对比文件的名称：2009-03-26_JP2009513003A_发明专利_JP2009513003A It led with a light-transmitting heat sink
目标专利的名称：1805发光器件封装CN102082223B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A：包括封装主体<br>《隐含公开》 | 图9及相关描述：“支持框架104包围LED芯片108，并与基板106良好热接触……透光性散热器102与LED芯片108的顶部表面接触，并与支持框架104桥接形成封闭空间。” | 对比文件虽未直接使用“封装主体”一词，但其公开的基板、支撑框架和透光性散热器共同包围LED芯片，形成封装结构，本领域技术人员可以合理推断该组件相当于封装主体，因此隐含公开。 |
| B：发光器件<br>《直接公开》 | 第[0023]段：“高出力LED芯片14” | 对比文件明确公开了“高出力LED芯片”，即发光器件，因此直接公开。 |
| C：所述发光器件位于所述封装主体的腔体中<br>《直接公开》 | 图9：“支持框架104包围LED芯片108，并与基板106形成内部空间。” | 对比文件公开了LED芯片被包围在基板、支撑框架和透光性散热器形成的内部空间中，该空间即为腔体，因此直接公开。 |
| D：树脂层<br>《直接公开》 | 第[0023]段：“硅树脂29” | 对比文件明确公开了硅树脂作为填充材料，该材料属于树脂层，因此直接公开。 |
| E：所述树脂层用于覆盖所述发光器件<br>《隐含公开》 | 第[0023]段：“透光性散热器12、LED14、基板20与支撑框架26之间的任何开放容量，均可填充适当的导热且透光的填充材料，例如硅树脂29。” | 对比文件公开了硅树脂填充在LED芯片周围的空隙，必然会覆盖LED芯片的至少部分区域，本领域技术人员可合理推断该树脂层覆盖了发光器件，因此隐含公开。 |
| F：第一电极和第二电极<br>《直接公开》 | 第[0023]段：“至少一个电气连接部22和第二电气连接部24” | 对比文件明确公开了用于供电的电气连接部，即电极，因此直接公开。 |
| G：所述第一电极和第二电极连接到所述发光器件<br>《直接公开》 | 第[0023]段：“LED芯片14与电气连接部22和第二电气连接部24电接触。” | 对比文件明确公开了电极与LED芯片电连接，因此直接公开。 |
| H：其中，所述封装主体包括这样的材料<br>《直接公开》 | 第[0023]段：基板20可以是“印刷电路板、金属核电路板、陶瓷基板、铜基板或铝基板等”，支撑框架26可以是金属，透光性散热器12是陶瓷等。 | 对比文件公开了封装主体的各组成部分由具体材料形成，即封装主体包括材料，因此直接公开。 |
| I：所述材料的导热性比构成所述树脂层的材料的导热性更低<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件中，封装主体（基板、框架等）通常采用高导热性材料（如铜、铝、陶瓷），其导热性显著高于硅树脂（约0.2W/mK），因此未公开封装主体导热性低于树脂层这一特征。 |
| J：其中，构成所述封装主体的材料和构成所述树脂层的材料之间的导热性的差值至少是10W/m.k<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件未提及任何导热性差值，更不能推导出至少10W/m.k的差值，因此未公开。 |
| K：其中，所述发光器件安装在所述第一电极上<br>《隐含公开》 | 图1及描述：LED芯片14安装在基板20上，基板20上设有电气连接部22、24。 | 对比文件公开了LED芯片安装在基板上，基板包含电极，虽未明确芯片直接安装在电极上，但本领域技术人员根据倒装芯片结构（芯片通过凸点连接至电极）可合理推断其实质上安装在电极上，因此隐含公开。 |
| L：所述封装主体设置在所述第一电极和第二电极上<br>《隐含公开》 | 图1、图9：基板20承载电极，支撑框架26或104设置在基板20上，透光性散热器12设置在上方。 | 对比文件公开了封装主体（基板、框架、散热器）设置在基板（包含电极）上，从而可认为封装主体设置在电极上，因此隐含公开。 |
| M：其中，所述树脂层放置在所述封装主体的腔体中<br>《直接公开》 | 第[0023]段：硅树脂29填充在透光性散热器12、LED14、基板20和支撑框架26之间的空隙（即腔体）。 | 对比文件明确公开了硅树脂填充在腔体中，因此直接公开。 |
| N：其中，所述第一和第二电极的导热性高于所述树脂层的导热性<br>《隐含公开》 | 第[0023]段：电极由金属构成，硅树脂导热性低。 | 本领域技术人员公知金属电极的导热性远高于硅树脂，对比文件虽未明确比较，但该特征属于本领域常识，因此隐含公开。 |
| O：其中，所述第一电极连接到所述发光器件的下部<br>《直接公开》 | 图1及描述：LED芯片14为倒装芯片，其下部通过凸点连接到基板上的电气连接部。 | 对比文件公开了LED芯片的下部与电极连接，因此直接公开。 |
| P：其中，所述第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金<br>《隐含公开》 | 第[0023]段背景：铜等导电材料；基板可以是铜基板或铝基板。 | 对比文件公开了基板可以是铜或铝，虽未明确电极具体材料，但本领域技术人员可合理推断电极由铜或铝等金属制成，因此隐含公开。 |
| Q：还包括放置在所述树脂层上的透镜部<br>《未公开》 | 图5、图6：透光性散热器本身形成透镜形状，但直接接触LED芯片，不在树脂层上。 | 对比文件中的透光性散热器兼具散热和透镜功能，但其直接接触LED芯片，而不是放置在树脂层之上。对比文件未公开在树脂层上额外设置透镜部的结构，因此未公开。 |
| R：其中，所述封装主体包括这样的材料<br>《直接公开》 | 同特征H。 | 同特征H，对比文件公开了封装主体由各种材料构成，因此直接公开。 |
| S：所述材料的导热性低于构成所述透镜部的材料的导热性<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件未公开封装主体与透镜部材料的导热性比较，且通常封装主体材料（如铜、铝）导热性可能高于透镜部（如AlN, 200W/mK），因此未公开本特征。 |
| T：其中，所述树脂层包括至少一种磷光体<br>《未公开》 | 第[0023]段提到“荧光体涂覆的芯片”，但树脂层未提及。 | 对比文件仅在LED芯片层面提及荧光体，未在树脂层中包含磷光体，因此未公开。 |
| U：其中，所述腔体包括第一腔体<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件仅有一个腔体（内部空间），未公开两个腔体的结构，因此未公开。 |
| V：所述第一腔体填充有所述树脂层<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件未公开第一腔体的概念，因此未公开。 |
| W：和第二腔体<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件未公开第二腔体，因此未公开。 |
| X：所述第二腔体填充有所述透镜部<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件未公开第二腔体填充透镜部，因此未公开。 |
| Y：其中，所述第二腔体的直径大于所述第一腔体的直径<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件未公开任何腔体直径比较，因此未公开。 |
| Z：其中，构成所述封装主体的材料和构成所述透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k<br>《未公开》 | 无直接引用。 | 对比文件未公开任何导热性差值，更未公开0.01W/m.k的差值，因此未公开。 |
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