对比文件名称：US2005157542A1_Description_20260219_0524
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | [0057] "substrates 2, e.g., a Si substrate" <br> [0086] "on a semiconductor substrate 2" | 对比文件明确公开了基板（如硅基板）作为磁阻元件的支撑结构，其作用与目标专利中承载螺旋电感器的基板作用相同，都是为器件提供物理支撑和电气基础。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器 | 对比文件中未公开相关内容。 | 对比文件涉及磁阻元件（如TMR元件）及其在磁性存储器（MRAM）中的应用，其核心是磁电阻效应。目标专利的“螺旋电感器”是一种用于存储磁场能量的被动元件，其“梯度层堆叠”结构旨在通过厚度变化优化涡流损耗。两者属于完全不同的技术领域，具有不同的结构、功能和工作原理。对比文件未公开任何关于螺旋形状电感器或梯度层堆叠电感器的内容，本领域技术人员无法从中推理得出该技术特征。 |
| 技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度 | 对比文件中未公开相关内容。 | 目标专利的“最内匝”是螺旋电感器的特定结构特征。对比文件中的磁阻元件为平面层状结构（如铁磁层/中间层/铁磁层），其图案（如椭圆形、矩形）旨在控制磁各向异性，但并未构成“螺旋”或“匝”。因此，对比文件未公开“最内匝”或其任何部分具有特定厚度的技术特征。 |
| 技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度 | 对比文件中未公开相关内容。 | 同特征C，对比文件未公开螺旋电感器的“最内匝”或其不同部分具有不同厚度的技术方案。 |
| 技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度 | 对比文件中未公开相关内容。 | 目标专利的核心在于电感器厚度从内到外变化（如递增）以降低电阻。对比文件中的多层膜结构（如铁磁层、中间层）虽然具有厚度，但说明书未提及这些层的厚度在元件平面内（即垂直于基板的方向上）存在从中心到边缘的梯度变化或阶梯变化。对比文件关注的是材料的磁性和图案形状对磁特性的影响，而非层厚在平面内的变化。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度 | 对比文件中未公开相关内容。 | 同特征C和D，对比文件未公开螺旋电感器“最内匝”的多个部分及其厚度特征。 |
| 技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度 | 对比文件中未公开相关内容。 | 同特征E，对比文件未公开任何关于层厚在元件平面内变化且特定部分厚度更大的技术方案。 |
| 技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。 | 对比文件中未公开相关内容。 | 目标专利的“梯度层堆叠”是指电感器厚度在（最内匝）平面内连续或非连续地增大。对比文件完全没有涉及此类层厚在平面内的梯度变化设计。其讨论的“梯度”可能涉及材料成分或磁性，而非物理厚度在空间上的变化。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。 | 对比文件中未公开相关内容。 | 该特征详细定义了螺旋电感器由多个导电螺旋堆叠构成及其在匝内的覆盖关系和组成。对比文件中的层状结构（如铁磁层、中间层、保护层）是为了实现磁电阻效应，其材料（如CoFeB、PtMn、Al2O3）和功能与目标专利中用于传导电流、产生磁场的“导电螺旋”完全不同。对比文件没有公开任何“螺旋”形状的导电层，也没有公开这些层以覆盖关系构成电感器匝的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。 | 对比文件中未公开相关内容。 | 该特征涉及不同导电螺旋的长度比较。对比文件未公开任何导电螺旋结构，因此也无法公开其长度的比较关系。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。 | 对比文件中未公开相关内容。 | 对比文件中存在“中间层”（intermediate layer 6，如隧道势垒层）和“非磁性导电层”（nonmagnetic conductive layer 5c，如Ru层），但这些层的作用是提供隧道效应或实现层间反铁磁耦合，而非作为电感器中的附加导电通路。目标专利的“导电层”是电感器导电路径的一部分。两者作用不同，且对比文件未将其置于螺旋结构或特定匝的部分中。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。 | 对比文件中未公开相关内容。 | 对比文件未公开任何“螺旋”形状的层，无论是连续还是非连续。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。 | 对比文件中提到了“word line”和“bit line”以及“terminal pads”（见[0112]段及图8）。 | 对比文件公开了字线、位线和端子焊盘，这些是用于向磁阻元件施加电流和信号的导线。虽然它们可被视为“输入/输出引线”，但其作用是与磁阻元件连接以进行读写操作，而非作为螺旋电感器内部导电层的一部分或延伸。目标专利的引线是直接连接到螺旋电感器端点以输入/输出电流的。两者作用相似（电连接），但所属的器件结构和上下文完全不同。从宽松的隐含公开判断标准看，本领域技术人员有可能从对比文件的布线中推断出器件需要引线进行电连接。因此，该特征被判断为隐含公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。 | 对比文件中有“protecting layer 8”（保护层，如Ta层），见[0058], [0108]段。 | 对比文件公开了在层状结构顶部形成保护层（top coat layer），其作用是保护下方元件。目标专利的“钝化层”位于两个导电螺旋之间，起到绝缘和机械隔离的作用。虽然两者都是介电或钝化材料层，但在器件中的位置和作用不同。从宽松标准看，保护层可视为一种钝化措施，本领域技术人员有可能推理出在多层结构中可能需要层间绝缘/钝化层。因此，该特征被判断为隐含公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。 | 对比文件中有“contact holes 18”和“conductive plug 19”（接触孔和导电插塞），用于连接不同层，如连接漏极区域与上方的层（见[0089]-[0091]段）。 | 对比文件公开了通过接触孔和导电插塞实现垂直方向电连接的技术手段。目标专利的通孔用于连接不同导电螺旋。虽然连接的具体对象不同（晶体管与磁阻元件 vs. 电感器内部螺旋），但“通过穿过绝缘层的通孔实现层间电连接”这一基本技术手段是相同的。本领域技术人员有可能从对比文件中推理出使用通孔进行电连接。因此，该特征被判断为隐含公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。 | 对比文件中未公开相关内容。 | 同特征E和H，对比文件未公开任何关于元件厚度在平面内（即垂直于基板的方向上，沿某一方向）单调递增的技术方案。 |
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