对比文件名称：2010-07-01_US2010168583A_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS
目标专利名称：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
本次调用模型名称：DeepSeek
根据对目标专利说明书和对比文件的深入分析，现创建特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中<br>**未被公开** | 对比文件描述了压电微机械超声换能器(pMUT)阵列。例如，[0047]段描述了“piezoelectric array elements 22”和“pMUT array”。[0057]段提及“The width or diameter of the piezoelectric elements 22 may range from about 50 μm to about 300 μm with center-to-center spacing...”。 | 对比文件公开了压电超声换能器元件阵列（pMUT阵列），但未公开“超像素区”的概念。目标专利中的“超像素区”是一个特定分区，包含至少两个有明确空间位置关系的像素组（中心部分和外部部分），用于实现特定的波束成形功能。对比文件中的阵列元素是均匀排列的，没有这种将多个像素组织成具有中心-外围结构的功能性子单元（超像素）的教导。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征B**：收发器电子装置<br>**《直接公开》** | [0051]段：“The semiconductor device 44 may be any semiconductor device known in the art, including a wide variety of electronic devices, such as flip-chip package assemblies, transistors, capacitors, microprocessors, random access memories, multiplexers, voltage/current amplifiers, high voltage drivers, etc. ... the semiconductor device 44 is a complementary metal oxide semiconductor chip (CMOS) chip.”<br>[0090]段：“...integrating a second multiplexing ASIC...”、“...integrated multiplexing and high voltage driver circuitry...”。 | 对比文件多次提及并详细描述了与pMUT阵列连接和/或集成的控制电路、ASIC设备、信号调节电路等（如[0051]段的CMOS芯片、[0090]段的放大器ASIC、多路复用器、高压驱动器等），这些电子装置用于驱动换能器发射和/或处理接收信号，属于“收发器电子装置”的范畴。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合<br>**《直接公开》** | [0047]段：“...the connection is made through solder bumps 46 connecting the conformal conductive layer 42 to solder pads 48 on the semiconductor device 44.”<br>[0053]段：“The patterned through-wafer interconnects 42 provide direct electrical connection from the piezoelectric membranes 35 to the semiconductor device 44...”<br>[0065]段：“...epoxy bonding method...”、“...electrical connections formed similarly.” | 对比文件详细描述了pMUT阵列与半导体设备（即收发器电子装置）之间的多种电耦合方式，包括通过凸块连接（[0047]）、穿硅通孔互连（[0053]）以及环氧树脂键合互连（[0065]）等。这些连接构成了两者之间的电耦合。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列<br>**未被公开** | 对比文件主要描述了通过施加DC偏置（[0032], [0040]等）或特定形式的发射电压（[0033], [0039]等）来增强pMUT接收信号的方法。未描述在两种不同的波束发射模式（如平面波模式和聚焦波束模式）之间进行选择性操作。 | 目标专利的核心创新点之一在于收发器电子装置可被选择性地配置，使同一阵列在两种截然不同的模式（平面波发射和聚焦波束发射）下工作。对比文件关注的是通过偏置或脉冲波形优化单个换能器或阵列的接收灵敏度或发射输出，并未教导或暗示该电子装置可被配置为在目标专利所定义的两种特定发射波束模式（第一模式和第二模式）之间进行选择。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波<br>**未被公开** | 对比文件提到了应用发射电压以产生声学信号（例如[0039]段：“applying a bipolar transmit voltage to the pMUT to emit acoustic energy”），但并未具体描述产生“基本上平面超声波”的模式。图1A及其说明在目标专利中用于描述平面波激励，而对比文件中无对应内容。 | “基本上平面超声波”是目标专利第一模式的特征，其声压在阵列上相对均匀（如目标专利图1A细节B所示）。对比文件虽然提到了发射声学信号，但完全没有涉及“平面波”激励的概念、实现方式或其产生的声压场特征。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**未被公开** | 对比文件未提及“超像素区”。其内容聚焦于通过电学方法（DC偏置、脉冲波形）增强单个换能器元件的性能，未涉及通过控制阵列内不同组元件的发射时序（波束成形）来产生“经聚焦波束”，也未曾比较不同操作模式下的声压大小关系。 | 该技术特征定义了第二模式的核心效果：从每个超像素区产生聚焦波束，且其声压显著高于第一模式的平面波声压。这依赖于超像素区的结构以及向不同像素组施加延迟信号的波束成形技术。对比文件既未公开“超像素区”结构，也未公开基于此类结构的波束成形操作以实现聚焦和高声压。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**未被公开** | 对比文件描述了阵列元素与电子装置之间的电连接（如技术特征C所述），例如每个元件通过穿硅通孔42连接到半导体设备44（[0053]）。[0052]段提到“the individual elements may be separately driven”。 | 目标专利该特征的关键在于“像素组”与“驱动输入端子”之间的固定连接关系，即属于同一组的多个像素共享一个驱动输入端子。对比文件虽然公开了每个元件可以单独驱动（[0052]），但这意味着每个元件或每组信号线可能是独立寻址的，并未公开将空间上分组的多个像素（如中心组、外部组）通过“经固定配置的导电路径”分别连接到不同的、共享的驱动输入端子（第一、第二驱动输入端子）这种硬连线分组方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者<br>**未被公开** | 参见对特征D、E、G的论述。对比文件未公开“第一驱动输入端子”和“第二驱动输入端子”的概念，也未描述在一种模式下向这些端子“同时发射信号”以产生平面波的操作。 | 该技术特征是实现第一模式（平面波）的具体驱动方法。由于对比文件未公开“驱动输入端子”分组的概念（特征G），也未公开平面波模式（特征E），因此更不可能公开在此模式下同时向这些分组端子发射信号的具体操作。本领域技术人员无法从对比文件中得出该技术方案。 |
| **技术特征I**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**未被公开** | 对比文件未公开基于像素组和分组驱动输入端子的波束成形操作。其内容不涉及通过控制到达不同组元件的信号之间的时间延迟来形成聚焦波束。 | 该技术特征是实现第二模式（聚焦波束）的具体驱动时序，是波束成形的关键。由于对比文件未公开像素分组、分组驱动端子（特征G）以及聚焦波束模式（特征F），因此不可能公开这种依序发射并引入特定时间延迟以达成聚焦的操作方法。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素<br>**未被公开** | 对比文件未描述“超像素区”。虽然[0057]段提到了元件尺寸和间距，且图2-3等显示了阵列，但并未具体公开由七个像素以六边形方式布置构成的子单元（超像素）。 | 这是超像素区的一种具体几何实施方式。对比文件中的阵列是整体性的，没有划分出这种具有特定形状和像素数量的重复性子单元（超像素）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**未被公开** | 对比文件未公开“超像素区”，因此也不可能公开超像素区内的“第一像素组”及其包含一个中心像素的特征。 | 该技术特征依附于特征J定义的超像素区结构。由于特征J未被公开，且对比文件阵列中未体现出这种中心-外围的像素分组关系，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**未被公开** | 同上，对比文件未公开“超像素区”及内部的像素分组和空间位置关系。 | 该技术特征进一步定义了第二像素组在超像素区中的具体位置和构成。由于超像素区及其内部结构未被对比文件公开，该特征也无法被得出。 |
| **技术特征M**：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素<br>**未被公开** | 对比文件未公开任何“超像素区”的概念，更未公开由十九个像素构成的六边形超像素区。 | 这是另一种更复杂的超像素区实施方式。对比文件中完全没有对应的教导或启示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**未被公开** | 同特征K的论述。对比文件未公开超像素区及其中心像素组。 | 该特征与特征K类似，是特征M所定义超像素区的内部结构的一部分。由于特征M未被公开，该特征也未被公开。 |
| **技术特征O**：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素<br>**未被公开** | 同特征L的论述。对比文件未公开超像素区及其像素分组和等距关系。 | 该特征与特征L类似，是特征M所定义超像素区的内部结构的一部分。由于特征M未被公开，该特征也未被公开。 |
| **技术特征P**：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**未被公开** | 对比文件未公开任何具有多个同心环状像素组的超像素区结构，也未描述像素组之间基于距中心距离的比较关系。 | 该技术特征定义了超像素区内多个像素组之间精确的相对位置关系，这是实现复杂波束成形的基础。对比文件中完全没有此类结构或关系的任何暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子<br>**未被公开** | 同特征G的论述。对比文件未公开将像素分组并连接到共享驱动输入端子的“经固定配置的导电路径”。 | 该技术特征是特征G在包含更多像素组（第三、第四组）场景下的具体化。由于对比文件未公开像素分组和分组驱动连接的基本概念（特征G），因此该更具体的特征也未被公开。 |
| **技术特征R**：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子<br>**未被公开** | 同特征G和Q的论述。 | 同上，该特征依赖于像素分组和分组连接的概念，未被对比文件公开。 |
| **技术特征S**：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子<br>**未被公开** | 同特征G和Q的论述。 | 同上，该特征依赖于像素分组和分组连接的概念，未被对比文件公开。 |
| **技术特征T**：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子<br>**未被公开** | 同特征G和Q的论述。 | 同上，该特征依赖于像素分组和分组连接的概念，未被对比文件公开。 |
| **技术特征U**：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**未被公开** | 对比文件公开了半导体设备（收发器电子装置）与阵列之间的整体电耦合（特征C），但未公开与特定像素组对应的“第一驱动输入端子”、“第二驱动输入”等具体端子及其耦合关系。 | 该技术特征的前提是存在多个对应于不同像素组的驱动输入端子（特征Q-T）。由于这些驱动输入端子本身未被对比文件公开，因此它们与收发器电子装置的耦合关系也无从谈起。该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者<br>**未被公开** | 同特征H的论述。对比文件未公开多个分组驱动输入端子的概念，也未公开同时向所有这些端子发射信号以产生平面波的第一模式。 | 该技术特征是特征H在具有四个驱动输入端子场景下的扩展。由于特征H所依赖的基础概念（分组端子、平面波模式）均未被对比文件公开，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征W**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟<br>**未被公开** | 同特征I的论述。对比文件未公开基于多个分组驱动输入端子的波束成形操作，也未公开向这些端子依序发射信号并引入特定延迟以实现聚焦的方法。 | 该技术特征是特征I在具有四个驱动输入端子场景下的具体化和扩展，描述了更复杂的延迟序列。由于特征I所依赖的基础概念（分组端子、聚焦波束模式、延迟时序）均未被对比文件公开，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征X**：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟<br>**未被公开** | 同特征W的论述。 | 该特征是特征W所述延迟序列的一部分。由于特征W整体未被公开，该部分细节也未被公开。 |
| **技术特征Y**：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**未被公开** | 同特征W的论述。 | 该特征是特征W所述延迟序列的一部分。由于特征W整体未被公开，该部分细节也未被公开。 |
| **技术特征Z**：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**《直接公开》** | [0072]段：“Polymer passivation layer 190 provides electrical and chemical insulation from fluid that may come in contact with the device surface during use (e.g., blood, water, silicone gel), and may also serves as an acoustic matching layer providing a lower acoustic impedance layer between the transducer face and the fluid.”<br>[0085]段：“Acoustic matching material 550, 650 may be a low elastic modulus polymer, water or silicone gel.” （对应图9，10中的550，650）<br>图9，10，11，16等显示了探头外壳和声学窗口（acoustic window）。 | 对比文件明确公开了在pMUT阵列上方设置声学匹配层（acoustic matching layer）或声学匹配材料（acoustic matching material），例如聚合物、水或硅胶，这些构成了“声学耦合介质”。此外，探头的外壳或声学窗口（如[0085]段的acoustic window 540， 640）起到了“台板”的作用，超声信号经由这些介质和窗口/台板进行收发。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
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