对比文件名称：2009-10-22_WO2009128047A_发明申请_WO2009128047A1 HIGH DENSITY INDUCTOR, HAVING A HIGH QUALITY FACTOR
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
根据目标专利说明书，其核心在于提供一种三维集成电路中的可调谐共用器，通过将电感器（特别是穿基板通孔电感器）和变抗器（特别是SOG变抗器）堆叠在不同层级并电性耦合，形成可调谐的滤波器（如低通滤波器），变抗器的可变性用于调节滤波器的陷波频率，而电感器有助于控制截止频率。该3DIC可集成到半导体管芯或各种电子设备中。
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件WO2009128047A1的比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》 | [p0017] “令人惊讶地，本发明通过使用PCB、陶瓷（LTCC）或有机层压板基板内的三维空间来提供电感器。...本发明的一个方面涉及一种半导体器件，其包含一个或多个3维螺旋化的8字形螺线管...所述电感器基本上位于层压板内部，所述电感器由至少三个金属层形成...” <br> [p0048] “在第二方面，本发明涉及一种包含根据本发明的半导体器件的系统级封装（SiP）。” | 对比文件明确公开了在三维基板（如LTCC、PCB、有机层压板）内形成高密度电感器（螺线管）。这些电感器构成了器件的有源部分，可以视为构成了器件的一个“层级”。虽然对比文件未明确使用“第一层级”这一表述，但本领域技术人员在阅读其关于三维结构电感器的描述后，能够理解该电感器结构必然位于或构成该三维器件的一个组成部分或层级。因此，该技术特征被对比文件**隐含公开**。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《直接公开》 | [p0005] “...最近，穿晶圆通孔（TWI）的发展导致了在硅内构建单个螺线管。” <br> [p0054] “接下来，可以通过冲压或激光（低功率）钻孔形成通孔。通孔可以用传统的厚膜丝网印刷机或挤压通孔填充物填充...” <br> [p0096] 图11显示了“埋入式通孔（4: Buried via）”和“堆叠通孔（6: Stacked vias）”。 | 对比文件多次提及并使用“穿晶圆通孔（TWI）”和“通孔（vias）”来在多层金属层之间建立垂直电连接，以形成三维螺旋电感器。例如，[p0005]直接提到利用TWI技术在硅基板中构建螺线管，[p0054]描述了在层压板工艺中形成和填充通孔的步骤。穿基板通孔（包括TSV、TWI等）是实现此类三维互连的公认手段。因此，对比文件**直接公开**了技术特征B，即电感器包含穿基板通孔结构。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级《未公开》 | 对比文件全文未提及“变抗器（varactor）”或任何提供可变电容的装置。 | 对比文件的核心发明点在于高密度、高Q值电感器的设计与制造，其全文均围绕电感器（螺线管）的结构、材料和工艺进行描述。文件中未披露任何可变电容元件（变抗器），也未提及将此类元件与所述电感器耦合以形成可调谐电路。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征C。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器《未公开》 | 对比文件全文未提及“共用器（diplexer）”或“可调谐共用器”。 | 目标专利的“可调谐共用器”是一个特定的射频器件，包含由电感器和变抗器组合形成的可调谐滤波器（如高通、低通滤波器），用于频率复用。对比文件仅公开了独立的电感器元件，并未将其与变抗器组合，也未描述任何构成共用器或类似复用滤波器的电路结构。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器《未公开》 | 对比文件全文未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”或任何特定类型的变抗器。 | 由于对比文件根本未公开任何变抗器，自然也不可能公开SOG变抗器这一具体类型。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器《未公开》 | [p0065] “层压板术语是一个非常通用的术语。...有机层压板适合用于RF和毫米波应用。...介电层通常由几层的夹层组成，例如（玻璃纤维、石英、石英纤维、碳和一些PTFE（众所周知的特氟龙®））。” <br> [p0005] “螺线管已在IC中实现（例如在硅或玻璃基板上）。” | 对比文件提到了在“玻璃基板”上实现电感器（[p0005]），以及在有机层压板中使用包含“玻璃纤维”的介电材料（[p0065]）。然而，文件并未明确描述或要求保护一种专门在玻璃基板中形成、并利用垂直穿过玻璃基板的导电通孔（即TGV）来构建的电感器。其通孔（vias）主要描述在层压板（如LTCC、有机层压板）的介电层中形成，这些介电层是复合材料，并非单纯的玻璃基板。因此，对比文件没有**直接公开**TGV电感器。虽然本领域技术人员知道玻璃可作为基板，但对比文件没有提供足以推导出“穿玻通孔(TGV)电感器”这一具体结构的技术启示，因此也未被**隐含公开**。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器《未公开》 | 对比文件全文未提及“低通(LP)滤波器”或“共用器内的滤波器”。 | 对比文件仅描述了电感器本身，并未将其与电容性元件（无论是固定的还是可变的）组合以构成任何类型的滤波器电路，更不用说指定为“可调谐共用器内的低通滤波器”。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器《未公开》 | 对比文件全文未提及“第二变抗器”、“多个第二电感器”以及它们合而形成LP滤波器。 | 该技术特征涉及更复杂的层级结构和元件组合，以形成特定的滤波器。对比文件完全没有涉及变抗器、共用器或LP滤波器的内容。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率《未公开》 | 对比文件全文未提及“变抗器”、“陷波频率”的调节。 | 由于对比文件未公开变抗器，因此其用于调节滤波器陷波频率的功能自然也无从谈起。技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率《未公开》 | 对比文件描述了电感器用于实现高电感值和高Q值（例如[p0017]提到密度高达40 nH/mm²，Q值在2 GHz时高达60），但未提及该电感器用于控制任何滤波器的“截止频率”。 | 对比文件中电感器是作为独立的无源元件进行优化，以提高其自身的性能（电感密度、Q值）。文件中没有将其置于滤波器电路的上下文中，也没有描述其在滤波器截止频率控制中的作用。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中《隐含公开》 | [p0002] “本发明涉及用于电子电路的电感器及其生产方法。” <br> [p0018] “...通过本发明，在系统级封装（SiP）的电感器集成和质量因数方面实现了突破。” <br> [p0048] “在第二方面，本发明涉及一种包含根据本发明的半导体器件的系统级封装（SiP）。” | 对比文件将其发明描述为“半导体器件”（[p0002]），并明确指出其可用于“系统级封装（SiP）”（[p0018], [p0048]）。SiP是一种将多个半导体管芯或无源器件集成在一个封装内的技术。本领域技术人员能够理解，对比文件所公开的三维电感器结构，可以作为无源元件被集成到包含半导体管芯的SiP或类似的集成电路封装中。因此，虽然未明确说“集成到半导体管芯中”，但根据其应用语境，该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》 | [p0004] “近年来，随着电子设备如手机和个人数字助理（PDA）的小型化和薄型化，对电感器的小型化和薄型化提出了要求。” <br> [p0046] “...特别是用于医疗保健应用：嵌入在硬明胶胶囊中的温度传感器。患者只需要吞服胶囊，它就会与接收器建立通信并实时给出人体温度。...所有需要高电感值的匹配网络或ESD保护的SiP应用都可以通过该器件解决。” | 对比文件明确提到了其电感器可用于“手机”和“个人数字助理（PDA）”（[p0004]），这两者均包含在目标专利的设备列表中。此外，文件还提及了更广泛的“电子设备”和“医疗保健应用”（[p0046]），这表明其应用范围广泛。因此，对比文件**直接公开**了将包含其电感器的器件（可视为一种三维集成电路或无源器件集成）用于目标专利权利要求所列设备（至少是手机和PDA）的技术特征。 |
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