对比文件名称：2013-08-08_US2013201134A_发明申请_US20130201134A1 Ultrasonic Touch Sensor With A Display Monitor
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0028] "Information about an object that is in contact with the display monitor is gathered by means of ultrasonic energy. Ultrasonic energy is sent toward a surface of the display monitor where a pointing object may contact the display monitor. When the ultrasonic energy reaches the pointing object, at least some of the ultrasonic energy is reflected toward an ultrasonic energy receiver. The receiver detects the reflected energy, transmits a signal indicating that reflected energy was sensed." | 对比文件[0028]段明确描述了超声波能量被发送至显示器表面，当遇到指向物体时，部分能量被反射回超声波能量接收器（ultrasonic energy receiver），接收器检测该反射能量并发出信号。该内容直接公开了“超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量”这一技术特征。两者作用相同，均为接收反射的超声波能量以获取物体信息。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | [0010] FIG. 1, 2, 3, 4 中示出组件“6 TFT (Thin Film Transistor) circuit”和“7 TFT substrate (e.g. glass)”。[0040] "The TFT circuit 6 has many circuits. The individual pixels are groups of three LCD control amplifiers and one ultrasonic receiver circuit." | 对比文件附图及[0040]段描述TFT电路（Thin Film Transistor circuit）安置在TFT衬底（substrate）上，并且每个像素包含一个超声波接收器电路（ultrasonic receiver circuit）。这直接公开了超声波接收器包含安置在衬底（TFT substrate）上的像素电路阵列（由TFT电路构成）。两者作用相同，均为构成超声波接收器的基本像素传感单元阵列。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 对比文件未提及任何通过涂布含有聚合物的溶液来制造压电层或接收器的方法。 | 对比文件完全没有描述压电聚合物层（如PVDF或PVDF-TrFE层）的形成方法。说明书和附图仅提及压电聚合物层（3 PVDF or PVDF-TrFE piezoelectric polymer）的存在及其在结构中的位置，但未揭示其是通过将含有聚合物的溶液涂布到像素电路阵列上这一特定工艺步骤制造的。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该具体制造步骤。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极《直接公开》 | [0010] "6 TFT (Thin Film Transistor) circuit"。[0040] "The TFT circuit 6 has many circuits. The individual pixels are groups of three LCD control amplifiers and one ultrasonic receiver circuit." [0041] "Attached to the ultrasonic sensor cell TFT may be a three layer laminate that is composed of a TCF electrode 2, a layer of piezoelectric polymer 3, and another TCF film electrode 12..." | 对比文件[0010]和[0040]明确说明像素电路包含TFT（薄膜晶体管）元件。[0041]描述了连接到超声波传感器单元TFT的层压结构，包括TCF电极（透明导电膜电极，如ITO）。该TCF电极与TFT元件电连接，用于与压电聚合物层接触，其作用相当于目标专利中电耦合到像素电路的“像素输入电极”，用于收集电荷。因此，对比文件直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层《隐含公开》 | [0010] "3 PVDF or PVDF-TrFE piezoelectric polymer"。 | 对比文件[0010]提及了压电聚合物层（3 PVDF or PVDF-TrFE piezoelectric polymer）。PVDF和PVDF-TrFE是众所周知的铁电/压电聚合物材料，其压电性能通常需要通过处理（如结晶和极化）才能获得。虽然对比文件未明确描述“结晶”步骤，但本领域技术人员知晓，要获得具有实用压电性能的PVDF或PVDF-TrFE层，通常需要使其从非晶态或半晶态转变为具有β晶相的结晶态。因此，从对比文件公开了“PVDF or PVDF-TrFE piezoelectric polymer”层这一事实出发，可以合理推断该层是经过结晶处理（或具有结晶结构）的聚合物层，否则难以具备有效的压电性。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触《未公开》 | 对比文件未提及任何对聚合物层进行“成极（poling）”或施加电场以形成压电层的工艺。 | 对比文件仅提及“PVDF or PVDF-TrFE piezoelectric polymer”（[0010]）的存在，但完全没有描述如何使该聚合物层具有压电性。对于铁电聚合物如PVDF-TrFE，单纯的结晶并不足以使其表现出强压电效应，必须经过“成极”工艺，即在高温下施加强电场使偶极子定向排列。这是本领域的公知常识。对比文件没有公开任何关于“成极工艺”、“施加电场”或“形成压电层”的步骤或描述。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开（对比文件未提供任何关于该工艺的线索或基础）。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《隐含公开》 | [0010] "2 continuous electrode (e.g. TCF (transparent conductive film, such as IZO, ITO, etc.)" 和 "12 electrode pad (e.g. TCF)"。[0040] "...the continuous common plane electrode 2 allows each display pixel to turn on or off... The reflected ultrasonic energy pulse is detected by the hydrophone array that is made up of the piezoelectric polymer film 3 and the two TCF electrode layers that contact it, both the continuous electrode 2 and the electrode array 12." | 对比文件[0010]和[0040]描述了压电聚合物层（3）与两个TCF电极层（2和12）接触构成水听器阵列（hydrophone array）。其中，连续电极（2）位于压电聚合物层的一侧（图1-4中显示在压电层上方/面向用户侧）。虽然对比文件未明确使用“接收器偏置电极”这一术语，也未明确其功能为“控制相应信号被传递至所述TFT元件”，但本领域技术人员可以理解，在压电传感器中，位于压电材料上的电极用于施加偏置电压并收集/传导由压电效应产生的电荷信号至后续电路（如TFT）。因此，对比文件中公开的“continuous electrode (e.g. TCF) 2”位于压电层上，其作用必然包括偏置和信号传递控制，可以合理推断其相当于“接收器偏置电极”。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《直接公开》 | [0010] "12 electrode pad (e.g. TCF)" 和 "2 continuous electrode (e.g. TCF (transparent conductive film, such as IZO, ITO, etc.)"。[0041] "...composed of a TCF electrode 2, a layer of piezoelectric polymer 3, and another TCF film electrode 12..." | 对比文件多次提及电极（electrode pad, continuous electrode）是TCF（透明导电薄膜），例如IZO、ITO等（参见[0010]和[0041]）。这些TCF电极与TFT电路连接并接触压电聚合物层，其作用与目标专利中“由导电薄膜形成的像素输入电极”完全相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 对比文件未提及任何“助粘剂（adhesion promoter）”或类似物质，也未描述任何涂布助粘剂的步骤。 | 对比文件完全没有涉及在形成压电聚合物层之前或过程中使用助粘剂。本领域技术人员无法从对比文件的内容中推导出或联想到这一具体的工艺步骤。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 对比文件未描述任何涂布工艺。 | 如对特征C的论述，对比文件未公开压电层的形成方法，因此更不可能公开具体的涂布方式（如旋涂、槽缝式涂布等）。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0010] "3 PVDF or PVDF-TrFE piezoelectric polymer"。 | PVDF（聚偏二氟乙烯）和PVDF-TrFE（聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物）是本领域公知的铁电聚合物。对比文件明确将材料3标识为“PVDF or PVDF-TrFE piezoelectric polymer”，这直接公开了聚合物包含铁电聚合物。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及任何焙烤（baking）工艺或热处理步骤。 | 对比文件仅指出了材料种类（PVDF或PVDF-TrFE），但完全没有涉及这些材料的特性温度（居里温度、熔点），更没有描述通过在这些温度之间进行焙烤来使聚合物结晶的具体工艺条件。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 对比文件未提及任何“成极工艺”，也未提及在成极前或任何其他工艺步骤中，施加导电材料将像素电路端子短路到接地。 | 该技术特征是与特定的制造工艺（成极）相关的保护性步骤。对比文件既未公开“成极工艺”，也未公开与之配套的短路保护措施。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 对比文件未提及任何“导电橡胶”或“导电墨水”。 | 对比文件中未描述任何用于短路用途的导电材料。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 对比文件未描述接收器偏置电极（或对应电极）的具体金属层构成。 | 对比文件仅指出电极是TCF（透明导电薄膜，如ITO），并未提及该电极由铜和镍子层构成，也未提及任何多层金属结构。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 对比文件未提及任何关于电极厚度的具体数值。 | 对比文件完全没有涉及电极的厚度，更未公开150埃铜层和850埃镍层这一具体厚度组合。 |
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