对比文件的名称：2001-08-14_US6274924B_发明授权_US06274924B1 Surface mountable LED package
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) （未公开） | 对比文件描述：“LED die 16 is mounted directly or indirectly via a thermally conducting sub-mount 18 to the slug 10”（LED管芯16直接或通过导热子安装座18间接安装到散热片10上） | 对比文件仅提及LED管芯，但未公开该管芯是在生长基板上生长，也未提及任何生长基板，因此未公开本特征。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 （隐含公开） | 对比文件多次提及“LED die”，但未具体描述其内部结构。本领域技术人员熟知LED管芯必然包含n型层、p型层及位于二者之间的发光层。 | 对比文件虽然未明确记载n型区、p型区和发光层，但“LED die”本身即隐含了该基本结构，本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) （未公开） | 对比文件描述：“LED die 16 is mounted directly or indirectly via a thermally conducting sub-mount 18 to the slug 10”以及“Bond wires extend from the LED 16 and the submount 18 to metal leads on leadframe 12” | 对比文件中的半导体结构（LED管芯）附着到载体（散热片）是通过安装或子安装座，而非通过导电互连；导电互连（键合线）仅用于电气连接，不承担附着功能，因此未公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) （未公开） | 对比文件描述：“An optical lens may be added by mounting a pre-molded optically transparent thermoplastic lens and a soft optically transparent encapsulant or by casting an optically transparent epoxy to cover the LED or by a cast optically transparent epoxy lens over soft optically transparent encapsulant”（光学透镜可通过安装预成型的光学透明热塑性透镜和软光学透明封装剂，或通过浇铸光学透明环氧树脂覆盖LED，或通过软光学透明封装剂上的浇铸光学透明环氧树脂透镜来添加） | 对比文件中的软封装剂位于LED管芯与光学透镜之间的光学路径中，并非填充在半导体结构与载体之间的空腔，且未提及电绝缘底部填料，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 （未公开） | 对比文件描述封装剂为“soft material that provides low stress or cushioning”（提供低应力或缓冲的软材料） | 对比文件中的软封装剂提供缓冲而非刚性支撑，且未填充在半导体结构、载体和互连之间的间隙，因此未公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) （未公开） | 对比文件全文未提及生长基板移除，更未提及激光解离 | 对比文件涉及LED封装，完全不涉及生长基板的移除步骤，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 （未公开） | 对比文件未提及液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 | 对比文件无相关内容，未公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 （未公开） | 对比文件未提及液态底部填料及固化 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 （未公开） | 对比文件未提及预形成刚性底部填料层 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 （未公开） | 对比文件未提及开口 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 （未公开） | 对比文件未提及蚀刻步骤 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 （未公开） | 对比文件未提及形成接触的步骤 | 对比文件未公开该形成步骤。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 （未公开） | 对比文件描述键合线将LED管芯连接到引线框架上的金属引线，但载体（散热片）上未形成金属层；互连连接的是引线框架而非载体上的金属层 | 对比文件中的互连连接至引线框架的金属引线，而非载体（散热片）上的金属层，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 （未公开） | 对比文件描述键合线从LED管芯延伸，通常从顶部表面连接；未提及距离 | 对比文件未公开互连耦合到底部表面，也未公开距离小于50微米，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 （未公开） | 对比文件提到封装剂可为硅树脂或环氧树脂，这些是有机材料，但封装剂并非底部填料 | 对比文件中的有机材料用于光学封装剂，而非底部填料，且未公开底部填料包含有机材料，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 （未公开） | 对比文件未提及无机材料用于底部填料 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 （未公开） | 对比文件提到“铸造光学透明环氧树脂”用于透镜，但非底部填料 | 对比文件未公开底部填料包括环氧树脂。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 （未公开） | 对比文件提到封装剂可为硅树脂，但非底部填料 | 对比文件未公开底部填料包括硅树脂。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 （未公开） | 对比文件未提及颗粒 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 （未公开） | 对比文件提到“Bond wires”，但未指定材料 | 对比文件未明确互连为金，本领域技术人员不能唯一确定，故未公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 （未公开） | 对比文件未提及超声焊接 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 （未公开） | 对比文件未提及焊料 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 （未公开） | 对比文件未提及具体材料 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 （未公开） | 同特征F，对比文件未提及 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 （未公开） | 对比文件未提及 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 （未公开） | 对比文件未提及 | 对比文件未公开。 |
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