对比文件：2001-07-12_KR1020010067448A_发明公开_KR1020010067448A 반도체 장치의 구리 상호 접속을 위한 와이어 본딩 방법 및 반도체 장치
目标专利：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）《隐含公开》 | 段落[31]：“基板（52）可以是其中形成有器件的半导体基板。Ta钝化层（54）沉积在基板（52）上并封装铜互连。” | 对比文件明确公开了衬底（基板）、接触区（铜互连）和封装（Ta钝化层），并提及基板中形成有器件（“장치들”），本领域技术人员可以合理推断这些器件构成至少一个单元，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝《未公开》 | 段落[24]：“在本发明的具体实施例中，钽（Ta）被用于封装铜互连材料。” | 对比文件中的封装材料为钽（Ta），而非氮化硅、碳化硅或氧化铝，且未暗示或公开这些材料，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）《直接公开》 | 段落[31]：“Ta钝化层（54）沉积在基板（52）上并封装铜互连。” | 对比文件直接记载了钝化层（封装）封装了铜互连（接触区），公开了该特征。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上《直接公开》 | 段落[25]：“Al线（30）楔焊到Ta层上。” | 对比文件中，铝线（导体）通过楔焊的方式设置在Ta层（封装）上，公开了该特征。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连《直接公开》 | 段落[23]：“形成钝化层以封装互连材料，使得线材与钝化层而非互连材料键合。……提供可靠的机械和电互连。” | 对比文件明确在不事先移除钝化层（封装）的情况下，将铝线（导体）键合到钝化层上，并通过钝化层实现与铜互连（接触区）的电互连，公开了该特征。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接《直接公开》 | 段落[25]：“楔焊（36）在负载或超声激励下形成。” | 对比文件明确指出互连过程采用超声激励（超声焊接），公开了该特征。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线《直接公开》 | 段落[25]：“Al线（30）……” | 对比文件中的导体为铝线，属于金属线，公开了该特征。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银《直接公开》 | 段落[25]：“Al线（30）……” | 对比文件中的铝线包含铝，满足“包含铝”的条件，且该特征为选择性特征（和/或），因此公开了“包含铝”的部分，从而公开了该特征。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极《直接公开》 | 段落[31]：“利用金属（例如铜）互连作为焊盘，焊盘（50）形成在基板（52）上。” | 对比文件中的铜互连作为焊盘，用于提供电连接，即用作电极，公开了该特征。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）《隐含公开》 | 段落[31]：“基板（52）可以是其中形成有器件的半导体基板。Ta钝化层（54）沉积在基板（52）上并封装铜互连。” | 对比文件公开了钝化层封装铜互连，且钝化层沉积在基板表面，基板中形成有器件（单元），本领域技术人员可以合理推断钝化层也封装了这些单元，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间《未公开》 | 对比文件全文未涉及超声焊接频率的数值范围。 | 对比文件未记载任何关于超声焊接频率的信息，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间《未公开》 | 对比文件全文未涉及超声焊接频率的数值范围。 | 对比文件未记载任何关于超声焊接频率的信息，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz《未公开》 | 对比文件全文未涉及超声焊接频率的数值范围。 | 对比文件未记载任何关于超声焊接频率的信息，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）《未公开》 | 对比文件涉及半导体装置，未提及OLED。 | 对比文件不涉及OLED器件，也未公开任何通过该方法获得OLED的技术内容，因此该特征未被公开。 |
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