对比文件名称：2004-04-21_EP1411553A_发明公开_EP1411553A1 ELECTRONIC CIRCUIT COMPONENT
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》 | [0061]段：“Fig.1 is a cross sectional view of an electronic circuit component... An inductor element 4 is a spiral type inductor and is formed on the same plane as the upper electrode 3c of the capacitor element 3...”<br>[0096]段：“Fig.2... An inductor element 4 is a spiral type inductor and is formed of Cu.”<br>[0129]段：“Fig.3... An inductor element 4 is a spiral type inductor and is formed of Cu.”<br>[0169]段：“...the inductor element 30 were formed.”<br>[图16, 18, 20, 21]等多个实施例均描述了在基板（玻璃基板1）上形成电感元件（4, 14）。 | 对比文件公开了在绝缘基板（玻璃基板）上形成电感元件（如螺旋型电感器）。在目标专利中，“第一层级”是3DIC中的一个层级，包含电感器。对比文件中的“玻璃基板”及其上形成的电感元件，可以理解为构成了一个包含电感元件的层级。虽然对比文件未明确使用“第一层级”这一术语，但其描述的“在基板上形成电感器”的结构，本领域技术人员可以合理推断出存在一个包含该电感器的结构层（即层级）。因此，该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《未公开》 | 对比文件全文未提及“穿基板通孔电感器 (through-substrate via inductor)”。对比文件中描述的电感器是平面螺旋型电感器，例如：[0061]段：“An inductor element 4 is a spiral type inductor and is formed on the same plane as the upper electrode 3c...” | 目标专利中的“穿基板通孔电感器”特指一种垂直穿过基板（如玻璃基板）形成的电感器结构，例如TGV电感器，以实现高Q值和三维集成。对比文件公开的电感器是形成于基板表面的平面螺旋型电感器，其结构和形成方式与“穿基板通孔”有本质区别。对比文件没有公开任何关于电感器穿过基板（形成通孔结构）的内容。因此，该技术特征**未被公开**。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》 | 对比文件全文未提及“变抗器 (varactor)”。对比文件中使用的电容元件是固定电容器，例如由Ta氧化物或聚酰亚胺作为介电质的MIM电容器（参见[0063], [0107]等段）。 | 目标专利的核心之一是使用“变抗器”（可变电容器）来实现共用器的可调谐性。对比文件公开的电子电路组件集成了电容器、电感器和电阻器，但所有电容器都是固定电容值的，没有任何一个实施例或描述涉及可变电容元件（变抗器）。因此，对比文件完全没有公开“变抗器”这一技术特征。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | 对比文件未公开“变抗器”，因此也不可能公开由电感器和变抗器“合而形成”的器件。对比文件公开了由电感、电容等元件集成的电子电路组件，例如LC滤波器（参见实施例7，图5-7，[0156]段），但并非“可调谐共用器”。 | “可调谐共用器”是目标专利要求保护的特定器件，其核心在于通过可变元件（变抗器）实现频率响应的调谐。对比文件虽然公开了集成LC元件以形成滤波器电路，但其电路由固定值元件构成，不具备“可调谐”功能。更重要的是，构成该可调谐共用器的必要元件之一“变抗器”并未被公开。因此，由电感器和变抗器合而形成可调谐共用器的技术特征**未被公开**。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 对比文件全文未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”或任何SOG技术。 | 该技术特征是对变抗器具体类型的进一步限定。由于对比文件根本没有公开“变抗器”这一上位概念，因此其下位概念“SOG变抗器”更不可能被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》 | 对比文件全文未提及“穿玻通孔(TGV)电感器”。对比文件描述了在玻璃基板上形成平面电感器，以及形成穿过玻璃基板的导电通孔（via holes）用于层间电连接（例如[0112], [0137]段），但这些通孔是用于互连的导体，其本身并非作为电感元件工作的“电感器”。 | 目标专利中的“TGV电感器”特指利用穿过玻璃基板的通孔结构本身作为电感元件的器件。对比文件公开了在玻璃基板中制作通孔并填充导体以实现电气连接，但未教导或暗示将这些通孔结构用作电感器。因此，该具体类型的电感器**未被公开**。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》 | 对比文件公开了可以形成包含电感和电容的滤波器电路，例如LC滤波器（[0156]段，图5）。然而，对比文件未公开“变抗器”。 | 该特征限定了电感器和变抗器所形成的具体电路功能模块（LP滤波器）。虽然对比文件公开了由电感和（固定）电容形成LP滤波器的可能性，但由于构成该滤波器的关键可变元件“变抗器”未被公开，因此由“电感器和变抗器”形成LP滤波器的技术特征**未被公开**。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 对比文件未公开“变抗器”，因此更不可能公开“第二变抗器”及其与多个电感器形成LP滤波器的具体连接关系。 | 该技术特征涉及更复杂的电路结构，涉及多个层级的多个元件。对比文件虽然公开了在基板两侧集成元件并通过通孔连接（例如图16，[0202]段），但其元件均为固定值，没有变抗器。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | 对比文件未公开“变抗器”，因此也不可能公开变抗器用于“调节陷波频率”的功能。 | 该特征限定了变抗器的功能作用。由于变抗器本身未被公开，其调节陷波频率的功能自然也未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》 | 对比文件未公开“穿基板通孔电感器”。对比文件中的平面电感器在滤波器中起到决定频率特性的作用，但其具体类型和“控制截止频率”的配置关系与本特征不同。 | 该特征限定了特定类型电感器（穿基板通孔电感器）的功能。由于该特定类型的电感器未被公开，其用于控制截止频率的配置也未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》 | 对比文件描述的是一个独立的“电子电路组件”(electronic circuit component)，其使用玻璃基板集成无源元件。其制造工艺涉及在玻璃基板上沉积、图案化、形成通孔等（参见各实施例制造方法），但未提及将其“集成到半导体管芯中”。 | 目标专利要求保护的是“三维集成电路(3DIC)”，并明确其可集成到半导体管芯中。对比文件公开的是一个基于玻璃基板的、集成了无源元件的封装或组件，它本身是一个独立的部件，并非集成在另一个半导体管芯内部的3DIC结构。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《未公开》 | 对比文件在[0404]-[0406]段提到其电子电路组件可用于“无线终端设备”、“无线基站设备”和“无线测量设备”。但未具体公开目标专利权利要求中列举的如此详细和广泛的设备列表。 | 该特征是将3DIC的应用范围限定在一系列具体的消费电子和通信设备中。对比文件虽然暗示了其组件可用于无线设备，但并未明确、具体地公开将其集成到权利要求所列的每一个设备中。根据专利审查的严谨性，这种宽泛的应用领域列举不被认为是已被对比文件直接或隐含公开的具体技术特征。 |
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