对比文件的名称：1994-09-21_EP0616376A_发明公开_EP0616376A1 Wafer bonding of light emitting diode layers
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI Assistant
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) — **直接公开** | 段落[0041]：“本发明实施的第一步是选择基板30，并在其上顺序生长多个LED层。” 段落[0042]：“示例性的临时生长基板30是GaAs基板…然后在生长基板30上生长四个LED层32、34、36、38。” | 对比文件明确公开了在临时生长基板（相当于生长基板）上生长半导体结构（LED层），因此特征A被直接公开。 |
| 特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 — **直接公开** | 段落[0043]：“基板30上方的层32是n掺杂缓冲层…n掺杂AlGaInP下限制层…有源层36…p掺杂AlGaInP上限制层38。” 段落[0044]：“有源层36…上限制层38…完成图4的结构。” | 对比文件公开了LED结构包括n型层、有源层（发光层）、p型层，发光层位于n型区和p型区之间，因此特征B被直接公开。 |
| 特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) — **未公开** | 对比文件未公开该特征。对比文件使用晶圆键合技术将半导体结构直接附着到另一基板，而非通过导电互连。 | 对比文件记载的附着方式为晶圆键合，整个表面直接键合，没有使用导电互连进行附着，因此特征C未被公开。 |
| 特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) — **未公开** | 对比文件未公开该特征。对比文件虽提及在图案化键合中形成空腔（如[0062]的凹陷140），但空腔未被填充，而是保持为空洞。 | 对比文件没有引入底部填料，因此特征D未被公开。 |
| 特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 — **未公开** | 对比文件未公开该特征。 | 对比文件未涉及底部填料，因此特征E未被公开。 |
| 特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) — **未公开** | 段落[0045]：“移除生长基板可以通过多种方式完成，包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子铣削或其任意组合。” 未提及激光解离。 | 对比文件未公开激光解离移除方式，因此特征F未被公开。 |
| 特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料的引入，因此特征G未被公开。 |
| 特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料固化，因此特征H未被公开。 |
| 特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料层，因此特征I未被公开。 |
| 特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料层开口，因此特征J未被公开。 |
| 特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 — **未公开** | 对比文件未公开该特征。对比文件在图案化键合中蚀刻的是键合层的表面（如[0061]的凹陷140），并非蚀刻LED结构中的p型区和有源区以暴露n型区。 | 对比文件未公开在附着前蚀刻p型区和有源区以暴露n型区的步骤，因此特征K未被公开。 |
| 特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 — **直接公开** | 段落[0048]：“在上限制层38上形成电极44…在透明基板42上形成第二电极46。” 段落[0054]：“可以在要键合的基板42的上表面形成薄接触区域…在LED结构的最下层32上形成对应的接触区域。” | 对比文件公开了在LED结构上形成n接触和p接触。具体地，在移除生长基板后，在暴露的n型区（缓冲层32）上通过键合导电基板或直接形成接触区域，在上层p型区形成电极，从而形成n接触和p接触。因此特征L被直接公开。 |
| 特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 — **未公开** | 对比文件未公开该特征。对比文件虽提及金属化接触，但并没有通过互连将载体上的金属层连接到接触。 | 对比文件未涉及导电互连以及载体上的金属层，因此特征M未被公开。 |
| 特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 — **未公开** | 对比文件未公开该特征。 | 对比文件未涉及互连的耦合位置及距离限制，因此特征N未被公开。 |
| 特征O：其中该底部填料包括有机材料 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料，因此特征O未被公开。 |
| 特征P：其中该底部填料包括无机材料 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料，因此特征P未被公开。 |
| 特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料，因此特征Q未被公开。 |
| 特征R：其中该底部填料包括硅树脂 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料，因此特征R未被公开。 |
| 特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及底部填料，因此特征S未被公开。 |
| 特征T：其中该至少一个互连包括金 — **未公开** | 段落[0075]提到使用金锗(AuGe)合金或金锌(AuZn)合金形成接触（n型或p型接触），但并未公开互连包括金。 | 对比文件未涉及导电互连，因此特征T未被公开。 |
| 特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 — **未公开** | 对比文件未公开。对比文件使用晶圆键合，通过高温加压实现附着，而非超声焊接。 | 对比文件未公开超声焊接，因此特征U未被公开。 |
| 特征V：其中该至少一个互连包括焊料 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及互连，因此特征V未被公开。 |
| 特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 — **未公开** | 段落[0060]列出可用的材料包括GaN、AlN等，但并未明确将半导体结构限定为III-氮化物结构，也未指定生长基板为蓝宝石（对比文件实施例使用GaAs基板）。 | 对比文件未公开半导体结构为III-氮化物且生长基板为蓝宝石的组合，因此特征W未被公开。 |
| 特征X：移除包括通过激光解离进行移除 — **未公开** | 段落[0045]列举了移除方法，不包括激光解离。 | 对比文件未公开激光解离移除，因此特征X未被公开。 |
| 特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 — **未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及激光解离，因此特征Y未被公开。 |
| 特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 — **直接公开** | 段落[0045]：“移除生长基板可以通过多种方式完成，包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子铣削或其任意组合。” | 对比文件明确公开了移除生长基板包括化学蚀刻等方式，因此特征Z被直接公开。 |
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