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**对比文件名称**:JP2004235584A_Description_20260304_2018

**目标专利名称**:190具有变化厚度的电感器CN105493208B

**本次调用的模型名称**:深度思考分析模型

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**特征A**:包括:基板。<br>《直接公开》【0024】段:“樹脂材料または樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料でなる層上に導体層を形成してなる基板を積層し、素子を内蔵形成した積層電子部品モジュ−ルであって”<br>【0038】段:“金属箔2A上に前記ペ−ストをドクタ−ブレ−ド法等により塗布し、乾燥して絶縁層4Aを形成する。”对比文件明确公开了“基板”,其作为支撑结构,用于承载和形成电感器等电子元件(如【0024】段的“基板”和【0038】段的“金属箔2A”作为基底)。该基板在对比文件中的作用与目标专利中作为螺旋电感器支撑体的基板作用相同。因此,本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。
**特征B**:以及布置在所述基板上的螺旋电感器,所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器。<br>《未公开》【0015】段:“前記インダクタンス素子はヘリカルコイルからなり”<br>【0035】段:“1は矩形ヘリカル状に構成されたコイルであり”对比文件公开了布置在基板上的“ヘリカルコイル”(螺旋线圈/螺旋电感器)。然而,“梯度层堆叠电感器”在目标专利中指电感器在垂直于基板方向上的厚度沿着螺旋路径(如最内匝)连续或逐渐变化(梯度增大),如图2和说明书【0013】、【0036】段所述。对比文件描述的螺旋电感器由“ニ字形導体”(U形导体)和“橋架導体”(桥接导体)构成,其导体厚度由金属箔或金属板的厚度决定,说明书未提及导体厚度沿螺旋路径变化,也未提及“梯度层堆叠”结构。对比文件关注通过沟槽加工形成高精度线圈,其导体层是均匀厚度的堆叠。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出“梯度层堆叠电感器”的技术方案。
**特征C**:其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度。<br>《未公开》【0015】段:“コイルの1タ−ン分は4辺のうちの2辺が前記積層体に複数の貫通溝加工または有底溝加工とその底部除去を行うことによりニ字形に形成され”<br>【0035】段:“コイル1は4辺のうちの2辺を構成する複数個のニ字形導体2a、2bと、他の2辺を構成し…橋架導体3a、3bとからなる。”对比文件公开了螺旋线圈及其匝的构成(U形导体和桥接导体)。但目标专利的“最内匝的第一部分具有第一厚度”是梯度层堆叠结构的组成部分,指最内匝特定区域在垂直方向上的特定厚度。对比文件未描述线圈的“最内匝”或任何匝的特定“第一部分”具有一个垂直于基板的“第一厚度”。其导体厚度由加工所用金属箔/板的均匀厚度决定,未体现匝内厚度变化。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征D**:,所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度。<br>《未公开》同特征C引用。与特征C同理,目标专利的“最内匝的第二部分具有第二厚度”是梯度层堆叠结构的另一组成部分。对比文件未描述最内匝的不同部分具有不同的垂直厚度。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征E**:其中所述第二厚度大于所述第一厚度。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中“第二厚度大于第一厚度”是梯度层堆叠的核心特征之一,表示最内匝上不同部分厚度不同且第二部分更厚。对比文件完全未提及线圈导体厚度在匝内或匝间存在变化,更未提及第二部分厚度大于第一部分。其制造方法涉及均匀厚度的金属箔层压和沟槽加工,未提供改变单匝内导体垂直厚度的教导。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征F**:所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中“最内匝的第三部分具有第三厚度”是梯度层堆叠结构的进一步细化。对比文件无此描述。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征G**:其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中“第三厚度大于第一厚度和第二厚度”是厚度梯度增大的具体体现。对比文件无此描述。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征H**:并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中该特征是对“梯度层堆叠电感器”的进一步定义,明确厚度在最内匝内沿一定路径梯度增大,是核心创新点。对比文件完全未公开或暗示线圈的垂直厚度会沿着最内匝(或任何匝)梯度变化。其发明目的和制造方法指向形成高精度、均匀导体的螺旋线圈,与梯度厚度设计背道而驰。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征I**:其特征在于:所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋,其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋,所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋,所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分,并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未公开》【0015】、【0035】段(同特征C引用)描述了螺旋线圈由U形导体和桥接导体构成。目标专利中该特征描述了实现厚度变化的一种具体阶梯状层堆叠结构,涉及两个独立的导电螺旋层(一个覆盖另一个)以及它们在最内匝、最外匝特定区域的构成关系。对比文件公开的螺旋线圈是单层结构:U形导体(在层压体中通过沟槽加工形成)和桥接导体(在表面图案化形成)共同构成一个单一线圈的导电路径,而不是两个独立的螺旋层堆叠。对比文件未描述“第一导电螺旋覆盖第二导电螺旋”的堆叠关系,也未描述最内匝不同部分由不同螺旋层构成且部分区域缺少上层螺旋。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征J**:其特征在于,所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中该特征是阶梯层堆叠结构的具体尺寸关系,用于实现厚度阶梯。对比文件不存在两个独立的导电螺旋,因此也不存在它们长度的比较。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征K**:其特征在于,所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层,其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中该特征是在两个螺旋层之间加入导电层以实现更精细厚度阶梯的扩展特征。对比文件没有公开在两个螺旋层之间设置导电层,也没有公开最内匝的第二部分由下层螺旋和中间导电层构成且不含上层螺旋的结构。其螺旋线圈是单一的导体路径。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征L**:其特征在于,所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中该特征是对中间导电层形状的进一步限定。对比文件没有这样的导电层。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征M**:其特征在于,所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中该特征是对导电层功能的可能限定。对比文件没有这样的导电层。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。
**特征N**:其特征在于,进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《隐含公开》【0038】段:“金属箔2A上に前記ペ−ストをドクタ−ブレ−ド法等により塗布し、乾燥して絶縁層4Aを形成する。”<br>【0035】段:“ニ字形導体2a、2a間、および2b、2b間には図2(B)に示すように絶縁層4が介在する。”目标专利中“钝化层”是形成在两个螺旋层之间的绝缘层。对比文件明确公开了在导体层(如金属箔2A)之间形成“絶縁層”(绝缘层,如4A、4),其作用是电隔离导体层,构成层压体基材的一部分。虽然对比文件的绝缘层是构成基板材料的一部分,并非专门位于两个螺旋层之间(因为对比文件不存在两个独立的螺旋层),但在非常宽松的隐含公开判断标准下,对比文件部分公开了“在导体层之间使用绝缘材料”这一技术手段。本领域技术人员有可能通过推理,认为在需要绝缘的导体层(可类比为螺旋层)之间设置绝缘层是常见的。因此,可以认为该技术特征被对比文件隐含公开。但需注意,该特征在对比文件中的作用(构成基板)与在目标专利中的作用(隔离两个特定的螺旋层)在具体结构位置上有所不同。
**特征O**:其特征在于,所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《未公开》【0092】段:“ビアホ−ル63およびビルドアップ層59のビアホ−ル64および配線パタ−ン65によってモジュ−ル66内のその他の素子あるいはコア基板57内の他の素子、さらにはベアチップ62等と接続されている。”目标专利中该特征是通过通孔连接两个螺旋层的具体方式。对比文件公开了使用“ビアホール”(通孔)进行层间电连接的一般技术手段(如【0092】段)。然而,该特征明确限定了通孔用于连接“第二导电螺旋”和“第一导电螺旋”。由于对比文件未公开两个独立的螺旋层(特征I未公开),因此本领域技术人员无法从对比文件中合理推断出用通孔连接两个螺旋层这一具体应用。虽然通孔电连接是公知常识,但该特征是与特定结构紧密结合的。在对比文件未公开该特定结构的前提下,无法认为该特征被对比文件隐含公开。
**特征P**:其特征在于,所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》无相关描述。目标专利中该特征是对梯度增大的另一种描述。对比文件没有描述最内匝厚度变化,更不用说单调递增。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该特征。

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