对比文件名称：2005-02-17_US2005035466A_发明申请_US20050035466A1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：GPT-4o
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）《直接公开》 | 段落[0031]：“衬底52可以包括其中形成有器件的半导体衬底。焊盘50使用金属（例如铜）互连作为焊盘形成在衬底52上。然后将Ta的钝化层54沉积在衬底52上，封装铜互连。” | 对比文件公开了衬底（Substrate 52）、器件（devices，相当于单元）、接触区（Cu interconnect/bonding pad）以及封装（passivation layer），因此直接公开了技术特征A。 |
| 特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝（未公开） | 段落[0024]：“钽（Ta）被用于封装铜互连材料。” | 对比文件使用的封装材料是钽，而非氮化硅、碳化硅或氧化铝，且未暗示这些材料，因此未公开技术特征B。 |
| 特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）《直接公开》 | 段落[0024]：“然后将Ta层沉积在衬底上，图案化并蚀刻以封装铜焊盘。” | 对比文件明确公开了钝化层（封装）封装铜焊盘（接触区），因此直接公开技术特征C。 |
| 特征D：将导体（6）设置在封装（5）上《直接公开》 | 段落[0025]：“如图3(a)所示，该楔形键合过程中使用的导线30是铝线。... 钝化层32覆盖在衬底34的表面上，封装铜互连31。” | 对比文件公开了将铝线（导体）设置在钝化层（封装）上，并进行键合，因此直接公开技术特征D。 |
| 特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连《直接公开》 | 段落[0023]：“导线与钝化层键合，而不是与互连材料键合。... 在半导体器件（互连材料）和导线之间提供了可靠的机械和电连接，钝化层设置于其间。” | 对比文件公开了导线直接键合到钝化层上，通过钝化层与接触区实现电连接，而不事先移除钝化层，因此直接公开技术特征E。 |
| 特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接《直接公开》 | 段落[0025]：“在负载或超声激励下形成铝线和衬底34之间的楔形键合36。” | 对比文件公开了使用超声激励（超声焊接）形成键合，因此直接公开技术特征F。 |
| 特征G：其中所述导体（6）包括金属线《直接公开》 | 段落[0025]：“该楔形键合过程中使用的导线30是铝线。” | 对比文件公开了导体为铝线，属于金属线，因此直接公开技术特征G。 |
| 特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银《直接公开》 | 段落[0025]：“该楔形键合过程中使用的导线30是铝线。” | 对比文件公开了导体包含铝，满足“包含铝”的条件，因此直接公开技术特征H（由于“和/或”关系，只要满足其中之一即公开）。对比文件未公开扁平形状，但不影响公开性。 |
| 特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极《直接公开》 | 段落[0031]：“焊盘50使用金属（例如铜）互连作为焊盘形成在衬底52上。” | 对比文件中的焊盘（接触区）用于提供电连接，本领域技术人员可以理解其作为电极的功能，因此直接公开技术特征I。 |
| 特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）（未公开） | 段落[0024]：“然后将Ta层沉积在衬底上，图案化并蚀刻以封装铜焊盘。” 段落[0025]：“钝化层32覆盖在衬底34的表面上，封装铜互连31。” | 对比文件仅明确公开了钝化层封装接触区（铜焊盘/互连），未明确公开封装单元（器件）。虽然钝化层覆盖衬底表面，但图案化后可能仅覆盖焊盘区域，且未提及封装器件，因此不能直接或隐含公开技术特征J。 |
| 特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间（未公开） | 对比文件未提及超声焊接的频率。 | 对比文件未公开任何超声焊接的频率数值或范围，因此未公开技术特征K。 |
| 特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间（未公开） | 对比文件未提及超声焊接的频率。 | 对比文件未公开任何超声焊接的频率数值或范围，因此未公开技术特征L。 |
| 特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz（未公开） | 对比文件未提及超声焊接的频率。 | 对比文件未公开任何超声焊接的频率数值或范围，因此未公开技术特征M。 |
| 特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）（未公开） | 对比文件涉及半导体器件，未涉及OLED。 | 对比文件未公开任何关于OLED的内容，因此未公开技术特征N。 |
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