对比文件名称：2007-05-24_JP2007129170A_发明专利_JP2007129170A Organic electroluminescece element including layer containing alkali metal atom and fullerene, and manufacturing method thereof
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：其包括基板**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“基板1是作为有机电致发光元件的支撑体，其由石英、玻璃、金属等无机材料或塑料等构成。” | 对比文件明确公开了基板，作为支撑体，与目标专利中基板的作用相同，均为器件提供支撑。 |
| **技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极**<br>《隐含公开》 | 段落[2]：“此外，在通过阴极取出发光的情况下（顶部发射型），作为阴极，使用ITO（氧化铟锡）或IZO（氧化铟锌）这样的透明电极。” 以及“例如，与图1相反的层叠结构，即在基板上依次层叠阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极也是可能的。” | 对比文件分别公开了倒序结构（阴极在基板上）和透明阴极材料，但未明确将两者结合。然而，本领域技术人员可以合理推断在倒序结构中使用透明阴极，从而形成“基板上的透明阴极”，因此隐含公开。 |
| **技术特征C：阳极**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“基板1上设置阳极2。” | 对比文件直接公开了阳极，且位于基板侧（正序）或上层（倒序），其作用与目标专利中阳极相同。 |
| **技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层**<br>《隐含公开》 | 同上倒序结构：“在基板上依次层叠阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极。” | 对比文件公开了倒序结构中有机材料层（电子传输层、发光层等）位于阴极和阳极之间，但透明阴极未明确，因此隐含公开。 |
| **技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“电子传输层6优选由含有碱金属原子和富勒烯类的层构成。” 以及“发光层5”的描述。 | 对比文件公开了发光层和电子传输层，且电子传输层含有碱金属原子（n型掺杂剂）和富勒烯（电子传输材料），实质上构成了n型掺杂的电子传输层，作用与目标专利相同（改善电子注入）。 |
| **技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂**<br>《直接公开》 | 同上：“电子传输层6优选由含有碱金属原子和富勒烯类的层构成。” | 富勒烯类作为电子传输材料，碱金属原子作为n型掺杂剂，直接公开了该组成。 |
| **技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间**<br>《隐含公开》 | 倒序结构中电子传输层位于阴极和发光层之间；透明阴极的公开性同特征B。 | 在倒序结构中，电子传输层必然位于阴极和发光层之间，但透明阴极未明确，因此隐含公开。 |
| **技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“电子传输层中碱金属的比例通常为1-50重量%。” 实施例1中锂原子比例4wt%，实施例2为10wt%，实施例3为5wt%。 | 对比文件公开了碱金属含量范围1-50%，且实施例值（4%、10%、5%）均在1-20%内，直接公开了该含量范围。 |
| **技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF₂、CaF₂、MgO、CaO、BaO、SrO、Na₂O、K₂O、Cs₂O、Cs₂CO₃、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“碱金属原子包括Li、Na、K、Cs等。” | 对比文件公开了Li、Na、K、Cs作为碱金属原子掺杂剂，这些属于目标专利所列物质的一部分（Li单质），因此至少公开了Li，满足“至少一种”的条件，直接公开。 |
| **技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成**<br>《隐含公开》 | 段落[2]：“作为阴极，使用ITO或IZO这样的透明电极”；“阳极通常由金属氧化物如ITO形成”。 | 对比文件公开了ITO、IZO等材料，这些材料公知具有高功函数（>4.5eV），但对比文件未明确描述功函数数值，因此隐含公开。 |
| **技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“作为阴极，使用ITO或IZO这样的透明电极。” | 直接公开了透明阴极可由ITO或IZO形成。 |
| **技术特征L：所述阳极是透明的**<br>《直接公开》 | 实施例1：“在玻璃基板上沉积120nm的ITO透明导电膜作为阳极。” | 实施例1中的阳极是ITO透明电极，直接公开了阳极透明。 |
| **技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极**<br>《直接公开》 | 同上，实施例1阳极ITO。 | 直接公开了阳极由ITO形成。 |
| **技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件的电子传输材料是富勒烯类，没有公开含有这些官能团的化合物。 |
| **技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未提及浓度梯度。 |
| **技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层**<br>《直接公开》 | 段落[2]：“电子传输层6可以由两层以上构成，例如，6b是含有碱金属原子和富勒烯类的层，6a是其他电子传输材料层。” 图2。 | 直接公开了在n型掺杂的电子传输层（6b）和发光层之间可以设置另一电子传输层（6a）。 |
| **技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件仅公开了6a与6b材料不同的情况，没有公开相同材料的情况。 |
| **技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触**<br>《隐含公开》 | 段落[2]：“电子传输层6与阴极7之间可以形成阴极界面层。” | 对比文件公开了阴极界面层是可选的，因此本领域技术人员可以合理选择不形成界面层，从而使n型掺杂电子传输层与阴极直接接触，但未明确公开，故隐含公开。 |
| **技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层**<br>《直接公开》 | 图1及段落[2]描述正孔注入层3和正孔传输层4。 | 直接公开了空穴传输层和空穴注入层。 |
| **技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开式23化合物，且最临近阳极的层（空穴注入层）材料为铜酞菁等，不同于目标专利。 |
| **技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开式23化合物。 |
| **技术特征V：[式23]**<br>《未公开》 | 无 | 未公开。 |
| **技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO₂)、磺酰基(-SO₂R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO₂NR)、磺酸酯基(-SO₃R)、三氟甲基(-CF₃)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺**<br>《未公开》 | 无 | 未公开。 |
| **技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中**<br>《未公开》 | 无 | 未公开。 |
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