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对比文件列表
2004-03-04_US2004041222A_发明申请_US20040041222A1 Power surface mount light emitting die package_+++A_B_C_D_E_F_G_K_M_N_O_Q+++.docx
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2004-09-02_JP2004247658A_发明专利_JP2004247658A Light-emitting diode lamp equipment_+++A_B_F_G_H_n_o_p+++.docx
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2004-09-09_US2004173810A_发明申请_US20040173810A1 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_n+++.docx
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2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法_+++A_B_F_G_I_K_O_T_c_h_l+++.docx
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2004-11-18_JP2004327863A_发明专利_JP2004327863A Semiconductor light emitting device having reflection plate with heat dissipation function_+++B_D_E_F_G_T_a_c_l_m_n+++.docx
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2005-03-24_JP2005079578A_发明专利_JP2005079578A Heat-conductivity-improved light emitting device assembly, system including the same, and method for improving heat conductivity_+++A_B_D_E_F_G_K_O_l_n_p+++.docx
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2005-07-28_JP2005202930A_发明专利_JP2005202930A Optical information reading device_+++A_B+++.docx
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2005-08-04_DE102004060957A_发明专利_DE102004060957A1 Method and device for optically reading information attached to a target_+++A_B_h_r+++.docx
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2006-03-09_JP2006067709A_发明专利_JP2006067709A Drainage structure for electrical junction box_+++a+++.docx
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2006-08-10_US2006175716A_发明申请_US20060175716A1 Molded package and semiconductor device using molded package_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_U_V_W_n_q+++.docx
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2007-03-14_JP3891115B_发明专利_JP3891115B2 Luminescent device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_R_T_q+++.docx
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2007-04-12_JP2007091884A_发明专利_JP2007091884A Transparent and highly thermally conductive resin composition, transparent high thermal conductor and light emitting diode_+++B_D_E_a_c_m+++.docx
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2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_Q_R_T_p+++.docx
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2008-02-28_JP2008047809A_发明专利_JP2008047809A Full-color led_+++A_B_C_D_E_M_f_g_k_l_n+++.docx
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2008-11-06_JP2008270709A_发明专利_JP2008270709A Heat-dissipating resin composition, substrate for mounting led, reflector, and substrate for mounting led provided with reflector portion_+++A_B_C_D_E_G_H_M_Q_T_f_k_n_o_p+++.docx
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2008-12-04_US2008298063A_发明申请_US20080298063A1 LIGHT EMITTING APPARATUS, RESIN MOLDING DEVICE COMPOSING LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_n+++.docx
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2009-01-01_US2009001405A_发明申请_US20090001405A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_Q_R_T_V_n_p_u+++.docx
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2009-03-26_JP2009513003A_发明专利_JP2009513003A It led with a light-transmitting heat sink_+++B_C_D_F_G_H_M_O_R_a_e_k_l_n_p+++.docx
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2009-04-02_JP2009071090A_发明专利_JP2009071090A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_H_M_P_T_f_g_i_n+++.docx
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2009-05-07_JP2009099823A_发明专利_JP2009099823A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_U_V_W_Y_n_p+++.docx
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2009-06-18_JP2009135153A_发明专利_JP2009135153A Light emitting device_+++B_D_E_H_T_a_c_f_g_k_l_m_o+++.docx
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2009-08-19_KR1020090088134A_发明公开_KR1020090088134A 내열도, 반사율 및 열전도도가 우수한 수지 조성물 및 제조방법_+++A_B_c_f_g_k_l+++.docx
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2009-11-18_CN101583670A_发明公开_CN101583670A 散热性树脂组合物、LED实装用基板、反射器以及具有反射器部的LED实装用基板_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_N_Q_R_T_U_V+++.docx
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WO2005091386A1_Description_20260718_2036_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_P_Q_R_T_i_l_n_s_z+++.docx
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2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法_+++A_B_F_G_I_K_O_T_c_h_l+++.docx

好的,作为一名资深专利代理师,我将严格遵循您的要求,对对比文件TW200423420A与目标专利CN102082233B的权利要求技术特征进行逐项比对和分析。

**对比文件名称:** 2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法

**目标专利名称:** 1805发光器件封装CN102082233B

**本次调用的模型名称:** (模型名称未提供,以通用模型代替)

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### 特征比对表格

第一栏:技术特征描述及公开性判断第二栏:对比文件原文引用(中文翻译)第三栏:公开性论述
**技术特征A:包括封装主体** <br> **《直接公开》**对比文件说明书第2c图及第3图相关描述:“最後,以一封裝材料23,封裝上述晶粒21、散熱承座24及導線架25,使上述散熱承座24及導線架25之接腳裸露”。对比文件中的“封装材料23”即为用于包覆、保护晶粒和电极结构的封装主体。其作用和目标专利的封装主体相同,均为形成封装结构的主体部分,直接公开了该特征。
**技术特征B:发光器件** <br> **《直接公开》**对比文件说明书第3图相关描述:“二極體晶粒21”。对比文件中的“二極體晶粒21”即为发光二极管芯片,是核心的发光元件,与目标专利的“发光器件”含义相同,直接公开了该特征。
**技术特征C:所述发光器件位于所述封装主体的腔体中** <br> **《隐含公开》**对比文件说明书第2b图及第2c图相关描述:先形成“熱導透光絕緣膜層29”包覆晶粒21,再以“封裝材料23”進行封裝。对比文件虽未明确提及“腔体”结构,但通过先形成热导透光绝缘膜层,再以封装材料进行封装,必然会形成一个被封装材料包围的内部空间,晶粒21和热导透光绝缘膜层位于该空间内。该结构隐含了封装主体内部具有容纳发光器件的腔体。
**技术特征D:树脂层** <br> **《未公开》**对比文件说明书第2b图相关描述:“熱導透光絕緣膜層29”。其材料为“择自陶瓷复合材料、类钻碳材料、金属氧化物及其组合物所组成之族群中”,例如“氮化硅、碳化硅、氮化钛、氧化铝、二氧化硅,二氧化钛、氧化锆……”。对比文件中的“热导透光绝缘膜层”是一种高导热、无机绝缘材料,并非树脂材料。其功能和组成与目标专利中用于密封并含有低导热性特征的“树脂层”截然不同。目标专利中的树脂层(包封层)是低导热性,而对比文件的膜层是高导热性,两者作用相反。因此,该特征未被公开。
**技术特征E:所述树脂层用于覆盖所述发光器件** <br> **《未公开》**对比文件说明书第2b图相关描述:“一熱導透光絕緣膜層29,形成於上述晶粒21所露出之表面……且此一熱導透光絕緣膜層29完全包覆上述晶粒21”。对比文件公开了“热导透光绝缘膜层”覆盖晶粒,但该膜层已被判断为不同于“树脂层”。因此,虽然覆盖功能存在,但由于对应的技术特征D(树脂层)未公开,本特征也随之未被公开。
**技术特征F:第一电极和第二电极** <br> **《隐含公开》**对比文件说明书第3图相关描述:散熱承座24、導線架25。对比文件中的“散热承座24”和“导线架25”作为与晶粒电性连接并承载电流的金属部件,实质上起到了电极的作用。虽然名称不同,但本领域技术人员可以理解其功能等同于目标专利中的第一和第二电极。
**技术特征G:所述第一电极和第二电极连接到所述发光器件** <br> **《直接公开》**对比文件说明书第3图相关描述:“分別利用一第一導線22a及第二導線22b接合二極體晶粒上之第一型電極於上述散熱承座24、第二型電極於一導線架25上,已完成電性連結的步驟”。对比文件明确描述了通过导线将晶粒的电极分别连接到散热承座(第一电极)和导线架(第二电极),实现了电性连接,直接公开了该特征。
**技术特征H:其中,所述封装主体包括这样的材料** <br> **《隐含公开》**对比文件说明书第2c图相关描述:“一封裝材料23……環氧樹脂、壓克力、聚苯乙烯或聚苯烯等熱固性樹脂”。对比文件公开了封装材料为环氧树脂等热固性树脂,这些材料是典型的低导热性材料。结合本领域公知常识,树脂类封装材料的导热性通常远低于金属或陶瓷材料。虽然没有明确“导热性更低”的表述,但鉴于其材料类型,本领域技术人员可以合理推断封装主体包含低导热性材料。
**技术特征I:所述材料的导热性比构成所述树脂层的材料的导热性更低** <br> **《直接公开》**对比文件说明书关于“熱導透光絕緣膜層29”的描述:“其材質係為熱導係數大於樹脂之絕緣透光材料”。以及“封裝材料23……環氧樹脂……”。对比文件明确揭示了“热导透光绝缘膜层”的导热系数大于树脂,而“封装材料”正是树脂类材料。因此,封装材料(低导热性)的导热性必然低于热导透光绝缘膜层(高导热性)。由于目标专利中的“树脂层”功能与对比文件中的“热导透光绝缘膜层”功能相似(均覆盖发光器件),可认为两者对应。因此,该特征被直接公开。
**技术特征J:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述树脂层的材料之间的导热性的差值至少是10W/m.k** <br> **《未公开》**对比文件说明书全文未提及任何关于导热性差值的具体数值或范围,如“10W/m.k”或类似描述。对比文件仅定性描述了“热导透光绝缘膜层”的导热系数大于树脂,但未给出任何定量数值,更未涉及二者之间导热性差值的具体范围。因此,该特征未被公开。
**技术特征K:其中,所述发光器件安装在所述第一电极上** <br> **《隐含公开》**对比文件说明书第3图相关描述:“將一完成磊晶步驟之二極體晶粒21置裝在一散熱承座24上之一固晶面20”。对比文件中,晶粒21直接安装在散热承座24上。由于散热承座24已被认定为第一电极,因此该特征隐含了发光器件安装在第一电极上的结构。
**技术特征L:所述封装主体设置在所述第一电极和第二电极上。** <br> **《隐含公开》**对比文件说明书第2c图及第3图相关描述:“以一封裝材料23,封裝上述晶粒21、散熱承座24及導線架25,使上述散熱承座24及導線架25之接腳裸露”。对比文件中,封装材料23包覆了散热承座24和导线架25,但使其接脚部分裸露。这隐含了封装主体(封装材料)是设置在电极(散热承座和导线架)的上方或部分表面上的。
**技术特征M:其中,所述树脂层放置在所述封装主体的腔体中。** <br> **《未公开》**对比文件说明书第2c图相关描述:“以一封裝材料23,封裝上述晶粒21、散熱承座24及導線架25”。如特征C所述,虽然对比文件隐含了腔体结构,但置于该腔体中的是“热导透光绝缘膜层”,而非目标专利的“树脂层”。由于“树脂层”这一特征本身未被公开,本特征也随之未被公开。
**技术特征N:其中,所述第一和第二电极的导热性高于所述树脂层的导热性。** <br> **《未公开》**对比文件说明书描述了“散熱承座24”和“導線架25”通常为金属材料,具有高导热性;而“树脂层”对应的“热导透光绝缘膜层29”是由“陶瓷复合材料、类钻碳、金属氧化物”等高导热材料构成。目标专利的“树脂层”是低导热材料,而对比文件的膜层是高导热材料。在对比文件中,电极为金属(高导热),膜层也为高导热材料(如陶瓷、类钻碳等),其导热性可能高于或低于金属,但通常低于金属。然而,由于“树脂层”的概念在对比文件中不存在,且其功能对应物(热导透光绝缘层)的导热性并非低,因此该特征未被公开。
**技术特征O:其中,所述第一电极连接到所述发光器件的下部。** <br> **《隐含公开》**对比文件说明书第4图相关描述:“將一完成磊晶步驟之二極體晶粒31置裝在一散熱承座34上之一固晶面30,使位於晶粒底部之第一電極與上述散熱承座34電性接觸”。对比文件明确描述了晶粒31底部的电极(第一电极)与散热承座34(第一电极)电性接触,实现了第一电极连接到发光器件的下部,隐含公开了该连接关系。
**技术特征P:其中,所述第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金。** <br> **《未公开》**对比文件说明书未明确提及“散热承座”和“导线架”的具体材质,仅描述其通常为金属材料,可能具有散热片。虽然金属材料是常见的,但对比文件未限定其具体为铜、铝或其合金。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出其必须包括铜或铝合金的结论。因此,该特征未被公开。
**技术特征Q:还包括放置在所述树脂层上的透镜部。** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及任何透镜或透镜部的结构。对比文件没有公开任何形式的透镜或透镜部,该特征完全未被公开。
**技术特征R:其中,所述封装主体包括这样的材料** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及透镜部,也未基于透镜部来限定封装主体的材料。由于特征Q(透镜部)未公开,本特征R与其关联,因此也未被公开。
**技术特征S:所述材料的导热性低于构成所述透镜部的材料的导热性。** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及透镜部,因此无法进行导热性比较。由于特征Q(透镜部)未公开,本特征S与其关联,因此也未被公开。
**技术特征T:其中,所述树脂层包括至少一种磷光体。** <br> **《直接公开》**对比文件说明书关于“熱導透光絕緣膜層29”的描述:“此熱導透光絕緣膜層亦可包含一介質磷光粉(DPP)摻雜其中,當上述介質磷光粉(DPP)吸收一部份藉由發光元件所放射的光並放射出一波長不同於上述吸收光波長的光”。对比文件明确公开了“热导透光绝缘膜层”可以掺杂磷光粉(磷光体),用于波长转换。虽然该膜层不是树脂,但考虑到目标专利的“树脂层”功能(包封、波长转换)与对比文件的膜层类似,可认为该特征在“包含磷光体”这一点上被直接公开。
**技术特征U:其中,所述腔体包括第一腔体** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及将腔体划分为第一腔体和第二腔体的结构。对比文件没有公开关于腔体结构的任何划分,该特征未被公开。
**技术特征V:所述第一腔体填充有所述树脂层** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及第一腔体,也未提及将树脂层填充于特定腔体内。由于特征U(第一腔体)未公开,本特征V与其关联,因此也未被公开。
**技术特征W:和第二腔体** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及第二腔体。对比文件没有公开任何关于第二腔体的结构,该特征未被公开。
**技术特征X:所述第二腔体填充有所述透镜部。** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及第二腔体和透镜部。由于特征W(第二腔体)和特征Q(透镜部)均未公开,本特征X与其关联,因此也未被公开。
**技术特征Y:其中,所述第二腔体的直径大于所述第一腔体的直径。** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及任何关于腔体直径的比较。对比文件没有公开任何关于腔体尺寸或直径比较的特征,该特征未被公开。
**技术特征Z:其中,构成所述封装主体的材料和构成所述透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k。** <br> **《未公开》**对比文件全文未提及透镜部,也未提及任何关于导热性差值的具体数值。由于特征Q(透镜部)未公开,且未公开任何导热性差值,本特征Z未被公开。

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