对比文件名称：1998-07-07_US5777433A_发明授权_US5777433A High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) —— 未公开 | 对比文件未提及生长基板，也未涉及提供在生长基板上生长的半导体结构的步骤。 | 对比文件仅描述了LED芯片12的结构（图2），未公开任何关于生长基板的内容，更未涉及提供在生长基板上生长的半导体结构这一步骤。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得到该特征。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 ——《直接公开》 | 对比文件[2]图2显示p-type layer 22 formed on n-type layer 23，且说明书[2]描述“p-n junction 13 of the LED chip 12 generates light”。 | 对比文件明确公开了LED芯片具有p型层和n型层，且p-n结产生光，该p-n结区域即为发光层，位于p型区和n型区之间。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) —— 未公开 | 对比文件[2]描述wire 13 connects electrical contact 44 to one side of LED chip 42，未公开载体及通过导电互连附着到载体。 | 对比文件虽涉及导线连接，但该连接是用于电气连接而非附着到载体，且未公开任何载体结构。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) —— 未公开 | 对比文件[2]描述package material 41 encapsulates the entire LED chip 42，未涉及空腔和底部填料。 | 对比文件仅公开了封装材料包裹整个芯片，未在半导体结构与载体之间形成空腔并引入底部填料，因此未公开该特征。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 —— 未公开 | 对比文件未公开底部填料及其支撑功能。 | 对比文件未涉及底部填料，更未公开其填充间隙提供刚性支撑的功能，因此未公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) —— 未公开 | 对比文件未提及生长基板移除，更无激光解离。 | 对比文件完全不涉及生长基板移除步骤，无激光解离相关教导，未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 —— 未公开 | 对比文件未公开底部填料及其引入方式。 | 对比文件无底部填料相关步骤，未公开液态底部填料材料的放置。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 —— 未公开 | 对比文件未公开底部填料固化。 | 对比文件无底部填料固化步骤，未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 —— 未公开 | 对比文件未公开刚性底部填料层。 | 对比文件未涉及底部填料层，更未提及在附着前形成，未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 —— 未公开 | 对比文件未公开开口形成。 | 对比文件无底部填料层，无开口形成，未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 —— 未公开 | 对比文件未涉及蚀刻步骤。 | 对比文件未公开任何蚀刻工艺，更未暴露n型区，未公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 —— 未公开 | 对比文件[2]图2显示metal layer 25 contacts n-type layer 23, metal layer 20 on p-type layer 22，但未在蚀刻暴露后形成。 | 对比文件虽公开了金属层作为接触，但其形成方式与特征L的蚀刻暴露后形成不同，且未公开相关步骤，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 —— 未公开 | 对比文件未公开载体上的金属层及互连连接。 | 对比文件无载体概念，无载体上金属层，互连未涉及，未公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 —— 未公开 | 对比文件未公开互连位置及距离。 | 对比文件无载体，无互连耦合到底部表面，无距离限定，未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 ——《隐含公开》 | 对比文件[2]记载“The package 11 is typically a thermoset material, such as epoxy or thermo-plastic material”以及“host material can be epoxy, glass, plastics, or thermo-plastics”。 | 对比文件明确公开了有机材料（如环氧树脂、塑料等）用于封装，但未直接公开其为底部填料。然而，本领域技术人员公知底部填料常用有机材料，且对比文件部分公开了有机材料，该内容有可能与其他对比文件组合公开底部填料包括有机材料，因此根据宽松标准，该特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 ——《隐含公开》 | 对比文件[2]记载“nanoparticles of a high refractive index material (e.g., TiO2)”以及列举MgO、YtO、ZrO2等无机材料。 | 对比文件公开了多种无机材料（如TiO2等）用于封装材料中，这些无机材料可作为底部填料的组成部分。对比文件部分公开了无机材料，有可能与其他对比文件组合公开底部填料包括无机材料，故隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 ——《隐含公开》 | 对比文件[2]多处提及“epoxy”作为host material，例如“the host material can be epoxy”。 | 对比文件明确公开环氧树脂作为封装材料，环氧树脂是底部填料的典型材料。对比文件部分公开了环氧树脂，有可能与其他对比文件组合公开底部填料包括环氧树脂，故隐含公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 —— 未公开 | 对比文件未提及硅树脂。 | 对比文件仅公开环氧、塑料等，未涉及硅树脂，因此未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 —— 未公开 | 对比文件公开了环氧树脂中的无机纳米颗粒，但未公开硅树脂。 | 对比文件未公开硅树脂，因此无法公开硅树脂中置入无机材料颗粒，未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 —— 未公开 | 对比文件未提及金。 | 对比文件未公开互连材料，更未指定金，未公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 —— 未公开 | 对比文件未提及超声焊接。 | 对比文件无附着步骤，更无超声焊接，未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 —— 未公开 | 对比文件未提及焊料。 | 对比文件未公开互连材料为焊料，未公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 —— 未公开 | 对比文件[2]提及LED芯片材料包括InGaAlN（III-氮化物），但未提及生长基板。 | 对比文件虽公开了III-氮化物材料，但未公开生长基板，更未指定蓝宝石，因此未公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 —— 未公开 | 对比文件未涉及移除基板。 | 对比文件无激光解离概念，未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 —— 未公开 | 对比文件未涉及激光扫描。 | 对比文件未公开激光解离及扫描，未公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 —— 未公开 | 对比文件未涉及蚀刻移除。 | 对比文件未公开任何蚀刻移除基板的技术，未公开。 |
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