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CN102231313A_Description_20260304_2015_+++E_O_a_c_d_n_p+++.docx
2026-03-10 15:49
CN102522181A_Description_20260219_0409_+++A_O_n+++.docx
2026-03-10 15:49
EP3039693A1_Description_20260304_2019_+++A_B_C_D_E_F_G_J_K_L_N_P_h_i_o+++.docx
2026-03-10 15:49
JP2004235584A_Description_20260304_2018_+++A_n+++.docx
2026-03-10 15:49
JP2005223261A_Description_20260219_0423_+++O_a_n+++.docx
2026-03-10 15:49
JP2006019506A_Description_20260219_0610_+++A_n+++.docx
2026-03-10 15:49
KR100946036B1_Description_20260304_2015_+++N_O+++.docx
2026-03-10 15:49
US5095357A_Description_20260219_0514_+++A_n+++.docx
2026-03-10 15:49
US5831331A_Description_20260219_0504_+++A_N_O_c_d_e_f_g_i_j_p+++.docx
2026-03-10 15:49
US6169470B1_Description_20260219_0432_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:49
US6714112B2_Description_20260219_0558_+++A_N_O+++.docx
2026-03-10 15:49
US6801114B2_Description_20260219_0636_+++A_N_O+++.docx
2026-03-10 15:49
US6870457B2_Description_20260219_0537_+++A_K_N_O+++.docx
2026-03-10 15:49
US7064411B2_Description_20260219_0559_+++A_N_O+++.docx
2026-03-10 15:49
US7808358B2_Description_20260219_0546_+++A_O_b_c_d_n+++.docx
2026-03-10 15:49
US9001031B2_Description_20260219_0556_+++A_O_n+++.docx
2026-03-10 15:49
US2002057176A1_Description_20260219_0615_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:49
US2002113682A1_Description_20260219_0544_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:49
US2002132383A1_Description_20260219_0642_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:49
US2004104449A1_Description_20260219_0516_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:49
US2004207504A1_Description_20260304_2019_+++A_O_n+++.docx
2026-03-10 15:49
US2005104158A1_Description_20260219_0443_+++A_N_O_b_c_d_e_f_g_h_i_p+++.docx
2026-03-10 15:49
US2005157542A1_Description_20260219_0524_+++A_m_n_o+++.docx
2026-03-10 15:49
US2006284719A1_Description_20260219_0609_+++A_N_O_b_c_d_e_f_g_h_i_j_p+++.docx
2026-03-10 15:49
US2007247269A1_Description_20260219_0622_+++A_O_n+++.docx
2026-03-10 15:49
US2007249078A1_Description_20260219_0455_+++A_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2008157913A1_Description_20260219_0352_+++A_N_O_b_c_d_e_f_g_h_i_p+++.docx
2026-03-10 15:50
US2008169895A1_Description_20260219_0546_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:50
US2008174396A1_Description_20260219_0448_+++A_O_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2008224971A1_Description_20260219_0703_+++A_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2008272875A1_Description_20260219_0453_+++A_O_c_d_f_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2009085708A1_Description_20260219_0431_+++A_j_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2009146770A1_Description_20260219_0441_+++A_O_k_l_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2009243749A1_Description_20260219_0526_+++A_O_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2009322458A1_Description_20260219_0435_+++C_D_a_b_e_f_g_h_n_p+++.docx
2026-03-10 15:50
US2010109123A1_Description_20260219_0542_+++A_M_N_O_i_j_k+++.docx
2026-03-10 15:50
US2011133875A1_Description_20260219_0627_+++O_a_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2011133879A1_Description_20260219_0357_+++O_a_j_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2011291786A1_Description_20260219_0618_+++A_b_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2012075216A1_Description_20260219_0621_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:50
US2012188047A1_Description_20260219_0616_+++A_E_G_N_O_b_c_d_f+++.docx
2026-03-10 15:50
US2012235969A1_Description_20260219_0440_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:50
US2012244802A1_Description_20260219_0520_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:50
US2013057343A1_Description_20260219_0617_+++A_n+++.docx
2026-03-10 15:50
US2013106554A1_Description_20260219_0538_+++A_N_O+++.docx
2026-03-10 15:50
US2014138792A1_Description_20260219_0628_+++A_N_O+++.docx
2026-03-10 15:50
US2014266494A1_Description_20260219_0635_+++A_n_o+++.docx
2026-03-10 15:50
US2015061813A1_Description_20260219_0555_+++A_B_C_D_E_K_L_P_f_g_h_i_j_m_n_o+++.docx
2026-03-10 15:50
US2015304059A1_Description_20260219_0557_+++A_c_d_f_n_o+++.docx
2026-03-10 15:50
US2011133879A1_Description_20260219_0357_+++O_a_j_n+++.docx

对比文件名称:US2011133879A1_Description_20260219_0357

目标专利名称:190具有变化厚度的电感器CN105493208B

模型名称:DeepSeek-R1

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:包括:基板**<br>**《隐含公开》**未直接提及“基板”,但文件涉及“on-chip(片上)”电感器制造(参见[0002], [0004]段),并且在描述制造工艺时提及使用传统RFIC工艺及金属层(参见[0024]段)。本领域技术人员公知,集成电路(IC)芯片上的元件(如电感器)是制作在半导体基板(如硅基板)之上的。对比文件通篇描述的是“on-chip(片上)”电感器,这必然意味着存在一个承载电感器结构的基板。因此,基板的存在是本领域技术人员阅读对比文件后能够毫无疑义地、必然地推断出的技术特征,属于隐含公开。
**技术特征B:以及布置在所述基板上的螺旋电感器,所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器,**<br>**《未公开》**1. “a stacked inductor, which includes: a top layer metal coil, and at least two lower layer metal coils, the metal coils being aligned with each other”([0008]段)。<br>2. “The stacked inductor of the present invention has a multi-layer structure, which includes at least three layers of metal coils. ... The at least three metal coils are aligned with each other in the vertical direction.”([0017]段)。对比文件公开了布置在芯片(即基板)上的“堆叠电感器(stacked inductor)”,该电感器由多个垂直对齐的金属线圈层堆叠而成,这与“布置在基板上的螺旋电感器”相对应。然而,对比文件描述的堆叠电感器,其每一层金属线圈本身是均匀厚度的(例如,顶部金属层厚3μm,下层金属层通过并联多层金属线来等效增加厚度,但每层线圈自身的厚度是均匀的),其目的是通过并联来增加下层线圈的等效厚度以降低电阻(参见[0009], [0019]段),并未描述或暗示电感器的厚度沿着其螺旋路径(特别是最内匝)呈现连续的、非阶梯式的“梯度(gradient)”变化。目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指厚度从最内匝到最外匝或沿最内匝本身梯度(连续)增大的结构,其技术构思和作用(优化涡流损耗分布)与对比文件不同。因此,对比文件未公开“梯度层堆叠电感器”这一特定类型。
**技术特征C:其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>**《未公开》**1. “each of the lower layer metal coils is consisted of plural layers of metal lines which are interconnected.”([0008]段)。<br>2. “the lower layer metal coils other than the top layer metal coil are consisted of two layers of metal lines interconnected through slots. The metal lines have the same shape, and are vertically aligned with each other.”([0018]段)。对比文件公开了下层金属线圈由多层(如两层或三层)并联的金属线组成,以增加其等效厚度(参见[0009], [0019]段)。然而,对比文件并未描述或区分螺旋电感器“最内匝”的“第一部分”这一具体位置,也未记载该特定部分具有一个特定的“第一厚度”。对比文件关注的是整个线圈层(如下层线圈)由多层金属并联构成,从而具有一个比单层更厚的、但整体上均匀的厚度。目标专利中“最内匝的第一部分具有第一厚度”是定义梯度变化起始点的特定技术特征,对比文件没有涉及。
**技术特征D:,所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度,**<br>**《未公开》**同上。同理,对比文件未描述或区分螺旋电感器“最内匝”的“第二部分”这一具体位置,也未记载该特定部分具有一个特定的“第二厚度”。
**技术特征E:其中所述第二厚度大于所述第一厚度,**<br>**《未公开》**同上。由于对比文件未公开“最内匝的第一部分”和“最内匝的第二部分”分别具有不同的厚度“第一厚度”和“第二厚度”,因此也就不存在“第二厚度大于第一厚度”这一比较关系的公开。
**技术特征F:所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度,**<br>**《未公开》**同上。同理,对比文件未描述或区分螺旋电感器“最内匝”的“第三部分”这一具体位置,也未记载该特定部分具有一个特定的“第三厚度”。
**技术特征G:其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度,**<br>**《未公开》**同上。由于对比文件未公开“第一厚度”、“第二厚度”和“第三厚度”,因此也不存在“第三厚度大于第一厚度和第二厚度”这一比较关系的公开。
**技术特征H:并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。**<br>**《未公开》**对比文件描述了通过将多层金属线并联来增加下层线圈的厚度([0009], [0019]段),但未提及厚度沿线圈路径(特别是最内匝)连续变化。这是目标专利的核心发明点之一。对比文件公开的堆叠电感器,其不同层(顶部、第二层、第三层)的厚度可能不同(例如,顶部层厚3μm,下层由多层薄金属并联等效为更厚),但这是层与层之间的阶梯式厚度差异。目标专利要求保护的是在“最内匝”这一单匝线圈的路径上,厚度从“第一部分”到“第三部分”呈现“梯度(gradient)”式连续增大。这种在同一匝内厚度连续变化的结构,其技术效果在于更精细地调控涡流损耗分布。对比文件完全没有提及或暗示这种在同一匝内厚度连续渐变的技术方案。
**技术特征I:其特征在于:所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋,其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋,所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋,所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分,并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。**<br>**《未公开》**1. “a stacked inductor, which includes: a top layer metal coil, and at least two lower layer metal coils”([0008]段)。<br>2. “the inductor coil is winded in such a manner that it starts from one end of the top layer metal coil, ... after one turn, the other end of the top layer metal coil is connected through a via 10 to the peripheral end of the second layer metal coil located below the top layer metal coil; ...”([0018]段)。<br>3. 附图2显示了顶部线圈(1匝)覆盖在下层线圈(各2匝)之上。对比文件公开了包括顶部金属线圈和下层金属线圈的堆叠结构,其中顶部线圈在空间位置上覆盖下层线圈,这可以对应“第一导电螺旋覆盖第二导电螺旋”。然而,对比文件完全没有描述“最内匝”被划分为具有不同覆盖关系的“第一部分”、“第二部分”和“第三部分”。目标专利的特征I限定了在“最内匝”的不同轴向位置(部分),第一和第二导电螺旋的覆盖关系和存在情况不同,这是实现其“梯度厚度”的具体结构手段。对比文件的堆叠线圈中,每个线圈层在其整个路径上是完整且连续的,不存在同一层线圈在不同部分被不同上层线圈选择性覆盖的情况。因此,该具体的覆盖关系结构未被公开。
**技术特征J:其特征在于,所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。**<br>**《隐含公开》**1. “the top layer metal coil has 1 turn. ... The two lower layer metal coils respectively have 2 turns.”([0022]段)。<br>2. 附图2也明确示出顶部线圈为1匝,其下的两个下层线圈各为2匝。对比文件明确公开了顶部金属线圈(可对应于“第一导电螺旋”)有1匝,而(第二层和第三层)下层金属线圈(可对应于“第二导电螺旋”)各有2匝。对于螺旋形线圈,在匝间距(pitch)和线宽相同的情况下,匝数更多的线圈其导电路径的总长度(即“长度”)必然更长。本领域技术人员根据对比文件公开的匝数信息(下层2匝 > 顶部1匝),能够直接且毫无疑义地推断出下层金属线圈的长度大于顶部金属线圈的长度。因此,技术特征J被对比文件隐含公开。
**技术特征K:其特征在于,所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层,其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。**<br>**《未公开》**对比文件在金属层之间提及了“dielectric layer(介电层)”(参见[0024]段)以及用于连接并联金属线的“slots(槽)20”(参见[0025]段),但未提及在两层螺旋线圈之间存在一个功能性的“导电层”。目标专利的特征K限定了在第一和第二导电螺旋之间还存在一个额外的“导电层”,并且该导电层参与了最内匝第二部分的结构构成。对比文件中的“介电层”是绝缘层,并非“导电层”。用于连接并联金属线的“槽”20是通孔结构,用于实现电连接,其本身并非一个独立的、具有特定形状(如螺旋或部分螺旋)的“导电层”。因此,该附加的导电层及其在最内匝特定部分的结构关系未被公开。
**技术特征L:其特征在于,所述导电层包括非连续螺旋。**<br>**《未公开》**未提及。由于特征K中的“导电层”本身未被对比文件公开,因此其具体形态(是否为“非连续螺旋”)更无从谈起。
**技术特征M:其特征在于,所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。**<br>**《未公开》**对比文件提及了电感器的第一端口P1和第二端口P2(参见[0018], [0025]段),这些端口通常与引线连接。但未提及这些引线是集成在特征K所定义的“导电层”中。由于特征K中的“导电层”本身未被对比文件公开,因此其是否包含引线的特征也未被公开。对比文件中的端口P1/P2与线圈的端部连接,但未限定这些端部或引线属于一个特定的、位于两层螺旋之间的“导电层”。
**技术特征N:其特征在于,进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。**<br>**《隐含公开》**“a dielectric layer with a thickness of 0.55 μm is formed between the fifth and the fourth metal layers as well as between the third and the second metal layers.”([0024]段)。在集成电路制造领域,“钝化层(passivation layer)”通常指最顶层用于保护电路的绝缘层,而金属层之间的绝缘层通常称为“介电层(dielectric layer)”或“层间介质(ILD)”。虽然术语上可能存在细微差别,但两者在结构上都起到电气隔离相邻导电层的作用。对比文件明确公开了在金属层(例如,第五和第四金属层之间,第三和第二金属层之间)存在介电层。当将对比文件的顶部金属线圈和下层金属线圈分别对应于目标专利的“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”时,位于它们之间的介电层(如图5所示M6与M5/M4组合层之间)在结构和作用上等同于目标专利中位于两层导电螺旋之间起绝缘作用的“钝化层”。因此,本领域技术人员能够理解对比文件公开了该技术特征。
**技术特征O:其特征在于,所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。**<br>**《直接公开》**1. “adjacent metal coils are connected at the corresponding ends through a via”([0017]段)。<br>2. “the other end of the top layer metal coil is connected through a via 10 to the peripheral end of the second layer metal coil located below the top layer metal coil”([0018]段)。<br>3. 附图2和5明确示出了通孔10连接相邻的金属线圈层。对比文件多次明确记载了相邻的金属线圈层通过“通孔(via)”进行电连接。结合特征N的论述,这些通孔必然延伸穿过位于金属层之间的介电层(即钝化层)。因此,对比文件直接公开了“第二导电螺旋(下层金属线圈)通过延伸穿过钝化层(介电层)的通孔电连接至第一导电螺旋(顶部金属线圈)”这一技术特征。
**技术特征P:其特征在于,所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。**<br>**《未公开》**未提及。该特征是对特征H中“梯度增大”的具体化描述,即厚度沿着最内匝从第一部分到第二部分是持续增大的。如前面分析,对比文件完全没有公开螺旋电感器(特别是其最内匝)的厚度沿着其路径发生变化的概念,更未公开这种“单调递增”的变化方式。

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