对比文件的名称：2001-07-17_US6262441B_发明授权_US06262441B1 Organic light emitting diode including an organic functional layer between electrodes
目标专利的名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：其包括基板**<br>《直接公开》 | 实施例1： “The entire surface of a glass substrate is coated with…” （翻译：玻璃基板的整个表面涂覆有…） | 对比文件明确记载了基板（玻璃基板），本领域技术人员能够毫无疑义地确定其公开了基板这一结构要素，且作用与目标专利相同，均为承载电极和有机层的基底。 |
| **技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极**<br>《未公开》 | 实施例1： “…a cathode is applied… The cathode is formed of a magnesium layer… and a silver layer…” （翻译：施加阴极…阴极由镁层…和银层…形成） | 对比文件中的阴极是不透明的金属层（镁、银），未公开透明阴极；其底电极为透明阳极，而非透明阴极。目标专利要求透明阴极置于基板上，因此对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征C：阳极**<br>《直接公开》 | 实施例1： “…coated with indium tin oxide (ITO) as a conductive, transparent electrode (anode).” （翻译：涂覆有氧化铟锡（ITO）作为导电透明电极（阳极）。） | 对比文件明确公开了电极为阳极，本领域技术人员能直接确定其存在，且作用与目标专利相同，均为注入空穴的电极。 |
| **技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层**<br>《未公开》 | 实施例1： “On top of the device thus obtained a cathode is applied…” 整体结构顺序为：基板/阳极/金属层/有机层/阴极。 | 对比文件未公开透明阴极，因此有机材料层并非设置在透明阴极和阳极之间（而是设置在阳极和阴极之间）。目标专利中的透明阴极是下层电极，而对比文件的下层电极为阳极，结构不同，该特征未公开。 |
| **技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层**<br>《未公开》 | 实施例1： “…the aluminum (III) salt of 8-hydroxyquinoline as the emission and electron transport material…” （翻译：8-羟基喹啉铝(III)盐作为发光和电子传输材料。） | 对比文件中的电子传输层（Alq）未进行n型掺杂，也未形成n型掺杂的电子传输层。目标专利中的n型掺杂层是克服透明阴极高功函的关键，对比文件不存在该技术方案。 |
| **技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何n型掺杂剂或掺杂的电子传输层。 | 对比文件没有公开任何形式的n型掺杂电子传输层，包括其组成。 |
| **技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间**<br>《未公开》 | 对比文件无透明阴极，且无n型掺杂电子传输层。 | 由于对比文件不具备透明阴极和n型掺杂电子传输层，该位置关系无从对应。 |
| **技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％**<br>《未公开》 | 对比文件无n型掺杂剂。 | 对比文件未公开任何掺杂含量。 |
| **技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种**<br>《未公开》 | 对比文件无n型掺杂剂。 | 对比文件未公开所列的任何掺杂剂。 |
| **技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成**<br>《直接公开》 | 背景技术部分： “…the anode material used typically being ITO having a work function of about 4.9 eV…” （翻译：通常使用的阳极材料是ITO，其功函数约为4.9eV。） | 对比文件公开了透明阳极由ITO形成，其功函数约4.9eV，大于2.7eV。该特征要求“透明阴极或阳极”满足条件，对比文件至少公开了阳极符合，因此直接公开。 |
| **技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成**<br>《未公开》 | 对比文件仅公开透明阳极由ITO形成，未公开透明阴极。 | 目标专利的透明阴极是下层电极，对比文件无此结构，也未教导阴极采用透明金属氧化物。 |
| **技术特征L：所述阳极是透明的**<br>《直接公开》 | 实施例1： “…coated with indium tin oxide (ITO) as a conductive, transparent electrode (anode).” （翻译：涂覆有氧化铟锡（ITO）作为导电透明电极（阳极）。） | 对比文件明确记载阳极是透明的（ITO），直接公开。 |
| **技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极**<br>《直接公开》 | 实施例1： “…coated with indium tin oxide (ITO) as a conductive, transparent electrode (anode).” （翻译：涂覆有氧化铟锡（ITO）作为导电透明电极（阳极）。） | 对比文件公开了阳极由ITO形成，ITO属于所列透明金属氧化物之一，因此直接公开。 |
| **技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物**<br>《未公开》 | 实施例1： “…the aluminum (III) salt of 8-hydroxyquinoline…” （翻译：8-羟基喹啉铝(III)盐。） | 对比文件的电子传输材料Alq含有喹啉基团，但该层未掺杂，不属于“n型掺杂的电子传输层”。目标专利要求该层必须是n型掺杂的，对比文件未满足该前提。 |
| **技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度**<br>《未公开》 | 对比文件无n型掺杂剂及浓度梯度。 | 对比文件未公开任何浓度梯度。 |
| **技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层**<br>《未公开》 | 对比文件仅有一层电子传输层（Alq），且未掺杂。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，因此无法设置另一电子传输层于其与发光层之间。 |
| **技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成**<br>《未公开》 | 由于对比文件无n型掺杂层，该特征缺少基础。 | 对比文件未公开n型掺杂层，该特征不成立。 |
| **技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触**<br>《未公开》 | 对比文件无透明阴极和n型掺杂电子传输层。 | 对比文件未公开接触关系。 |
| **技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层**<br>《直接公开》 | 实施例1： “…the low molecular weight compound 4,4′,4″-Tris[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]-triphenylamine (TNATA) for transporting positive charge carriers…” （翻译：低分子量化合物4,4′,4″-三[ N-(1-萘基)-N-苯基氨基]三苯胺（TNATA）用于传输正电荷载流子…） | 对比文件公开了空穴传输层（TNATA），属于有机材料层的一部分，满足“至少一层”的要求。因此直接公开。 |
| **技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上**<br>《未公开》 | 对比文件结构：基板/阳极（透明底电极）/金属注入层/有机材料层/阴极。有机材料层中的空穴传输层（TNATA）位于靠近阳极的一侧，但阳极在底部，最上侧反而远离阳极。 | 目标专利中阳极在顶部，最上侧临近阳极。对比文件为正序结构，有机材料层中最临近阳极的并非最上侧，且存在金属注入层隔开。该特征未公开。 |
| **技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物**<br>《未公开》 | 对比文件使用的有机化合物为TNATA、Alq等，未提及式23化合物。 | 对比文件未公开式23化合物。 |
| **技术特征V：[式23]**<br>《未公开》 | 对比文件无式23的化学结构。 | 对比文件未公开该式。 |
| **技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺**<br>《未公开》 | 对比文件未公开式23化合物，故无相应取代基定义。 | 对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中**<br>《未公开》 | 对比文件未公开式23化合物，故无相应R、R’定义。 | 对比文件未公开该特征。 |
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