对比文件名称：2013-02-07_KR1020130014619A_发明公开_KR1020130014619A 굴곡 모드 압전 트랜스듀서를 사용하는 보강된 초음파 촬영 프로브
目标专利名称：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
模型名称：本次调用由DeepSeek最新模型处理。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中** | 对比文件描述了压电微机械超声换能器(pMUT)阵列。例如，图2及相应描述展示了pMUT阵列结构体(80)。段落[0051]提到：“압전 소자(22)의 폭 또는 직경은 약 10 ㎛ 내지 약 500 ㎛의 범위일 수 있고, 약 15 ㎛ 내지 약 1000 ㎛의 중심간 간격을 갖는다.” (压电元件(22)的宽度或直径可以在约10 μm至约500 μm的范围内，并且具有约15 μm至约1000 μm的节距。) | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>对比文件公开了pMUT元件可以排列成阵列，这属于本领域的常规技术。然而，对比文件完全没有提及“超像素区(superpixel)”这一核心概念。目标专利中的“超像素区”是一个特定划分的功能性子区域，每个超像素区包含按“中心部分”和“外部部分”分组的至少两个像素组，这种分组结构是实现可切换的平面波模式和聚焦波束模式的基础。对比文件中的阵列描述仅涉及单个换能器元件的尺寸和间距，没有揭示将阵列划分为多个包含内部和外部像素组的功能性子单元（超像素）的任何教导或暗示。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“超像素区”及其内部像素分组结构。 |
| **技术特征B：收发器电子装置** | 对比文件多次提及控制电路、ASIC（专用集成电路）等电子装置。例如，段落[0046]：“반도체 디바이스(44)는 플립-칩 패키지 조립체, 트랜지스터, 커패시터, 마이크로프로세서, 임의 접근 메모리, 다중화기, 전압/전류 증폭기, 고전압 드라이버 등과 같은 광범위한 전자 디바이스를 포함하는...” (半导体装置(44)可以包括广泛的电子设备，例如倒装芯片封装组件、晶体管、电容器、微处理器、随机存取存储器、多路复用器、电压/电流放大器、高压驱动器等。) 段落[0083]提及了多路复用、放大、信号调节、高压驱动、波束形成、定时电路等。 | **《直接公开》** <br>对比文件明确公开了与pMUT阵列集成或连接的电子装置，其功能包括驱动（发射）、信号接收、处理和控制（如多路复用、波束形成），这些功能完全对应于目标专利中的“收发器电子装置”。本领域技术人员能够毫无疑义地确认对比文件中的控制电路、ASIC等即为收发器电子装置。 |
| **技术特征C：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合** | 对比文件详细描述了pMUT阵列与半导体装置（即电子装置）之间的电互连。例如，段落[0042]：“패터닝된 웨이퍼-관통 상호 접속부(42)는 압전 멤브레인(35)으로부터 개구(30) 내의 접지 패드(24) 및 반도체 디바이스(44)로의 직접적인 전기적 접속을 제공한다.” (图案化的穿通互连部(42)提供从压电膜(35)到开口(30)内的接地垫(24)和半导体装置(44)的直接电连接。) 段落[0047]也说明了互连的作用。 | **《直接公开》** <br>对比文件明确公开了通过穿通互连（TSV）等方式实现pMUT阵列与半导体控制装置之间的直接电连接，这构成了“电耦合”。其作用是为驱动信号和接收信号提供通路，与目标专利中电耦合的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列** | 对比文件主要聚焦于通过施加DC偏压或超过矫顽电压的驱动信号来“增强”接收信号的方法（例如段落[0030]-[0038]），并未描述或暗示收发器电子装置被配置为在两种不同的波束形成模式（平面波 vs 聚焦波束）之间进行“可选择”的操作。其操作核心是信号增强，而非波束形成模式的切换。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>目标专利的D特征限定了收发器电子装置的一种特定配置能力：能够选择性地以第一模式（平面波）或第二模式（聚焦波束）操作阵列。这是实现双重成像功能（如指纹表皮成像和皮下成像）的关键。对比文件完全没有提及任何关于在两种产生不同声场特性（平面波 vs 从每个超像素区产生的聚焦波束）的操作模式之间进行选择或切换的内容。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这种可选择的模式操作配置。 |
| **技术特征E：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波** | 对比文件没有描述阵列产生“基本上平面超声波”的操作模式。其关注点在于单个或阵列pMUT的发射与接收，以及如何增强接收信号，并未涉及通过特定方式驱动整个阵列以产生平面波前。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>产生“基本上平面超声波”是目标专利中第一模式的特定效果，其技术要求所有或分组像素被同时或以相同相位驱动。对比文件既未公开这种操作模式，也未描述产生平面波的技术手段或效果。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。** | 对比文件没有提及“超像素区”，更没有描述从每个这样的子区域产生“经聚焦波束”。虽然段落[0083]提到了“빔 형성기”（波束形成器），但这是在ASIC可能集成的电路功能的一般性列举中，并未具体描述如何通过控制阵列中不同组像素的发射时序来实现聚焦波束，也未见“从每一超像素区产生”聚焦波束的限定。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征与超像素区结构（特征A）和可选择的模式操作（特征D）紧密关联。由于对比文件未公开超像素区，也未公开从每个子区域产生聚焦波束的操作模式，因此无法公开此特征。此外，“第二声压显著高于第一声压”这一比较关系，也因两种模式均未被公开而无从谈起。 |
| **技术特征G：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。** | 对比文件公开了阵列中每个pMUT元件通过穿通互连等路径与电子装置连接（见特征C的引用）。然而，这些连接是针对单个元件的互连（例如段落[0046]提到每个压电元件可从相邻元件电绝缘并可被单独驱动），并未公开根据像素在“超像素区”中的位置（中心部分 vs 外部部分）将其分组，并通过“经固定配置的导电路径”连接到不同的“驱动输入端子”的特定布线架构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征详细限定了为实现不同模式操作而设计的特定电耦合架构：根据像素在超像素中的分组，通过硬连线的路径连接到不同的驱动输入端子。对比文件虽然公开了元件与电子装置之间的电连接，但连接方式是针对个体元件的寻址或互连，并未揭示这种按“中心/外部”位置分组并对应不同驱动端子的固定布线配置。本领域技术人员无法从对比文件中推断出该特定架构。 |
| **技术特征H：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者** | 对比文件没有描述“同时发射信号到第一驱动输入端子和第二驱动输入端子”的操作，因为这依赖于特征G中未被公开的特定分组驱动端子架构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征描述了在第一模式（平面波模式）下对特定分组驱动端子的信号发射时序。由于对比文件既未公开分组驱动端子架构（特征G），也未公开平面波模式（特征E），因此无法公开此特征。 |
| **技术特征I：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。** | 对比文件没有描述“依序发射信号到第一驱动输入端子和第二驱动输入端子”并引入“时间延迟”的操作，因为这依赖于特征G中未被公开的特定分组驱动端子架构以及特征F中未被公开的聚焦波束模式。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征描述了在第二模式（聚焦波束模式）下，通过对不同分组驱动端子依序施加具有时间延迟的信号来实现波束成形。对比文件完全没有涉及这种基于像素组位置的时间延迟发射序列。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素** | 对比文件未提及“超像素区”，也未描述由七个像素按六边形排列构成的任何子阵列结构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征是对超像素区（特征A）的一种具体实施例的进一步限定。由于超像素区这一上位概念未被公开，其具体的六边形七像素实施例也无法被公开。对比文件中的阵列排列（如可能存在的六方晶格）是针对整个阵列的，而非划分为多个此类特定几何形状的功能性子单元。 |
| **技术特征K：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素** | 同特征J，依赖于未被公开的超像素区结构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征是对特征J实施例中第一像素组的具体说明。由于特征J未被公开，该特征也无法被公开。 |
| **技术特征L：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。** | 同特征J，依赖于未被公开的超像素区结构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征是对特征J实施例中第二像素组的具体说明。由于特征J未被公开，该特征也无法被公开。 |
| **技术特征M：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素** | 对比文件未提及“超像素区”及“像素组”的划分，更未公开包含十九个像素的六边形超像素区及其第三、第四像素组。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>这是超像素区的另一种具体实施例。由于超像素区的基本概念未被公开，该具体实施例也无法被公开。 |
| **技术特征N：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素** | 同特征M，依赖于未被公开的超像素区结构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>由于特征M未被公开，该特征也无法被公开。 |
| **技术特征O：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素** | 同特征M，依赖于未被公开的超像素区结构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>由于特征M未被公开，该特征也无法被公开。 |
| **技术特征P：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。** | 同特征M，依赖于未被公开的超像素区结构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>由于特征M未被公开，该特征也无法被公开。 |
| **技术特征Q：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子** | 该特征与特征G类似，但针对包含更多像素组的实施例。对比文件未公开按超像素中心/外部位置分组并连接到不同驱动端子的固定导电路径架构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>同特征G的论述，对比文件未公开该特定的分组连接架构。 |
| **技术特征R：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子** | 同特征Q。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>同特征G的论述。 |
| **技术特征S：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子** | 同特征Q。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>同特征G的论述。 |
| **技术特征T：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子** | 同特征Q。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>同特征G的论述。 |
| **技术特征U：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。** | 对比文件公开了电子装置与阵列间的电连接，但未公开与特定像素组对应的多个独立驱动输入端子的架构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>该特征限定了多个驱动输入端子均与收发器电子装置耦合。虽然电子装置与阵列有电耦合是公知的，但这里的“驱动输入端子”特指连接特定像素组的端点，该架构未被对比文件公开。 |
| **技术特征V：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者** | 该特征依赖于特征D、E、Q-U等未被公开的模式和架构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>由于所依赖的多个上位特征均未被公开，该具体操作时序特征也无法被公开。 |
| **技术特征W：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟** | 该特征依赖于特征D、F、I、Q-U等未被公开的模式、效果和架构。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>由于所依赖的多个上位特征均未被公开，该具体且复杂的依序发射和时间延迟特征也无法被公开。 |
| **技术特征X：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟** | 同特征W。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>同特征W的论述。 |
| **技术特征Y：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。** | 同特征W。 | **《未直接公开也未隐含公开》** <br>同特征W的论述。 |
| **技术特征Z：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。** | 对比文件图1C、1D及相应描述公开了类似结构。例如，段落[0039]描述了“盖玻璃(1190c)”和“声学耦合介质(1165b)”，段落[0079]描述了“음향 윈도우(540)”和“음향 정합 재료(550)”。 | **《直接公开》** <br>对比文件明确公开了在换能器阵列上方设置声学窗口（相当于台板）和声学耦合介质（例如匹配材料），阵列通过它们发射和接收超声信号。其作用是为超声波提供传播路径并改善耦合，与目标专利中台板和耦合介质的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
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