书中列举的层叠结构（3）和（4）之后。 | 对比文件公开了在p型半导体层（半导体结构的一部分）与透光性导电层（第一电极的一部分）之间设置InGaN层，该层客观上起到改善接触和电流扩散的作用，可视为电流扩散层，故该特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：在半导体结构上的透明导电氧化物层（未公开） | 无 | 对比文件的透光性导电层形成在p型层上，而非n型层上，与目标专利不同。 |
| 技术特征G：在半导体结构的一部分上的第二电极（未公开） | 无 | 对比文件的n侧电极直接形成在n型层上，而非通过TCO层。 |
| 技术特征H：金属层（未公开） | 无 | 对比文件未公开吸气金属层。 |
| 技术特征I：布置在半导体结构和第二电极之间的金属层（未公开） | 无 | 对比文件无此结构。 |
| 技术特征J：金属层在半导体结构上充当欧姆接触（未公开） | 无 | 对比文件无此金属层。 |
| 技术特征K：金属层对于在半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（未公开） | 无 | 对比文件未公开吸气金属。 |
| 技术特征L：金属层被涂覆或掺杂在半导体结构的界面上或界面中（未公开） | 无 | 对比文件无此特征。 |
| 技术特征M：电流扩散层的功函数大于透明导电氧化物层的功函数（未公开） | 无 | 对比文件未涉及功函数比较。 |
| 技术特征N：电流扩散层直接接触半导体结构和第一电极；并且包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层（隐含公开） | 同上，InGaN层直接接触p型层和透光性导电层。 | 对比文件公开了InGaN层直接接触半导体结构和第一电极（透光性导电层），但未公开超晶格层；该特征被部分公开，故隐含公开。 |
| 技术特征O：半导体结构包括在第一电极上的p型半导体层（未公开） | 无 | 对比文件中p型层位于透光性导电层之下，而非之上。 |
| 技术特征P：在p型半导体层上的有源层（未公开） | 无 | 对比文件有源层在p型层之下。 |
| 技术特征Q：在有源层上的n型半导体层（未公开） | 无 | 对比文件n型层在基板上，有源层之下。 |
| 技术特征R：电流扩散层被配置为增强器件中载流子的迁移率（未公开） | 无 | 对比文件未明确InGaN层的功能。 |
| 技术特征S：电流扩散层的功函数小于半导体结构的功函数（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征T：电流扩散层的功函数大于第一电极的功函数（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征U：第一电极包括反射电极（隐含公开） | “反射層３１は、透光性膜３１１と反射膜３１２の積層により構成される。”（反射层31由透光性膜311和反射膜312层叠构成）；“金属膜は、ｐ型窒化物半導体の電極となり、かつ反射率の高い薄膜を形成できる材料を使用する。”（金属膜用作p型氮化物半导体的电极，并使用能形成高反射率薄膜的材料）。 | 对比文件的反射层位于透光性导电层和金属电极层之间，反射膜（如Al、Ag）实际作为电极结构的一部分，可视为第一电极包含反射电极，故隐含公开。 |
| 技术特征V：第一电极包括透明电极（直接公开） | “透光性導電層１７としてＩＴＯの透光性電極を使用する”（使用ITO作为透光性导电层17的透光性电极）。 | 对比文件明确使用ITO等透明导电氧化物作为透光性电极，即透明电极，故直接公开。 |
| 技术特征W：支撑层包括金属（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征X：支撑层布置在第一电极上（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征Y：半导体结构具有面向第一电极的第一表面和面向第二电极的第二表面；并且倾斜的侧表面使得第二表面的面积大于第一表面的面积（未公开） | 无 | 对比文件未公开倾斜侧表面及面积关系。 |
| 技术特征Z：面对半导体结构的第一电极的表面的面积小于面向第二电极的半导体结构的表面的面积（未公开） | 无 | 未公开。 |
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