对比文件名称：WO2004082036A1_Description_20260712_1509
目标专利名称：1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B
模型名称：大型语言模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：其包括具有中心轴的LED电路小片（直接公开） | 对比文件图1及说明：“図1に示すようにフリップチップ型のGaN系LED素子2”。翻译：“如图1所示，具有中心轴的GaN系LED素子2”。 | 对比文件公开了LED电路小片，其具有中心轴，因此直接公开特征A。 |
| 特征B：相对于LED电路小片固定的透镜（直接公开） | 对比文件图4说明：“モールド部9は、半球状の光学形状面9Aを有して形成されており”。翻译：“模制部9形成有半球状的光学形状面9A”。 | 该模制部相对于LED素子固定，并具有透镜形状，起到透镜作用，因此直接公开特征B。 |
| 特征C：该透镜使LED电路小片发出的光折射（直接公开） | 对比文件图14说明：“光をガラス界面への略垂直入射するものとすることで界面反射を極力小さくして外部放射する”。翻译：“使光大致垂直入射到玻璃界面，从而尽可能减小界面反射并向外辐射”。 | 透镜必然使光折射，本领域技术人员可直接得知透镜具有折射功能，因此直接公开特征C。 |
| 特征D：从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内（未公开） | 对比文件未记载相关峰值强度角度。 | 对比文件未涉及配光角度，无法直接或隐含公开。 |
| 特征E：使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5％到33％之间（未公开） | 对比文件未记载相关中心轴强度比例。 | 对比文件未涉及，无法公开。 |
| 特征F：其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜（直接公开） | 对比文件图1说明：“GaN系LED素子2を封止するとともにガラス含有A 1 2 O 3基板3と接着されるP 2 O 5 — Z n O系ガラス封止部6”。翻译：“将GaN系LED素子2密封并且与玻璃含有A 1 2 O 3基板3粘接的P 2 O 5 — Z n O系玻璃封止部6”。 | 该封止部密封LED素子，相当于第一透镜，因此直接公开特征F。 |
| 特征G：围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜（未公开） | 对比文件未记载围绕第一透镜的辅透镜。 | 对比文件未公开任何辅透镜结构，无法直接或隐含公开。 |
| 特征H：该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分（未公开） | 对比文件未记载空气间隙。 | 对比文件未公开任何空气间隙，无法公开。 |
| 特征I：该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开，无法公开。 |
| 特征J：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内（未公开） | 对比文件未记载。 | 无公开。 |
| 特征K：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内（未公开） | 同J。 | 无公开。 |
| 特征L：沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15％（未公开） | 对比文件未记载。 | 无公开。 |
| 特征M：其中该辅透镜包括非球面外表面（未公开） | 对比文件未记载非球面外表面。 | 无公开。 |
| 特征N：和非球面圆顶形内表面（未公开） | 对比文件未记载。 | 无公开。 |
| 特征O：其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面（未公开） | 对比文件未记载。 | 无公开。 |
| 特征P：其中该第一透镜为半球形（隐含公开） | 对比文件图14说明：“半球面状に形成された光学形状面6D”。翻译：“形成为半球面状的光学形状面6D”。 | 该光学形状面为密封LED的封止部的一部分，可视为第一透镜，其形状为半球形，因此隐含公开了第一透镜为半球形。 |
| 特征Q：其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜（直接公开） | 对比文件制造方法说明：“板状のP 2 O 5 — Z n O系の低融点ガラスを平行にセットし、...ホットプレス加工を行う”。翻译：“将板状P 2 O 5 — Z n O系低熔点玻璃平行设置，进行热压加工”。 | 该热压加工直接将玻璃模制在LED素子上，形成密封透镜，直接公开了第一透镜直接模制在LED上。 |
| 特征R：密封了该LED电路小片（直接公开） | 同特征F。 | 封止部密封LED，直接公开。 |
| 特征S：其中该间隙为圆顶形空气间隙（未公开） | 对比文件未记载。 | 无公开。 |
| 特征T：其中该第一透镜为硅树脂；并且辅透镜为塑料（未公开） | 对比文件封止部为玻璃，未提及硅树脂或塑料。 | 对比文件未公开该材料特征。 |
| 特征U：进一步包括次级载具（直接公开） | 对比文件图24说明：“S iサブマウント18にGaN系LED素子2を搭載”。翻译：“在Si副载板18上搭载GaN系LED素子2”。 | 公开了次级载具（副载板），直接公开。 |
| 特征V：其上安装了LED电路小片（直接公开） | 同U。 | 次级载具上安装LED，直接公开。 |
| 特征W：印刷电路板（未公开） | 对比文件基板为陶瓷基板（如A 1 2 O 3、A 1 N等），未明确为印刷电路板。 | 对比文件未公开印刷电路板。 |
| 特征X：其上安装了次级载具（未公开） | 对比文件未公开印刷电路板上安装次级载具。 | 无公开。 |
| 特征Y：其中该透镜直接接触该印刷电路板（未公开） | 对比文件透镜接触基板，但基板非印刷电路板。 | 无公开。 |
| 特征Z：围绕该次级载具（隐含公开） | 对比文件图26说明：“GaN系LED素子2およびリード19を包囲して一体的に封止するP 2 O 5 — F系ガラス封止部6”。翻译：“将GaN系LED素子2和引线19包围并一体密封的P 2 O 5 — F系玻璃封止部6”。此外，其他实施例中封止部包围了副载板。 | 该封止部包围了次级载具（如副载板），因此隐含公开了透镜围绕次级载具。 |
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