对比文件的名称：2004-03-11_DE69432426T_发明专利_DE69432426T2 Connecting layers of a light emitting diode
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) —— 直接公开** | 在“Bester Modus zum Ausführen der Erfindung”部分：<br>“ein Substrat auszuwählen, auf das eine Mehrzahl von LED-Schichten aufeinanderfolgend aufgewachsen wird. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das Substrat 30 ein temporäres Wachstumssubstrat…”。<br>翻译：选择衬底，在其上依次生长多个LED层。在一个优选实施例中，衬底30是临时生长衬底。 | 对比文件明确公开了在临时生长衬底（如GaAs）上生长LED结构，该生长衬底后续被移除。与目标专利特征A“提供在生长基板上生长的半导体结构”实质相同，因此直接公开。 |
| **特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 —— 直接公开** | 在“Bester Modus zum Ausführen der Erfindung”部分：<br>“Die Schicht 32 direkt oberhalb des Wachstumssubstrats 30 ist eine n-dotierte Pufferschicht. Oberhalb der Pufferschicht ist eine tiefere Sperrschicht aus n-dotiertem AlGaInP aufgewachsen. … Eine aktive Schicht 36 aus AlGaInP ist zu einer beispielhaften Dicke von 500 nm aufgewachsen. Eine obere Sperrschicht 38 aus p-dotiertem AlGaInP vervollständigt dann die Struktur…”。<br>翻译：生长衬底30正上方的层32是n型掺杂的缓冲层。缓冲层上方生长了n型掺杂的AlGaInP下限制层。…活性层36由AlGaInP生长，典型厚度500nm。p型掺杂的AlGaInP上限制层38完成该结构。 | 对比文件公开了LED结构包括n型层（32、34）、p型层（38）以及位于它们之间的活性层（36），活性层用于发光，即发光层。与特征B完全一致，直接公开。 |
| **特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) —— 未公开** | 无相关内容。对比文件公开了通过晶圆键合将透明衬底直接键合到LED结构，未使用导电互连或载体。 | 对比文件使用晶圆键合技术将透明衬底（如GaP）直接与LED结构键合，没有使用任何单独的导电互连，也没有“载体”的概念。目标专利中的“导电互连”是用于将半导体结构附着到载体的独立结构，对比文件未公开。 |
| **特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有提到任何底部填料或空腔填充。晶圆键合界面直接接触，未引入绝缘材料填充空腔，因此未公开。 |
| **特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料，也没有互连，因此无法公开该特征。 |
| **特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) —— 未公开** | 在“Bester Modus zum Ausführen der Erfindung”部分：<br>“Die Entfernung des Wachstumssubstrats kann auf verschiedenen Wegen, einschließlich chemisches Ätzen, Läppen/Polieren, reaktives Ionenätzen, Ionenstrahlätzen oder einer Kombination derselben erreicht werden.”<br>翻译：生长衬底的移除可以通过多种方式实现，包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子束蚀刻或其组合。 | 对比文件明确列举了移除生长衬底的方法，但不包括激光解离。该方法与目标专利的激光解离完全不同，因此未公开。 |
| **特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料引入步骤，更未提及液态底部填料材料，因此未公开。 |
| **特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料，因此没有固化步骤，未公开。 |
| **特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有在附着前形成刚性底部填料层，因此未公开。 |
| **特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料层，也没有互连开口，因此未公开。 |
| **特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 —— 未公开** | 对比文件在结构化晶圆键合中描述了蚀刻凹槽（如Vertiefungen 140），但目的是为了电流限制或光提取，并非为了暴露n型区，且未在附着载体之前进行。 | 对比文件没有公开在附着前蚀刻p型和有源区以暴露n型区的步骤。其蚀刻步骤用于形成结构特征，而非用于暴露n型区制作接触，因此未公开。 |
| **特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 —— 未公开** | 对比文件公开了形成电极（Elektrode 44 auf oberer Sperrschicht 38; Elektrode 46 auf transparentem Substrat 42），但电极46形成在透明衬底上，并非直接形成在n型区的暴露部分；且未明确提及“暴露部分”。 | 对比文件虽然形成了电极，但n接触是通过透明衬底间接连接到n型区，而非直接形成在暴露的n型区上。目标专利特征L要求与暴露部分直接电气连接，对比文件未公开该具体方式，因此未公开。 |
| **特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有互连结构，也没有载体上形成的金属层，因此未公开。 |
| **特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有互连结构，也没有距离参数，因此未公开。 |
| **特征O：其中该底部填料包括有机材料 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料，因此未公开材料。 |
| **特征P：其中该底部填料包括无机材料 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料，因此未公开。 |
| **特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料，因此未公开。 |
| **特征R：其中该底部填料包括硅树脂 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有底部填料，因此未公开。 |
| **特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件无底部填料，也无颗粒，因此未公开。 |
| **特征T：其中该至少一个互连包括金 —— 未公开** | 对比文件提到金作为电极材料（如AuGe, AuZn），但未提到互连包括金。 | 对比文件没有互连结构，因此未公开互连材料。 |
| **特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 —— 未公开** | 对比文件使用晶圆键合，涉及高温和压力，未提及超声焊接。 | 对比文件公开的附着方法是晶圆键合，与超声焊接不同，因此未公开。 |
| **特征V：其中该至少一个互连包括焊料 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件没有互连，也没有焊料，因此未公开。 |
| **特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 —— 未公开** | 对比文件中的半导体结构是AlGaInP等，生长基板是GaAs，不是III-氮化物和蓝宝石。 | 对比文件涉及的材料体系与III-氮化物/蓝宝石完全不同，因此未公开。 |
| **特征X：移除包括通过激光解离进行移除 —— 未公开** | 同特征F，对比文件列出移除方法包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子束蚀刻，不包括激光解离。 | 对比文件未公开激光解离，因此未公开。 |
| **特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 —— 未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开激光解离，更未公开激光扫描，因此未公开。 |
| **特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 —— 直接公开** | 在“Bester Modus zum Ausführen der Erfindung”部分：<br>“Die Entfernung des Wachstumssubstrats kann auf verschiedenen Wegen, einschließlich chemisches Ätzen, Läppen/Polieren, reaktives Ionenätzen, Ionenstrahlätzen oder einer Kombination derselben erreicht werden.”<br>翻译：生长衬底的移除可以通过多种方式实现，包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子束蚀刻或其组合。 | 对比文件明确公开了通过蚀刻（包括化学蚀刻、反应离子蚀刻、离子束蚀刻）移除生长衬底，与目标专利特征Z“移除包括通过蚀刻进行移除”一致，因此直接公开。 |
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