**对比文件名称**：2014-12-04_US2014354596A_发明申请_US20140354596A1 DISPLAY WITH PERIPHERALLY CONFIGURED ULTRASONIC BIOMETRIC SENSOR
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：未指定
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。《直接公开》 | 说明书第[0051]段：“Control electronics 50 may be coupled to the ultrasonic transmitter 20 and ultrasonic receiver 30 … The control electronics 50 may then receive signals from the ultrasonic receiver that are indicative of reflected ultrasonic energy 23.” 以及图1A-1C。 | 对比文件明确描述了超声波接收器（30）用于检测从对象反射的超声波能量（23），该接收器接收超声波能量并输出信号。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。《直接公开》 | 说明书第[0053]段：“The ultrasonic receiver 30 may include an array of pixel circuits 32 disposed on a substrate 34 …” 以及图2。 | 对比文件直接公开了超声波接收器包含像素电路阵列（32）安置在衬底（34）上，构成了像素电路的阵列。 |
| 技术特征C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。《隐含公开》 | 说明书第[0117]段：“… a piezoelectric film may be applied to the pixel input electrodes to form the piezoelectric ultrasonic receiver layer.” | 对比文件提到将压电薄膜应用于像素输入电极以形成压电超声接收层。本领域技术人员公知，对于聚合物压电材料（如PVDF-TrFE），通常通过将含有聚合物的溶液涂布（例如旋涂）到基板上形成薄膜。因此，虽然对比文件未明确提及“溶液涂布”，但根据聚合物压电薄膜的常规制造方法，本领域技术人员有可能推理出通过涂布含有聚合物的溶液来形成该层。 |
| 技术特征D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。《直接公开》 | 说明书第[0053]段：“each pixel circuit 32 may include one or more TFT elements … Each pixel circuit 32 may include a pixel input electrode 38 that electrically couples the piezoelectric receiver layer 36 to the pixel circuit 32.” | 对比文件明确公开了每个像素电路包括一个或多个TFT元件和像素输入电极（38），用于将压电接收层电耦合到像素电路。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。《隐含公开》 | 说明书第[0057]段提到压电材料包括铁电聚合物如PVDF-TrFE。 | 对比文件公开了使用铁电聚合物（如PVDF-TrFE）作为压电材料。本领域技术人员公知，此类聚合物需要经过结晶处理才能形成具有压电性的结晶聚合物层。虽然对比文件未明确描述结晶步骤，但基于公知常识，为了获得压电性能，本领域技术人员有可能推理出需要使聚合物结晶。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。《隐含公开》 | 说明书第[0053]段描述了压电接收层（36）与像素输入电极（38）电接触。 | 对比文件公开了压电接收层与像素输入电极电接触。本领域技术人员公知，铁电聚合物压电层通常需要经过极化（成极）工艺，即施加电场以使偶极取向，才能表现出压电性。虽然对比文件未明确描述成极步骤，但基于压电聚合物层的基本制造常识，本领域技术人员有可能推理出需要执行成极工艺来形成压电层。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | 说明书第[0053]段：“a receiver bias electrode 39 is disposed on a side of the piezoelectric receiver layer 36 … The receiver bias electrode 39 may be a metallized electrode and may be grounded or biased to control which signals are passed to the TFT array.” | 对比文件明确公开了接收器偏置电极（39）沉积在压电接收层上，并且通过偏置来控制哪些信号传递到TFT阵列。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》 | 说明书第[0053]段提到像素输入电极（38），但未明确其材料。 | 对比文件公开了像素输入电极（38）用于电耦合压电层和像素电路。本领域技术人员公知，此类电极通常由导电薄膜（如ITO、金属等）制成以实现电接触。虽然对比文件未明确说明“导电薄膜”，但基于常规技术实践，本领域技术人员有可能推理出像素输入电极由导电薄膜形成。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。未公开 | 无相关描述。 | 对比文件中未提及在涂布聚合物溶液之前或过程中使用助粘剂。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。未公开 | 无相关描述。 | 对比文件中未提及具体的涂布方法，如旋涂、槽缝式涂布等。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | 说明书第[0057]段：“Examples of piezoelectric materials that may be employed include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件明确列举了铁电聚合物（如PVDF和PVDF-TrFE共聚物）作为可采用的压电材料。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。未公开 | 无相关描述。 | 对比文件中未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及在居里温度与熔点之间焙烤至少一小时的结晶步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。未公开 | 无相关描述。 | 对比文件中未提及在执行成极工艺之前施加导电材料以将像素电路端子电短路到接地。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。未公开 | 无相关描述。 | 对比文件中未提及导电橡胶或导电墨水用于短路像素电路端子。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。未公开 | 无相关描述。 | 对比文件中未提及接收器偏置电极的具体分层结构，如第一铜子层和第二镍子层。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。未公开 | 无相关描述。 | 对比文件中未提及接收器偏置电极的具体厚度尺寸。因此，该技术特征未被公开。 |
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