对比文件名称：2005-04-05_US6875023B_发明授权_US06875023B1 Data bank providing connectivity among multiple mass storage media devices using daisy chained universal bus interface
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：无（人工评估）
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）（未公开） | 对比文件[00026]：“The unit includes an enclosure 10 that houses multiple mass storage devices 12-1, 12-2, . . . , 12-n that fit into device brackets 14.” 翻译：“所述单元包括容纳多个海量存储设备12-1、12-2、……、12-n的外壳10，这些设备安装在设备支架14中。” 对比文件整体涉及数据存储系统，没有衬底、单元(OLED)、接触区或封装的结构。 | 目标专利的器件特指具有OLED单元、接触区和薄膜封装的衬底结构，用于电连接和封装保护。对比文件描述的是存储设备外壳及其内部组件，不涉及OLED、接触区或薄膜封装，本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝（未公开） | 对比文件未提及任何封装薄膜或氮化硅、碳化硅、氧化铝等材料。 | 目标专利的封装薄膜是无机材料薄膜，用于阻挡水汽。对比文件完全没有薄膜封装或相关材料的内容，无法直接或隐含公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）（未公开） | 对比文件未公开任何封装覆盖接触区的结构。 | 对比文件没有接触区，也没有封装，该特征不能被公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上（未公开） | 对比文件[00043]：“a USB cable 50-1 containing USB plugs 52-1 and 54-1” 翻译：“包含USB插头52-1和54-1的USB电缆50-1”。该电缆用于连接桥接板，并非设置在封装上。 | 目标专利的导体直接设置在封装表面，用于后续焊接。对比文件中的电缆连接的是桥接板端口，不存在封装，且设置方式完全不同，无法公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连（未公开） | 对比文件未涉及导体与接触区通过封装互连，也没有任何移除封装的步骤。 | 目标专利的核心在于利用超声焊接直接穿透封装实现连接，对比文件完全没有类似工艺或结构，无法公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接（未公开） | 对比文件未提及超声焊接。 | 超声焊接是目标专利的关键工艺，对比文件涉及的是USB接口连接，没有焊接步骤，无法公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线（隐含公开） | 对比文件[00043]：“a USB cable 50-1 containing USB plugs 52-1 and 54-1” 翻译：“包含USB插头52-1和54-1的USB电缆50-1”；[00030]提及“Kanguru Disk™ drive”等，均使用电缆作为导体。本领域公知USB电缆内部包含金属导线。 | 对比文件中的电缆是导体，其内部必然包含金属线（如铜线），这是本领域公知常识。虽然对比文件未明确描述“金属线”，但本领域技术人员可以合理推断电缆导体包括金属线，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银（隐含公开） | 对比文件[00043]同上，电缆为常规圆形结构，但本领域公知USB电缆通常采用铜导线。对比文件未具体说明材料，但可合理推断。 | 对比文件未公开金属线为扁平形状，但本领域技术人员知晓USB电缆导线通常使用铜，因此“包含铜”这一选项被隐含公开。由于“和/或”允许选择，故特征H整体被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极（未公开） | 对比文件未公开任何接触区或电极结构。 | 目标专利的接触区是OLED的电极，对比文件无对应结构，无法公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）（未公开） | 对比文件未公开封装覆盖单元和接触区。 | 对比文件无封装、单元或接触区，无法公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间（未公开） | 对比文件未提及超声焊接或任何频率参数。 | 超声焊接参数是目标专利的特定工艺条件，对比文件无相关记载，无法公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间（未公开） | 对比文件未提及超声焊接或任何频率参数。 | 同上，无法公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz（未公开） | 对比文件未提及超声焊接或任何频率参数。 | 同上，无法公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）（未公开） | 对比文件未涉及OLED器件。 | 目标专利的产品是OLED，对比文件是数据存储系统，无OLED结构，无法公开。 |
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