对比文件名称：1994-12-27_US5376580A_发明授权_US5376580A Wafer bonding of light emitting diode layers
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **A: 提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》** | “一个示例性的临时生长基板30是GaAs基板……然后在生长基板30上生长四个LED层32、34、36、38。”（见“BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION”部分，关于图4的描述） | 对比文件明确公开了在临时生长基板上生长半导体层（LED结构），与特征A相同。 |
| **B: 该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》** | “在生长基板30上生长n掺杂缓冲层32、n掺杂下限制层34、有源层36、p掺杂上限制层38。”（见“BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION”部分，关于图4的描述） | 对比文件公开了LED结构包括n型层、p型层和位于它们之间的有源层（发光层），与特征B相符。 |
| **C: 通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《未公开》** | 对比文件使用晶圆键合技术直接将透明基板键合到LED层，如“将导电、光学透明的基板42晶圆键合到缓冲层32”（见“BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION”部分，关于图6的描述）。没有提到通过导电互连进行附着。 | 对比文件采用直接晶圆键合，而非通过导电互连，因此未公开该特征。 |
| **D: 在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何底部填料或空腔填充，因此未公开。 |
| **E: 其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《未公开》** | 无。 | 对比文件未公开底部填料及其支撑作用。 |
| **F: 通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》** | 对比文件公开移除生长基板的方法包括化学蚀刻、研磨、反应离子蚀刻、离子铣削等，未提及激光解离。 | 对比文件未公开激光解离移除方法。 |
| **G: 其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《未公开》** | 无。 | 对比文件未公开液态底部填料。 |
| **H: 使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《未公开》** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **I: 其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **J: 在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》** | 无。 | 对比文件未公开。 |
| **K: 进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《未公开》** | 对比文件提到在键合前可以图案化晶圆，但未蚀刻p型区和有源区以暴露n型区。 | 对比文件未公开该蚀刻步骤。 |
| **L: 形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》** | “在上限制层38上形成电极44……在透明基板42上形成第二电极46。”（见“BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION”部分，关于图7的描述）电极44为p接触，电极46为n接触。 | 对比文件明确公开了形成与p型区电连接的p接触和与n型区电连接的n接触，因此与特征L相符。 |
| **M: 其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《未公开》** | 对比文件未公开互连连接载体金属层和接触。 | 对比文件未公开。 |
| **N: 其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》** | 无。 | 对比文件未公开互连位置及距离限定。 |
| **O: 其中该底部填料包括有机材料 《未公开》** | 无。 | 对比文件未公开底部填料成分。 |
| **P: 其中该底部填料包括无机材料 《未公开》** | 无。 | 未公开。 |
| **Q: 其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》** | 无。 | 未公开。 |
| **R: 其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》** | 无。 | 未公开。 |
| **S: 进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》** | 无。 | 未公开。 |
| **T: 其中该至少一个互连包括金 《未公开》** | 对比文件电极材料包括金合金，但未公开互连包括金。 | 对比文件未公开互连，因此该特征未公开。 |
| **U: 附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》** | 对比文件使用晶圆键合，通过压力和高温，未提及超声焊接。 | 未公开。 |
| **V: 其中该至少一个互连包括焊料 《未公开》** | 无。 | 未公开。 |
| **W: 其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《未公开》** | 对比文件使用GaAs基板，AlGaInP材料，非III-氮化物或蓝宝石。 | 未公开。 |
| **X: 移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》** | 无。 | 未公开。 |
| **Y: 其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》** | 无。 | 未公开。 |
| **Z: 其中移除包括通过蚀刻进行移除 《直接公开》** | “移除生长基板可以通过多种方式完成，包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子铣削或其任意组合。”（见“BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION”部分，关于图5的描述） | 对比文件明确公开了通过蚀刻（化学蚀刻、反应离子蚀刻等）移除生长基板，与特征Z相符。 |
综上所述，对比文件直接公开了技术特征A、B、L、Z，未公开其他特征。
<<<A>>><<<B>>><<<L>>><<<Z>>>