本次调用的模型名称：AI Language Model
对比文件名称：2002-11-12_US6479836B_发明授权_US06479836B1 Semiconductor light emitting device
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件所有实施例均未涉及支撑层，其器件结构直接生长在蓝宝石、GaN或SiC衬底上，未描述移除衬底并附加金属或半导体支撑层的工艺。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征B：在所述支撑层上的第一电极（未公开）** | 无相关公开内容。 | 由于支撑层未被公开，第一电极位于支撑层上的结构也无从提及。对比文件中的第一电极（p侧电极）形成于半导体层之上，而非支撑层上。 |
| **技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件中半导体结构位于衬底上，第一电极（p侧电极）形成于半导体结构之上，顺序相反（半导体结构/电极），而非电极/半导体结构。 |
| **技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述半导体结构的侧表面形状，其截面图显示为垂直刻蚀形成的陡直侧壁，未提及倾斜侧表面。 |
| **技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层《直接公开》** | 第一实施例中：“superlattice contact layer 16 is a semiconductor layer coming in contact with p-side electrode 165”（超晶格接触层16是与p侧电极165接触的半导体层）；该接触层位于p型AlGaN层15与p侧电极165之间。 | 对比文件明确公开了在半导体结构（p型层）与第一电极（p侧电极）之间设置有超晶格接触层，其功能为降低接触电阻、改善电流扩散，与目标专利中电流扩散层的位置和作用实质相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件中未出现位于半导体结构（n型层）上方的单独透明导电氧化物层。其p侧电极虽可使用ITO，但该ITO是电极的一部分，而不是在半导体结构与第二电极之间独立的TCO层。n侧电极也未采用TCO层。 |
| **技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件中第二电极（n侧电极）直接形成在n型半导体层（或衬底背面）上，而不是形成在TCO层上，且未限定覆盖部分半导体结构。 |
| **技术特征H：金属层（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开位于半导体结构与第二电极之间、具有吸气功能的金属层（如Ti、Zr、Cr）。其电极中虽含Ni、Au等金属，但属于电极层本身，并非独立的吸气金属层。 |
| **技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间（未公开）** | 无相关公开内容。 | 基于H未公开，本特征自然也未被公开。 |
| **技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何金属层用于在半导体结构上形成欧姆接触的吸气机制。 |
| **技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及任何对氮具有高反应性的金属。 |
| **技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述在半导体界面涂覆或掺杂吸气金属层的工艺。 |
| **技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开透明导电氧化物层，也未比较电流扩散层与TCO的功函数。 |
| **技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层《直接公开》** | 第一实施例中：接触层16直接与p型AlGaN层15和p侧电极165接触；其结构为“In0.01Ga0.99N/GaN (Mg-doped) modulation-doped supperlattice”。 | 对比文件明确公开了超晶格接触层直接接触p型半导体层和p侧电极，并且该接触层由InGaN/GaN超晶格构成。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件中半导体层顺序为n型层/有源层/p型层（从衬底向上），p型层位于顶部，p侧电极在p型层之上，即p型层在电极之下，而非之上。 |
| **技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件中p型层位于有源层之上，而非之下。 |
| **技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件中n型层位于有源层之下（靠近衬底），而非之上。 |
| **技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率《直接公开》** | 第六实施例中：“impurity scattering can be effectively suppressed by modulation-doping, and electron holes having a high mobility can be obtained.”（通过调制掺杂可以有效抑制杂质散射，从而获得高迁移率的空穴）。 | 对比文件明确说明超晶格接触层（即电流扩散层）通过调制掺杂提高了载流子迁移率，与目标专利中电流扩散层增强载流子迁移率的作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及任何关于功函数的比较，本领域技术人员不能从对比文件直接且毫无疑义地得出该功函数关系。 |
| **技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开功函数比较，也未给出相关教导。 |
| **技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件中的第一电极（p侧电极）采用Ni/Au或ITO/Ni，未明确其具有反射功能，也未使用Ag或Al等高反射材料。 |
| **技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极《直接公开》** | 第一实施例中：“As the transparent p-side electrode 165, a stacked layers of Ni/Au/Ni or oxide/metal layered structure such as ITO (indium tin oxide)/Ni can be used.”（作为透明p侧电极165，可以使用Ni/Au/Ni叠层或氧化物/金属叠层结构，例如ITO/Ni）。 | 对比文件明确公开了第一电极（p侧电极）可以是透明电极，包括ITO/Ni等透明导电结构。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征W：其中，所述支撑层包括金属（未公开）** | 无相关公开内容。 | 基于A未公开，支撑层本身未公开，其材料组成更无从谈起。 |
| **技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上（未公开）** | 无相关公开内容。 | 基于A未公开，支撑层的布置位置也未被公开。 |
| **技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述半导体结构具有倾斜侧表面，也未提及两个表面的面积关系。 |
| **技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积（未公开）** | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及第一电极表面积与半导体结构面向第二电极的表面积之间的比较。 |
<<<E>>><<<N>>><<<R>>><<<V>>>