对比文件名称：2015-07-16_WO2015105320A_发明申请_WO2015105320A1 SENSOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：深度求索DeepSeek最新版本模型
特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《隐含公开》 | 第66段：“the sensor device 170 may acquire ... external environment information ... the electronic device 101 may detect ... sound waves, ultrasonic waves ...”。 | 对比文件第66段明确指出传感器设备可以检测包括超声波在内的外部环境信息。虽然对比文件主要描述的是光学心率传感器（HR sensor），但该段落概括性地说明了传感器设备能够检测超声波。因此，本领域技术人员可以从对比文件中合理地推断出，该传感器设备可以被配置为一种用于检测超声波能量的接收器。虽然目标专利中的超声波接收器是专门用于指纹成像等特定用途，而对比文件未明确其超声波检测的具体应用场景，但检测超声波能量的基本功能已被公开。 |
| 技术特征B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | 第95段：“the HR sensor device 300 may include a substrate 350, an HR sensor 310 and a flash LED 320 which are mounted on a top of the substrate 350”。 | 对比文件第95段明确公开了传感器设备包含基板（substrate），并且心率传感器（HR sensor）和闪光LED被安装（mounted）在该基板上。将心率传感器和闪光LED视为执行感测功能的“电路”或“元件”的集合是合理的。因此，“安置在衬底上的像素电路的阵列”这一特征，实质上已被对比文件中“安装在基板上的传感器和电子元件”所公开。虽然目标专利的“像素电路阵列”特指包含TFT的阵列用于超声信号读取，而对比文件的传感器是用于光学检测的独立器件，但“安置在衬底上的电路/元件阵列”这一结构特征已被直接公开。 |
| 技术特征C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何通过涂布含有聚合物的溶液来制造传感器接收层的方法。对比文件涉及的窗口（window）330、730等部件是通过注塑成型（如第116、130段所述的双射成型或嵌入成型）制造的，或者涉及屏蔽件的印刷（第149段），这与目标专利中在TFT阵列上涂布聚合物溶液以形成压电层的工艺完全不同。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 技术特征D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件中描述的心率传感器（HR sensor）310、710等是作为一个整体的光电探测器或光电二极管模块（参见第69段），并没有披露其内部包含薄膜晶体管（TFT）元件，更没有提及与每个像素电路对应的“像素输入电极”。目标专利中每个像素电路包含TFT和像素输入电极的结构是实现有源矩阵读取的关键，而对比文件的传感器未涉及此类结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件没有涉及任何聚合物材料的结晶过程。目标专利中使聚合物结晶是形成压电层的关键步骤，而对比文件完全不涉及此工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何对材料进行“成极”（poling）的工艺，也没有提及施加电场以使材料具有压电性。目标专利中通过施加电场形成压电层是其核心制造步骤，而对比文件中的传感器（如心率传感器）是基于光学原理，不涉及压电材料的极化。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件中没有描述在感测层上沉积“接收器偏置电极”的结构。虽然对比文件提到了用于屏蔽的部件（shielding member 760, 1020, 1210）或装饰件，但这些部件的作用是光学隔离，而非作为控制信号传递至TFT的偏置电极。目标专利的接收器偏置电极用于电学偏置压电层，与对比文件的光学屏蔽件功能不同，结构也不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及任何由导电薄膜形成的“像素输入电极”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及在制造过程中使用“助粘剂”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及任何旋涂、槽缝式涂布等溶液涂布工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及“铁电聚合物”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及任何聚合物的居里温度、熔点或焙烤结晶工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及在制造过程中施加导电材料以将像素电路端子短路到接地。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及“导电橡胶”或“导电墨水”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及接收器偏置电极，更未提及该电极包含铜子层和镍子层。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及任何关于铜子层150埃厚和镍子层850埃厚的具体尺寸。因此，该技术特征未被公开。 |
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