对比文件名称：US2009243749A1_Description_20260219_0526
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
本次调用模型名称：深度分析与比对模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**判断结果**：直接公开 | [0040段] “...a balun 200 fabricated in an integrated circuit 200...” <br>（译文：...一个制造在集成电路200中的巴伦200...）<br>结合本领域公知常识，集成电路必然包含基板（如硅衬底）。 | 对比文件公开了一种制造在集成电路（200）中的巴伦（200）。集成电路的制造必然基于一个基板（如硅衬底、半导体晶圆）。虽然对比文件未明确使用“基板”一词，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，集成电路是构建在基板之上的。因此，对比文件直接公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：以及 布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>**判断结果**：未公开 | [0031段] “...the balun 200 comprising a plurality of conductive loops 304a, 306a, 304b, 306b, and 304c arranged in a vertical stack...” <br>（译文：...巴伦200包括多个导电环路304a, 306a, 304b, 306b, 304c，它们以垂直堆叠的方式排列...）<br>[0032段] “...the inductive loops 304 and 306 may be fabricated utilizing transmission line media...” <br>（译文：...电感环路304和306可以利用传输线介质制造...） | 对比文件公开了巴伦（一种变压器/电感器组合）包含多个垂直堆叠的导电环路（loops），这些环路构成螺旋结构。因此，对比文件公开了“布置在基板上的螺旋电感器”（巴伦包含电感成分）。然而，目标专利明确限定该螺旋电感器为“梯度层堆叠电感器”，其核心在于电感器导体的厚度在垂直于基板的方向上，从最内匝到最外匝按照梯度（连续或阶梯式）变化，以优化涡流损耗。对比文件仅描述了环路在不同金属层（402, 404, 406, 408, 410）中堆叠并电连接，但完全没有提及任何环路导体在垂直方向上的厚度变化，更没有提及这种变化是遵循“梯度”的。因此，对比文件未公开“螺旋电感器是梯度层堆叠电感器”这一特定技术特征。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 目标专利的该特征定义了最内匝的特定部分具有一个确定的厚度（第一厚度）。对比文件完全没有描述巴伦中任何环路（无论是最内匝还是其他匝）的导体在垂直于基板方向上的厚度，也没有区分最内匝的不同部分。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 同上，对比文件未描述最内匝导体的厚度，更未区分其不同部分具有不同厚度。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 由于特征C和D的厚度本身未被公开，它们之间的大小关系自然也未被公开。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 同上，对比文件未描述最内匝导体的厚度及其不同部分。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 由于特征C、D、F的厚度本身未被公开，它们之间的大小关系自然也未被公开。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 该特征是目标专利的核心，限定了最内匝导体厚度沿其延伸方向（即在最内匝内）按照梯度（如连续或阶梯式）从第一厚度增大到更大的第三厚度。对比文件完全没有涉及任何关于导体厚度沿螺旋路径变化的内容，无论是梯度变化还是其他变化。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>**判断结果**：未公开 | [0031段] “...the balun 200 comprising a plurality of conductive loops 304a, 306a, 304b, 306b, and 304c arranged in a vertical stack and communicatively coupled via a plurality of vias 302.” <br>（译文：...巴伦200包括多个导电环路304a, 306a, 304b, 306b, 304c，它们以垂直堆叠的方式排列并通过多个通孔302通信耦合。）<br>[0040段] “...the loops 304a, 306a, 304b, 306b, and 304c... may be fabricated in the metal layers 402, 404, 406, 408, and 410, respectively.” <br>（译文：...环路304a, 306a, 304b, 306b, 304c...可以分别制造在金属层402, 404, 406, 408, 410中。） | 对比文件公开了巴伦包含多个垂直堆叠的导电环路（可视为导电螺旋），并通过通孔连接，这暗示了上层螺旋“覆盖”下层螺旋。然而，目标专利的特征I详细限定了第一、第二导电螺旋在最内匝的特定部分（第一部分、第三部分）以及最外匝部分的覆盖关系和包含关系。这种具体到螺旋“端部”和“部分”在不同匝中的分布关系，旨在实现特定的厚度梯度，以解决涡流损耗问题。对比文件仅公开了多个环路整体堆叠并通过通孔连接，用于构成变压器的初级和次级绕组（见[0032]段），并未描述或暗示这些环路在最内匝或最外匝的特定部分具有如特征I所定义的精确覆盖和包含关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 对比文件未描述或比较不同导电螺旋（环路）的长度。图3和图4展示了不同环路在平面上的投影可能大小不同，但并未明确指出这些是螺旋的“长度”，也未具体限定哪一螺旋更长。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 对比文件中的巴伦结构由多个“环路（loops）”或“螺旋（spirals）”通过通孔连接构成，并未提及在两层螺旋之间还存在一个独立的“导电层”，且该导电层具有特定的端部并参与构成最内匝的第二部分。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 由于特征K中的“导电层”本身未被公开，其具体形态（是否为非连续螺旋）自然也未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 由于特征K中的“导电层”本身未被公开，其是否包含引线自然也未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>**判断结果**：隐含公开 | [0031段] “...arranged in a vertical stack...” <br>（译文：...以垂直堆叠的方式排列...）<br>结合集成电路制造的公知常识，不同金属层之间通常存在介电层（如氧化硅、氮化硅等，即钝化层或层间介质）以实现电气隔离。 | 对比文件公开了多个导电环路（螺旋）垂直堆叠在集成电路中（见图3、图4及[0031]段）。在标准的集成电路制造工艺中，为了确保不同金属层之间的电气隔离，必然会在金属层之间沉积介电材料，这些介电材料通常被称为钝化层或层间介质层（ILD）。本领域技术人员在阅读对比文件后，能够合理推断出在堆叠的导电螺旋（位于不同金属层）之间必然存在用于绝缘的介电层，即钝化层。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>**判断结果**：直接公开 | [0031段] “...the balun 200 comprising a plurality of conductive loops ... arranged in a vertical stack and communicatively coupled via a plurality of vias 302.” <br>（译文：...巴伦200包括多个导电环路...以垂直堆叠的方式排列并通过多个通孔302通信耦合。）<br>[0040段] “...the loops ... may be fabricated in the metal layers 402, 404, 406, 408, and 410, respectively.” <br>（译文：...环路...可以分别制造在金属层402, 404, 406, 408, 410中。） | 对比文件明确公开了垂直堆叠的导电环路（即导电螺旋）通过多个通孔（vias 302）进行电连接。在集成电路中，通孔正是为了穿透层间的介电层（钝化层）以连接不同金属层而设计的。因此，对比文件直接公开了“第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋”这一技术特征。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>**判断结果**：未公开 | 未找到相关内容。 | 该特征限定了最内匝自身在垂直方向上的厚度变化趋势（单调递增）。如前所述，对比文件完全没有描述任何关于导电螺旋厚度变化的信息，无论是整体变化还是最内匝的局部变化。因此，该特征未被公开。 |
## 结论
综上所述，对比文件US2009243749A1仅直接公开了技术特征A（基板）和技术特征O（通过通孔连接），隐含公开了技术特征N（存在钝化层）。对比文件未公开技术特征B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、P。目标专利权利要求的核心创新点——即螺旋电感器（特别是其最内匝）在垂直于基板方向上的厚度按照特定梯度变化（特征B-H，P），以及为实现该梯度变化而设计的特定螺旋覆盖和包含关系（特征I-K）——均未在对比文件中被公开或暗示。
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