对比文件名称：2004-07-01_US2004124961A_发明申请_US20040124961A1 Printed inductor capable of raising Q value
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
模型名称：DeepSeek最新版模型
根据目标专利说明书及权利要求书，目标专利涉及一种三维集成电路（3DIC）中的可调谐共用器，其核心在于将电感器（例如穿基板通孔电感器）和变抗器（例如SOG变抗器）分别设置在不同层级并耦合，形成可调谐的滤波器（如LP滤波器），通过调节变抗器或电感器来改变滤波器的陷波频率或截止频率，从而使共用器能适配不同的载波聚合方案。
对比文件公开了一种用于提高Q值的印刷电感器，其在绝缘基板（如LTCC）上形成三维螺旋线圈结构，通过通孔连接上下表面的印刷布线，并可在空腔中填充磁性材料以提高电感值。该电感器可用于构成谐振电路（如低通滤波器）。
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件的比对分析：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《直接公开》 | 第[0023]段：As shown in those drawings, the printed inductor 1 according to the first embodiment comprises an insulating substrate 3 having a cavity 2, a plurality of mutually independent printed wiring lines 4 formed on both the top and bottom faces of the insulating substrate 3, respectively, a plurality of through holes 5 for sequentially and continuously connecting terminals of the printed wiring lines 4 on the top and bottom faces to each other. The printed wiring lines 4 and the through hole 5 are formed in a spiral coil as the cavity 2 is regarded as the center of axis. | 对比文件公开了一种印刷电感器1，其包含绝缘基板3以及在基板上下表面形成的印刷布线4和连接它们的通孔5，这些元件共同构成一个螺旋线圈电感器。该电感器结构整体构成一个包含电感元件的“层级”（即基板及形成于其上的导电结构）。本领域技术人员能毫无疑义地确定，该印刷电感器结构必然“包括至少一个电感器”。虽然对比文件未明确使用“第一层级”的表述，但其描述的单一绝缘基板及形成于其上的电感器结构，在三维集成电路的语境下，可直接对应于目标专利中形成电感器的“第一层级”。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《直接公开》 | 第[0023]段：Each through hole 5 extends outside the cavity 2 so that it passes through the insulating substrate 3 in a direction of thickness thereof. ... The through holes 5 are one wherein via holes formed in the insulating substrate 3 are filled with conductive material such as Ag or Ag/Pd...<br>第[0026]段：In the first embodiment, the through holes 5 are formed by filling a plurality of via holes perforated in the green sheet with Ag paste, and baking Ag paste and the green sheet simultaneously. | 对比文件明确描述了通孔（through holes）5穿过绝缘基板3，并填充导电材料以连接上下表面的印刷布线4，从而形成螺旋线圈电感器。这种“穿过基板的通孔”（through hole passing through the insulating substrate）即构成“穿基板通孔电感器”的核心结构。本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该电感器是通过穿基板通孔实现的。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》 | 无 | 对比文件全文仅描述了电感器结构及其制造，未提及任何“变抗器”（varactor）或可变电容元件，也未提及任何与电感器层级分离的、包含变抗器的“第二层级”。对比文件的目的在于提高电感器的Q值和电感值，其技术手段围绕电感器本身的结构改进（如设置空腔、填充磁性材料），与引入可变电容元件以实现频率调谐无关。因此，技术特征C既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | 无 | 如特征C所述，对比文件未公开变抗器。因此，“电感器和变抗器合而形成可调谐共用器”这一整体技术方案在对比文件中完全没有记载。共用器（Diplexer）是一种特定的双工滤波器，而对比文件仅提及其电感器可用于构成“谐振电路（如低通滤波器）”（第[0027]段），这是一个普通的、非可调的滤波器组件，并非目标专利中通过可变元件实现频率调谐的“可调谐共用器”。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何变抗器，更未提及SOG（Silicon on Glass）这种特定类型的变抗器。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》 | 第[0023]段：The insulating substrate 3 is made of, for example, a low temperature co-fired ceramic substrate... | 对比文件明确说明其绝缘基板3的示例性材料是“低温共烧陶瓷（LTCC）”，并非玻璃。虽然其电感器结构也使用了穿基板通孔，但目标专利中的“穿玻通孔（TGV）电感器”特指穿过玻璃基板的通孔电感器，这与对比文件的陶瓷基板在材料、工艺和特性上存在本质区别。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地或通过合理推理得出其使用的是玻璃基板。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》 | 第[0027]段：The printed inductor 1 having a configuration as described above is connected to, for example, a capacitor (not shown), which is formed on the insulating substrate 3, through the terminal portions 4a so as to construct a resonance circuit such as a low-pass filter. | 对比文件提到其印刷电感器1可以与电容器连接构成一个“低通滤波器”（low-pass filter）。然而，此“低通滤波器”仅由电感器和固定电容器构成，且未提及“变抗器”。目标专利的特征G明确限定为“所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器”共同形成可调谐共用器内的LP滤波器。由于对比文件缺少“变抗器”这一核心可变元件，也未涉及“可调谐共用器”这一整体架构，因此其公开的LP滤波器在组成、功能和目的上均不同于目标专利。技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“第二层级”、“第二变抗器”、“多个第二电感器”以及这些元件合形成可调谐共用器LP滤波器的技术方案。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何变抗器，因此不可能公开变抗器用于调节滤波器陷波频率的功能。目标专利说明书第[0034]、[0042]段明确解释了通过改变变抗器的电容来移动陷波频率（即调谐带阻）。对比文件完全没有涉及频率调谐。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》 | 无 | 对比文件公开的电感器在谐振电路（如LPF）中会影响频率特性。然而，目标专利的特征J明确限定了该电感器是用于“控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率”。这一功能是嵌入在“可调谐共用器”这一特定上下文中的，而对比文件既未公开“可调谐共用器”，也未将电感器描述为在这样一个可调谐系统中用于控制截止频率。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》 | 无 | 对比文件描述的是一个独立的“印刷电感器”组件，其基板是陶瓷等绝缘材料。全文未提及该电感器被“集成到半导体管芯中”。目标专利的3DIC明确涉及半导体集成电路的堆叠集成技术。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《未公开》 | 无 | 对比文件仅描述了一种印刷电感器元件本身，未提及其被集成到任何具体的终端设备或系统中。因此，技术特征L未被公开。 |
### 结论
经比对，对比文件仅公开了目标专利权利要求中的技术特征A（包括至少一个电感器的第一层级）和技术特征B（其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器）。这两个特征在对比文件中被明确记载，且其结构与本领域技术人员理解的“层级”和“穿基板通孔电感器”相对应，因此属于直接公开。
对比文件未公开任何涉及“变抗器”、“第二层级”、“可调谐共用器”、“SOG变抗器”、“TGV电感器”、“可调谐共用器内的滤波器（LP滤波器）及其频率调节功能”、“集成到半导体管芯”以及“集成到特定设备”等技术特征（即技术特征C-L）。这些特征是目标专利实现其发明目的——提供一种在3DIC中可通过可变元件调谐以适应不同载波聚合方案的可调谐共用器——的核心所在，在对比文件中既无文字记载，也无法通过本领域技术人员的合理推理得出。
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