**对比文件名称**：2006-09-14_US2006202614A_发明申请_US20060202614A1 Organic electroluminescent devices and display device employing the same
**目标专利名称**：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
**本次调用的模型名称**：AI语言模型
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括基板**<br>《直接公开》 | 段落[0029]：“提供基板12，由绝缘材料如玻璃、塑料或陶瓷形成。” | 对比文件明确公开了有机发光二极管包括基板，与本特征相同，因此直接公开。 |
| **技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极**<br>未公开 | 段落[0027]：“有机电致发光器件至少包括基板、基板上的阳极电极、阳极上的电致发光材料层、电致发光材料层上的缓冲层、以及缓冲层上的透明阴极电极。” | 对比文件中的透明阴极设置在缓冲层上，而非直接设置在基板上；基板上设置的是阳极。因此，对比文件未公开“透明阴极设置在基板上”这一结构特征。 |
| **技术特征C：阳极**<br>《直接公开》 | 段落[0030]：“第一电极如阳极电极14形成在基板12上。” | 对比文件明确公开了阳极，且阳极位于基板上，与本特征一致，直接公开。 |
| **技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层**<br>《直接公开》 | 段落[0027]：“有机电致发光器件至少包括基板、基板上的阳极电极、阳极上的电致发光材料层、电致发光材料层上的缓冲层、以及缓冲层上的透明阴极电极。” | 对比文件中的电致发光材料层（有机材料层）位于阳极与透明阴极之间（顺序为阳极/有机层/缓冲层/透明阴极），因此有机材料层设置在透明阴极与阳极之间，直接公开。 |
| **技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层**<br>未公开 | 段落[0031]：“电致发光层16至少包括发光层16a，还可以包括空穴注入层16b、空穴传输层16c、电子传输层16d、电子注入层16e。” | 对比文件公开了有机材料层包括发光层和电子传输层（电子传输层16d），但该电子传输层并非n型掺杂的电子传输层。对比文件的缓冲层（n型半导体材料）位于电子传输层与透明阴极之间，并非电子传输层，且不包含电子传输材料与n型掺杂剂的组合。因此未公开本特征。 |
| **技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂**<br>未公开 | 段落[0032]：“缓冲层18包含n型半导体材料，例如富勒烯。” | 对比文件的缓冲层是n型半导体材料层，但缓冲层并非电子传输层，且其材料为单一n型半导体（如富勒烯），并非由电子传输材料与n型掺杂剂混合掺杂形成。因此未公开本特征。 |
| **技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间**<br>未公开 | 段落[0032]：“缓冲层18形成在电致发光层16上，包含n型半导体材料。”<br>段落[0033]：“透明阴极电极20形成在缓冲层18上。” | 对比文件中位于透明阴极与发光层之间的是缓冲层，而非n型掺杂的电子传输层。缓冲层不同于本特征的n型掺杂的电子传输层，因此未公开。 |
| **技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％**<br>未公开 | 对比文件未涉及n型掺杂的电子传输层，更未提及掺杂剂含量。 | 对比文件未公开任何关于n型掺杂的电子传输层及其掺杂剂含量的内容，因此未公开本特征。 |
| **技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种**<br>未公开 | 对比文件未公开上述n型掺杂剂。 | 对比文件未提及任何n型掺杂剂，其缓冲层使用的n型半导体材料（如富勒烯）与本特征列举的掺杂剂不同，因此未公开。 |
| **技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成**<br>《隐含公开》 | 段落[0030]：“阳极电极14可以是透明电极，包含ITO、IZO、AZO、ZnO等。”<br>段落[0033]：“透明阴极电极20可以包含ITO、IZO、AZO、ZnO等。” | 对比文件公开了透明阴极和阳极可由ITO、IZO、ZnO等材料形成，这些材料是本领域公知的具有高功函数（通常大于4.5eV，远高于2.7eV）的透明导电氧化物。本领域技术人员根据公知常识能直接确定这些材料满足2.7eV以上功函数的要求，因此隐含公开。 |
| **技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成**<br>《直接公开》 | 段落[0033]：“透明阴极电极20可以包含ITO、IZO、AZO、ZnO、GaN、GaInN、CdS、ZnS、CdSe或ZnSe。” | 对比文件明确列举透明阴极可由ITO、IZO、ZnO形成，本特征的材料范围完全落入对比文件公开的材料中，因此直接公开。 |
| **技术特征L：所述阳极是透明的**<br>《直接公开》 | 段落[0030]：“阳极电极14可以是透明电极。” | 对比文件直接记载阳极可以是透明电极，与本特征一致，直接公开。 |
| **技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极**<br>《直接公开》 | 段落[0030]：“阳极电极14可以是透明电极，包含ITO、IZO、AZO、ZnO等。” | 对比文件公开了阳极可由ITO、IZO、ZnO等透明金属氧化物形成，且为透明电极，直接公开。 |
| **技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物**<br>未公开 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，其电子传输层16d的材料为Alq3（实施例），不含上述官能团。 | 对比文件未涉及n型掺杂的电子传输层，且其电子传输层材料（Alq3）不包含本特征限定的官能团，因此未公开。 |
| **技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度**<br>未公开 | 对比文件未涉及n型掺杂的电子传输层，更未提及浓度梯度。 | 对比文件未公开任何关于n型掺杂的电子传输层的浓度梯度特征，因此未公开。 |
| **技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层**<br>未公开 | 对比文件有机材料层包括电子传输层144，但其位于发光层与电子注入层之间，且对比文件不存在n型掺杂的电子传输层。 | 由于对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，因此不存在设置于其与发光层之间的额外电子传输层，未公开。 |
| **技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成**<br>未公开 | 同特征P，对比文件无此结构。 | 对比文件未公开本特征所需的结构基础和材料关系，因此未公开。 |
| **技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触**<br>未公开 | 对比文件中与透明阴极接触的是缓冲层（n型半导体），而非n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，且透明阴极直接接触的是缓冲层，因此未公开。 |
| **技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层**<br>《直接公开》 | 段落[0031]：“电致发光层16可以进一步包括空穴注入层16b、空穴传输层16c。”<br>工作例1（段落[0037]）明确形成空穴注入层141和空穴传输层142。 | 对比文件明确公开了有机材料层包括空穴传输层和空穴注入层，与本特征一致，直接公开。 |
| **技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上**<br>《直接公开》 | 工作例1（段落[0035]-[0037]）：阳极130上依次形成空穴注入层141、空穴传输层142等，空穴注入层141最临近阳极。 | 对比文件中，空穴注入层141直接形成在阳极130上，位于有机材料层中最临近阳极的位置，与本特征表述一致（最临近阳极的最上侧），直接公开。 |
| **技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物**<br>未公开 | 对比文件未公开式23化合物。 | 对比文件中的空穴注入层材料为CuPc，空穴传输层为NPB等，均不同于式23化合物，因此未公开。 |
| **技术特征V：[式23]**<br>未公开 | 对比文件未公开式23所示的化学结构。 | 对比文件未公开式23或其任何类似结构，因此未公开。 |
| **技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺**<br>未公开 | 对比文件未公开式23化合物，更未涉及其取代基定义。 | 对比文件未公开本特征限定的任何化学结构及取代基定义，因此未公开。 |
| **技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中**<br>未公开 | 对比文件未公开式23化合物，更未涉及其R和R’定义。 | 对比文件未公开本特征限定的任何取代基定义，因此未公开。 |
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### 公开性代码汇总
根据上述比对，直接公开的特征有：A、C、D、K、L、M、S、T。隐含公开的特征有：J。因此，在回答结尾插入对应代码。
<<<A>>><<<C>>><<<D>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<S>>><<<T>>><<<j>>>