对比文件名称：2003-01-17_JP2003017740A_发明专利_JP2003017740A Formation of optical element of light emitting device for improving light emitting rate
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
模型名称：本次调用的模型为DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（日文原文及中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（未公开） | 无直接相关引用。对比文件[0026]提及“第一のサブストレートを取り除き、光学的には透明な第２のサブストレートを接着する”（移除第一衬底，键合光学透明的第二衬底）。 | 对比文件仅公开了透明衬底的替换，未公开由金属或含Si半导体制成的支撑层。该透明衬底（如蓝宝石）与目标专利的支撑层材料不同，且作用不同（支撑层用于支撑垂直结构，透明衬底用于光提取）。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出该特征。 |
| 特征B：在所述支撑层上的第一电极（未公开） | 无 | 对比文件未公开支撑层，也未公开第一电极在支撑层上的具体配置。 |
| 特征C：在所述第一电极上的半导体结构（未公开） | 无 | 对比文件未公开第一电极，且半导体结构通常位于衬底上而非电极上，与目标专利的垂直结构顺序相反。 |
| 特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面（直接公开） | [0012]“外側の縁部をエッチングで取り除くことによって、傾斜した側面を有する発光デバイスを作ることができる。”（通过蚀刻去除外部边缘，可以制造具有倾斜侧表面的发光器件。）<br>[0028]“図１０は、側面を傾斜させた半導体発光素子１００を示している。...側面を傾斜させると、...光の取出率が向上する。”（图10示出了侧壁倾斜的半导体发光元件100...当侧壁倾斜时，光提取效率提高。） | 对比文件明确教导通过蚀刻形成倾斜侧表面，并说明其提高光提取效率的作用。该特征与目标专利中D特征完全相同，且作用一致（增加光提取）。因此，本领域技术人员可直接、毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| 特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层（未公开） | 无 | 对比文件未提及任何电流扩散层或类似结构。 |
| 特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层（未公开） | 无 | 对比文件未提及透明导电氧化物（TCO）层。对比文件[0021]虽提到ZnS、ZnSe等材料，但作为键合材料，并非作为电流扩散的TCO层。 |
| 特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极（未公开） | 无 | 对比文件虽提及接触电极31、32，但未明确其在半导体结构的一部分上，且未公开TCO层，无法对应目标专利中位于TCO层上的第二电极。 |
| 特征H：金属层（未公开） | 无 | 对比文件未公开在半导体结构和第二电极之间具有吸气功能的金属层。 |
| 特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间（未公开） | 无 | 同H，无公开。 |
| 特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触（未公开） | 无 | 对比文件未公开该金属层及其欧姆接触特性。 |
| 特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（未公开） | 无 | 对比文件未提及对氮具有高反应性的金属（如Ti、Zr、Cr）。 |
| 特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中（未公开） | 无 | 对比文件未提及涂覆或掺杂在界面的工艺。 |
| 特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（未公开） | 无 | 对比文件未涉及电流扩散层和TCO层，更未提及功函数比较。 |
| 特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层（未公开） | 无 | 对比文件未公开电流扩散层及其具体材料。 |
| 特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层（未公开） | 对比文件[0005]公开了“一方の封止層にはドナーがドープされてｎ型の封止層とされ、他方の封止層にはアクセプタがドープされてｐ型の封止層とされる”（一层封止层掺杂施主成为n型，另一层封止层掺杂受主成为p型），但未公开p型层相对于第一电极的位置。 | 对比文件虽然公开了p型半导体层的存在，但未公开其位于第一电极上。目标专利中p型层位于第一电极上（垂直结构），而对比文件为正装结构（层在衬底上，电极在层上），位置关系相反。本领域技术人员无法从对比文件推断出p型层在第一电极上。 |
| 特征P：在所述p型半导体层上的有源层（未公开） | 对比文件[0003]公开了活性层22位于封止层之间，但未明确在有源层在p型层上。 | 对比文件虽公开有源层，但未限定其位于p型层上（顺序可互换）。且依赖于特征O，故不公开。 |
| 特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层（未公开） | 同上。 | 同P，不公开。 |
| 特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率（未公开） | 无 | 对比文件未公开电流扩散层及其功能。 |
| 特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数（未公开） | 无 | 对比文件未公开电流扩散层及功函数。 |
| 特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数（未公开） | 无 | 对比文件未公开。 |
| 特征U：其中，所述第一电极包括反射电极（未公开） | 对比文件[0028]提及“反射材４０”（反射材料40），但该反射材用于侧壁或底面，并非第一电极。 | 对比文件中的反射材是独立的涂层，并非第一电极的一部分。第一电极（接触31、32）仅由金属形成，未指明具有反射性。 |
| 特征V：其中，所述第一电极包括透明电极（未公开） | 无 | 对比文件未提及透明电极。 |
| 特征W：其中，所述支撑层包括金属（未公开） | 无 | 对比文件未公开支撑层。 |
| 特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上（未公开） | 无 | 对比文件未公开支撑层与第一电极的位置关系。 |
| 特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积（隐含公开） | [0028]关于倾斜侧表面的描述（同特征D）及图10。 | 对比文件公开了倾斜侧表面，本领域技术人员从图10可以合理推断出：由于侧壁倾斜，半导体结构的顶部（面向第二电极）面积大于底部（面向第一电极）面积。虽然对比文件未明确提及第一、第二电极，但存在上下电极是常规结构，且倾斜侧壁必然导致面积差异。因此，该特征被隐含公开。 |
| 特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积（隐含公开） | 同Y。 | 基于倾斜侧表面，面对第一电极的底部表面面积自然小于面向第二电极的顶部表面面积，这是倾斜侧壁的几何必然结果。因此隐含公开。 |
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征D，隐含公开了技术特征Y和Z。
<<<D>>><<<y>>><<<z>>>