对比文件名称：2001-12-12_KR1020010110247A_发明公开_KR1020010110247A 이방 전도성 접착 필름을 이용한 초음파 탐촉자 적층구조
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 **《直接公开》** | [12] 段：本発明は...超音波探触子の積層構造に関するものである。 (译文：本发明涉及...超声波探头的层叠结构。) [13] 段：従来の超音波探触子積層構造を説明すると、... (译文：说明传统的超声波探头层叠结构，...) [33] 段：以下、上記のように構成された異方性導電性接着フィルムを用いた超音波探触子積層構造の動作過程を説明すると次のとおりである。 (译文：以下，对如上构成的利用各向异性导电膜的超声波探头层叠结构的操作过程说明如下。) | 对比文件全文描述了一种超声波探头（초음파 탐촉자， ultrasonic probe）的层叠结构，其包含压电陶瓷（압전 세라믹）用于产生和/或接收超声波信号（초음파 신호）。该探头用于向人体发送超声波并接收反射信号，实现扫描成像功能（[32]段）。因此，对比文件公开了一种用于检测超声波能量的超声波接收器（探头的一部分），其作用与目标专利中用于检测反射超声波能量的接收器相同。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件的探头包含了接收超声波能量的功能。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 **《未公开》** | [29] 段：本発明は...ベースフレーム(100)、圧電セラミック(200)、異方性導電性接着フィルム(300)、PCB(400)...で構成される。 (译文：本发明由...基座框架(100)、压电陶瓷(200)、各向异性导电膜(300)、PCB(400)...构成。) [30] 段：また、前記PCB(400)は陰極及び陽極用電極線で全体チャネルに従ってその個数を決定して前記圧電セラミック(200)の陰極及び陽極端子に接触させ圧電セラミック(200)の各チャネルに電気的信号を入出力してくれる役割をする。 (译文：另外，所述PCB(400)通过阴/阳极用电极线，根据整个通道决定其数量，与所述压电陶瓷(200)的阴/阳极端子接触，起到向压电陶瓷(200)的各通道输入输出电信号的作用。) | 目标专利的“像素电路阵列”特指每个像素包含至少一个TFT（薄膜晶体管）的有源矩阵电路，其集成在衬底（如玻璃背板）上，用于对压电层产生的电荷进行选通、放大和读出（见目标专利说明书[0037], [0043]段）。对比文件公开的是印刷电路板（PCB），其作用是承载电极线路图案（패턴， pattern）并与压电陶瓷的电极进行电连接（[30]段）。PCB是传统的无源互连基板，其不具备目标专利中每个像素独立的有源TFT开关和信号处理电路（像素电路）的功能和结构。因此，对比文件未公开“安置在衬底上的像素电路的阵列”。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 **《未公开》** | [13], [14], [15]段描述了传统制造方法，涉及层叠、焊接等。[18]-[24]段描述了本发明方法，包括：<br>- セラミック積層段階（压电陶瓷层叠阶段）[19]<br>- PCB電極連接段階（PCB电极连接阶段）[22]<br>未提及将含有聚合物的溶液涂布到任何阵列上。 | 目标专利的核心制造步骤之一是将含有聚合物（如PVDF-TrFE）的溶液涂布（例如旋涂）到TFT像素电路阵列上，以形成后续的压电层（见[0050], [0051], [0060]段）。对比文件的制造工艺完全基于使用预制的块状压电陶瓷（압전 세라믹），通过切割、印刷电极、使用各向异性导电膜（ACF）与PCB粘结等方式进行组装（[19], [21], [22], [35]段）。其工艺本质上是“组装”或“粘结”固体部件，而非“涂布”液体溶液并形成薄膜。二者技术手段和作用（形成压电功能层的方式）完全不同。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 **《未公开》** | 对比文件全文未提及“薄膜晶体管(TFT)”、“像素电路”或“像素输入电极”。其电连接是通过PCB上的电极线（전극선）直接连接到压电陶瓷的电极上（[30]段）。 | 目标专利的像素电路阵列是包含TFT的有源矩阵传感器核心，每个像素通过像素输入电极收集压电层产生的电荷（[0037]段）。对比文件公开的是多通道的压电陶瓷阵列，每个通道（或元件）通过PCB上的导线直接驱动或读取，没有涉及任何晶体管开关或像素级的信号处理电路。因此，对比文件未公开包含TFT元件和像素输入电极的像素电路。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何“聚合物”、“结晶”或“结晶聚合物层”。其使用的压电材料是压电陶瓷（세라믹， ceramic）（[13], [19], [29]段）。 | 目标专利的特征E是形成压电聚合物层（如PVDF-TrFE）的关键步骤，通过结晶工艺将非晶态聚合物转化为具有压电潜能的结晶态（[0052], [0061]-[0062]段）。对比文件使用的是完全不同的无机压电陶瓷材料，其制备工艺涉及烧结等，与有机聚合物的溶液涂布和结晶工艺无关。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 **《未公开》** | 对比文件未提及对任何“结晶聚合物层”进行“成极（极化）”。虽然压电陶瓷通常也需要极化处理才能具有压电性，但对比文件说明书未明确描述其极化工艺。其重点在于使用ACF进行机械和电连接。 | 目标专利的特征F是使结晶后的聚合物层具备压电性能的关键步骤，通过施加高电场进行极化（[0053], [0080]段），并且强调形成的压电层与像素输入电极直接电接触。对比文件虽然使用了压电陶瓷（其本身是极化后的），但未公开对“结晶聚合物层”进行“成极”的工艺。此外，目标专利中压电层与像素输入电极的电接触是通过涂布工艺直接形成的（[0048]段），而对比文件中压电陶瓷与PCB电极的电接触是通过各向异性导电膜（ACF）粘接实现的（[22], [35]段），两者接触方式和结构不同。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 **《未公开》** | [13] 段：...前記セラミックの両面に電圧をかけてくれるための電極用シルバーコーティングと... (译文：...以及施加电压到所述陶瓷两面用的电极银涂层...)<br>[42] 段：...前記圧電セラミック(200)を加工した後両面に電極用シルバーコーティングをし... (译文：...将所述压电陶瓷(200)加工后，在其两面进行电极银涂层...) | 目标专利的“接收器偏置电极”是沉积在压电聚合物层上的一个电极层（[0037], [0054]段），用于控制电荷向TFT像素电路的传递（权利要求特征G所述）。对比文件中公开的是在压电陶瓷（非聚合物）两面的“电极银涂层”，其作用是向整个压电陶瓷施加驱动电压（作为发射器时）或作为接收信号的公共电极。该电极并非专为控制信号传递至TFT元件而设，因为对比文件根本不存在TFT元件。因此，虽然都有电极，但结构、位置（目标专利在压电层单侧，对比文件在陶瓷双侧）、作用和所配合的电路（TFT阵列 vs. 简单引线）均不相同。对比文件未公开目标专利中特定结构和功能的接收器偏置电极。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 **《未公开》** | 对比文件未提及“像素输入电极”。其与压电材料连接的电极是PCB上的金属线路或压电陶瓷上的银涂层（[30], [42]段），并非目标专利中定义在像素电路上、由ITO或IZO等透明导电薄膜形成的“像素输入电极”（[0048]段）。 | 目标专利的特征H限定了像素输入电极的具体材料形式（导电薄膜）。对比文件未公开像素输入电极这一构件本身，因此更不可能公开其由导电薄膜形成。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 **《未公开》** | 对比文件未提及“助粘剂”。其使用“异方性导电接着フィルム（各向异性导电膜， ACF）”连接PCB和压电陶瓷（[22], [35]段）。ACF是一种预制的固体薄膜粘接材料，与目标专利中为提高聚合物溶液与衬底（像素电路阵列）附着力而涂布的液态“助粘剂”（如硅烷或HMDS溶液，见[0009], [0057]段）在形态、应用方式和作用上均不同。 | 目标专利的特征I是涂布聚合物溶液前的一个预处理步骤。对比文件未涉及任何溶液涂布工艺，因此也不可能公开在涂布前使用助粘剂的步骤。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 **《未公开》** | 对比文件未提及任何通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射涂布聚合物溶液的工艺。其制造工艺涉及切割压电陶瓷、印刷电极、使用ACF压接等（[19], [21], [22], [35]段）。 | 目标专利的特征J限定了涂布聚合物溶液的具体方式。由于对比文件未公开“将含有聚合物的溶液涂布”这一上位特征（特征C），因此也不可能公开其具体的涂布方式。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。 **《未公开》** | 对比文件未提及“聚合物”或“铁电聚合物”。其使用的压电材料是“セラミック（ceramic， 陶瓷）”（[13], [19], [29]段）。 | 目标专利的特征K限定了聚合物的类型为铁电聚合物（如PVDF-TrFE）。对比文件使用的是无机压电陶瓷，材料类别完全不同。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 **《未公开》** | 对比文件未提及任何聚合物的“居里温度”、“熔点”或通过焙烤使聚合物结晶的工艺。 | 目标专利的特征L是聚合物结晶工艺的具体温度和时间参数。对比文件未公开任何聚合物结晶工艺，因此也不可能公开其具体工艺条件。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 **《未公开》** | 对比文件未提及在执行任何极化（成极）工艺前，将“像素电路的端子”短路到接地。其全文未涉及像素电路，也未描述对压电陶瓷进行极化时的防护措施。 | 目标专利的特征M是在对形成在TFT阵列上的聚合物层进行高压极化时，为防止损坏敏感的TFT元件而采取的防护措施（[0080]段）。对比文件未公开此工艺步骤。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 **《未公开》** | 对比文件未提及使用“导电橡胶”或“导电墨水”将像素电路端子短路。其使用的导电材料是各向异性导电膜（ACF）中的导电颗粒（[37]段），但这是用于连接PCB和压电陶瓷电极，并非用于极化前的短路保护。 | 目标专利的特征N限定了用于短路保护的导电材料的具体类型。对比文件未公开短路保护这一步骤，因此也不可能公开其所用的具体材料。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 **《未公开》** | 对比文件中电极银涂层（シルバーコーティング）的材料是银（[13], [42]段），未提及由铜和镍子层构成。 | 目标专利的特征O限定了接收器偏置电极的具体层状结构（Cu/Ni）。对比文件虽然公开了电极，但其材料（银）和结构（单层涂层）均不同。因此，对比文件未公开此具体结构特征。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 **《未公开》** | 对比文件未提及电极的具体厚度，更未提及150埃厚的铜层和850埃厚的镍层。 | 目标专利的特征P限定了接收器偏置电极各子层的具体厚度。对比文件未公开此具体尺寸特征。 |
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