对比文件名称：2007-05-29_US7223243B_发明授权_US07223243B2 Thin film ultrasonic transmitter_receiver
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | 说明书第[0023]段：“When the echo ultrasonic signal 64 strikes the piezoelectric film 12, piezoelectric voltages may be detected at the backer electrodes 30 to be received by the amplifiers 42 and forwarded to the controller 50.” 说明书第[0006]段：“The present invention provides an ultrasonic transmitter and receiver...” | 对比文件明确公开了一种超声波接收器（receiver），其作用在于检测从目标反射回来的回声超声波信号（echo ultrasonic signal 64），该信号在压电薄膜（piezoelectric film 12）的第一表面（即前表面front face 18）处被接收并转换为电压信号。这与目标专利中超声波接收器用于在其第一表面处检测超声波能量的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》 | 说明书第[0014]段：“Each of the backer electrodes 30... arranged in vertical columns and horizontal rows...” 说明书第[0017]段：“The backer electrodes 30 may be attached to a front face of a printed circuit board 32...” | 对比文件公开了背电极（backer electrodes 30）以阵列形式（行列排列）设置在印刷电路板（printed circuit board 32）上。然而，目标专利中的“像素电路的阵列”特指包含至少一个薄膜晶体管（TFT）元件的电路阵列，每个电路具有像素输入电极。对比文件的背电极阵列仅仅是独立的金属电极，其下方连接的是放大器集成电路（40），并未公开每个电极对应一个包含TFT的像素电路。因此，对比文件未公开“像素电路的阵列”这一技术特征。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 说明书第[0011]段：“...the piezoelectric film 12 may be a polyvinylidene fluoride film (PVDF) that has been polarized to create piezoelectric properties according to methods well understood in the art.” | 对比文件公开了压电薄膜12可以是聚偏氟乙烯（PVDF）薄膜，并通过本领域熟知的方法进行极化以获得压电特性。然而，对比文件完全没有描述该PVDF薄膜的制造方法，特别是没有提及通过“将含有聚合物的溶液涂布”到任何阵列上的步骤。涂布溶液是目标专利中形成压电层的关键步骤，对比文件未公开此制造工艺。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | 说明书第[0017]段：“The plate-through holes 34 may connect via conductive traces 36... to integrated circuits attached to the rear surface of the printed circuit board 32.” | 对比文件公开了背电极30通过印刷电路板上的通孔和走线连接到后表面的集成电路（40）。这些集成电路用于信号处理（如多路复用、放大）。但是，对比文件完全没有提及“薄膜晶体管（TFT）元件”。目标专利的像素电路的核心是TFT，而对比文件的信号处理元件是独立的集成电路，并非集成在每个像素位置的TFT。因此，包含TFT元件的像素电路未被公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件仅提及使用PVDF压电薄膜，但完全没有描述该薄膜的结晶过程。目标专利中“使聚合物结晶以形成结晶聚合物层”是形成压电层的关键工艺步骤之一。对比文件未公开此技术特征。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | 说明书第[0011]段：“...that has been polarized to create piezoelectric properties according to methods well understood in the art.” | 对比文件提到压电薄膜12是“被极化（polarized）的”，这暗示了其经过了成极工艺。然而，该描述非常笼统，是引用本领域公知方法。更重要的是，目标专利的成极工艺明确是施加电场使压电层与“像素输入电极”电接触。如前所述，对比文件不存在“像素输入电极”（该电极是像素电路的一部分）。背电极30虽与压电薄膜12接触（第[0014]段：abuts the rear face 20），但目标专利的“电接触”特指与包含TFT的像素电路的输入端连接，这与对比文件中背电极直接作为接收电极的结构和作用不同。因此，对比文件未公开与“像素输入电极”电接触的成极工艺。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《隐含公开》 | 说明书第[0011]-[0012]段：“A front face 18 of the piezoelectric film 12 is preferably coated with a thin flexible layer of conductive material such as copper. This front electrode may be coated with nickel to reduce corrosion. ... and creates a front electrode 29 which is continuous.” | 对比文件公开了在压电薄膜12的前表面18上涂覆（coated with）一层导电材料（如铜）作为前电极（front electrode 29），并且该电极可以是连续的。在接收模式下，该前电极29被连接到地或恒定电压参考（第[0022]段），其作用是为压电薄膜提供参考电位，从而控制压电薄膜产生的信号（电压）被传递到后续的放大电路。虽然对比文件未明确提及“TFT元件”（因其不存在），但其“前电极”在接收时所起的“控制信号传递”的偏置作用，与本领域技术人员理解的“接收器偏置电极”的作用实质相同。涂覆导电层即相当于“沉积”。因此，本领域技术人员结合公知常识，能够从对比文件公开的“在压电层前表面涂覆连续导电层作为电极并接地”的内容，合理推断出“沉积在压电层上的接收器偏置电极，用于控制信号传递”这一技术特征。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 说明书第[0014]段：“Each of the backer electrodes 30 in the preferred embodiment are squares, disks, or other shapes... of copper approximately 0.025 inches thick...” | 对比文件公开了背电极30是铜材料，厚度约0.025英寸（约635微米），这通常不被认为是“薄膜”（thin film），而更接近于块状金属电极。目标专利说明书[0048]段明确指出像素输入电极可由氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）等透明导电薄膜形成，其厚度通常在纳米至微米级。因此，对比文件未公开由“导电薄膜”形成的电极。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及在制造过程中使用“助粘剂”。此技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未描述任何涂布工艺，因此也不可能公开具体的涂布方式（如旋涂等）。此技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | 说明书第[0005]段：“Thin film polymer piezoelectric materials such as polyvinylidene fluoride (PVDF)...” 说明书第[0011]段：“...piezoelectric film 12 may be a polyvinylidene fluoride film (PVDF)...” | 聚偏氟乙烯（PVDF）是本领域公知的铁电聚合物。对比文件明确公开了压电薄膜12的材料是PVDF，即一种铁电聚合物。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件虽然公开了使用PVDF聚合物，但完全没有提及该材料的居里温度、熔点，更没有公开在居里温度与熔点之间进行焙烤至少一小时的结晶工艺。此技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及在极化（成极）工艺之前，进行任何将“像素电路的端子”（对比文件中不存在）短路到接地的操作。此技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何在成极前使用的“导电橡胶”或“导电墨水”。此技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《隐含公开》 | 说明书第[0011]段：“A front face 18 of the piezoelectric film 12 is preferably coated with a thin flexible layer of conductive material such as copper. This front electrode may be coated with nickel to reduce corrosion.” | 对比文件公开了前电极（即接收器偏置电极）优选包含一层铜，并且该铜层“可以被涂覆镍（coated with nickel）以减少腐蚀”。这清楚地描述了接收器偏置电极由铜层和覆盖在其上的镍层构成。虽然未明确使用“第一子层”、“第二子层”的表述，但“涂覆一层铜，再在其上涂覆镍”的结构，必然意味着存在铜子层和镍子层。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，对比文件隐含公开了接收器偏置电极包含铜子层和镍子层。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及前电极（铜层和镍层）的具体厚度数值，更未公开150埃和850埃的特定厚度。此技术特征未被公开。 |
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