好的，作为一名资深专利代理师，我将根据您提供的目标专利和对比文件，进行严谨的创造性评估。
**本次调用的模型名称：** GPT-4
**对比文件名称：** 2010-09-01_CN101821943A_发明公开_CN101821943A 层叠型电子元器件及其制造方法
**目标专利名称：** 271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级 <br> **《直接公开》** | **说明书第[0047]段**：“在绝缘体层30a至30g，分别形成有通孔导体54a至54g、56a至56g…通过层叠绝缘体层28、30a至30g，通孔导体51、54a至54g形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第一层间连接导体，如图3及图4所示，起到作为电感器L1A的作用。通过层叠绝缘体层28、30a至30g，通孔导体53、56a至56g形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第三层间连接导体，如图3及图4所示，起到作为电感器L2A的作用。” | 目标专利的“第一层级”是形成有电感器的层级。对比文件中的“层叠体12”由多个绝缘体层堆叠而成，其中绝缘体层30a-30g形成有通孔导体，这些通孔导体在堆叠后起到电感器（L1A， L2A）的作用。因此，包含至少一个电感器的“第一层级”已被对比文件直接公开。作用上，目标专利的第一层级用于提供电感元件，对比文件中的相应绝缘体层（如30a-30g）同样用于提供电感元件（L1A， L2A），作用相同。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 <br> **《直接公开》** | **说明书第[0047]段**：“在绝缘体层30a至30g，分别形成有通孔导体54a至54g、56a至56g…通孔导体51、54a至54g形成作为在层叠体12内沿层叠方向延伸的第一层间连接导体…起到作为电感器L1A的作用…通孔导体53、56a至56g形成作为…第三层间连接导体…起到作为电感器L2A的作用。” <br> **说明书第[0060]段**：“对陶瓷生片使用激光束等来形成贯穿孔，通过对该贯穿孔利用印刷涂布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等的导电糊料，形成通孔导体51、54a至54g、53、56a至56g。” | 目标专利的“穿基板通孔电感器”指穿过基板（如玻璃、硅）形成的垂直互连结构，用作电感器。对比文件明确记载了在绝缘体层（如陶瓷生片）上形成贯穿孔并填充导电材料，形成“通孔导体”（即穿通孔导体），这些通孔导体在层叠方向延伸并起到电感器作用（L1A， L2A）。本领域技术人员能毫无疑义地确定，这种在绝缘体层中形成的垂直通孔导体结构即属于“穿基板通孔电感器”。作用相同，均是利用垂直通孔结构实现电感功能。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级， <br> **《未公开》** | **说明书第[0040]段**：“在绝缘体层22的主面上形成有内部电极42。内部电极42含有电容器电极42a…作为电容器C1、C2的一个电极作用。” <br> **说明书第[0041]段**：“在绝缘体层24的主面上，形成有内部电极44、46…电容器电极44a…起到作为电容器C1的另一电极的作用…电容器电极46a…起到作为电容器C2的另一电极的作用。” | 目标专利的“变抗器”是一种可变电容器，用于调节电路频率特性。对比文件中公开的是由内部电极（如42a， 44a， 46a）构成的固定电容器（C1， C2， C3），并未公开任何具有可变电容特性的元件（即变抗器）。虽然电容器和变抗器都提供电容，但“可变”是变抗器的核心特征，对比文件未公开任何可变电容的元件或结构。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 <br> **《未公开》** | **说明书第[0047]段**：“通孔导体51、54a至54g…起到作为电感器L1A的作用…通孔导体53、56a至56g…起到作为电感器L2A的作用。” <br> **说明书第[0040]-[0042]段**：描述了电容器C1， C2， C3的形成。 <br> **说明书第[0056]段**：“层叠型电子元器件10的等效电路包括电容器C1、C2、C3、电感器L1A…L2C…构成带通滤波器。” | 目标专利的“可调谐共用器”是一种具有可调谐特性的双工器/多工器，用于分离/合并不同频带的信号。对比文件中，电感器（由通孔导体构成）与固定电容器组合形成的是“带通滤波器”（见第[0056]段），并非“共用器”。更重要的是，由于对比文件缺少核心的可变电容元件（变抗器），其滤波器不具备“可调谐”特性。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及“变抗器”，更未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。 | 技术特征E限定了变抗器的具体类型（SOG变抗器）。由于对比文件根本未公开“变抗器”这一元件，因此该具体类型特征当然未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 <br> **《未公开》** | **说明书第[0060]段**：“对陶瓷生片使用激光束等来形成贯穿孔…填充…导电糊料，形成通孔导体…” | 技术特征F限定了穿基板通孔电感器的具体类型为“穿玻通孔(TGV)电感器”，即穿过玻璃基板的通孔电感器。对比文件明确其绝缘体层为“陶瓷生片”，形成的通孔导体是穿过陶瓷层的，并非穿过玻璃基板。因此，该特定类型的穿基板通孔电感器未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 <br> **《未公开》** | **说明书第[0056]段**：“层叠型电子元器件10的等效电路…构成带通滤波器。” | 目标专利中，电感器和变抗器可形成LP滤波器作为可调谐共用器的一部分。对比文件中，电感器与固定电容器形成的是“带通滤波器”，而非“低通(LP)滤波器”。电路结构和功能不同。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 <br> **《未公开》** | 对比文件未公开“变抗器”，也未公开由变抗器和电感器构成的“LP滤波器”。其公开的滤波器是带通滤波器，且由固定电容器和电感器构成。 | 技术特征H涉及更复杂的结构：另一个层级中的第二变抗器与第一层级中的多个第二电感器耦合形成LP滤波器。对比文件既无“变抗器”，也无“LP滤波器”，更无此种跨层级耦合形成特定滤波器的结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 <br> **《未公开》** | 对比文件未公开“变抗器”，其滤波器的频率特性（如中心频率、带宽）是通过调整电感器间的磁场耦合度（通过改变绝缘体层片数）来改变的（见第[0068]-[0076]段），而非通过调节可变电容来调节“陷波频率”。 | 目标专利中变抗器的作用是调节陷波频率，以实现共用器的可调谐性。这是变抗器带来的核心功能。对比文件既无变抗器，其调整滤波器特性的手段也完全不同（调整电感耦合而非电容），且其滤波器为带通特性，目标专利强调陷波（带阻）特性。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 <br> **《未公开》** | **说明书第[0068]-[0076]段**：通过调整绝缘体层30、34的片数来调整通孔导体长度，从而调整电感器间的磁场耦合度，进而改变带通滤波器的带宽。 | 目标专利中穿基板通孔电感器用于控制滤波器的“截止频率”。对比文件中，穿基板通孔电感器（通孔导体）的作用是构成谐振电感和通过调整其物理长度/位置来改变电感器间的“磁场耦合度”，以调整带通滤波器的“带宽”，并未提及或暗示其用于控制“截止频率”。作用不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 <br> **《未公开》** | **说明书第[0060]段**：“制作作为绝缘体层…使用的陶瓷生片。” <br> 全文未提及“半导体管芯”、“集成电路(IC)”或类似概念。 | 目标专利要求保护的是“三维集成电路(3DIC)”，并限定其集成到半导体管芯中。对比文件描述的是“层叠型电子元器件”，其基板材料是陶瓷，制造工艺是陶瓷生片层叠与烧结工艺，属于无源集成器件或模块技术领域，与半导体集成电路（IC）管芯的工艺和结构有本质区别。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及将该层叠型电子元器件集成到任何具体的终端设备中。 | 技术特征L是应用领域的限定，属于用途特征。对比文件没有公开或暗示其产品用于任何所述的具体电子设备。因此，该特征未被公开。 |
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