**对比文件名称**：2001-04-20_JP2001111106A_发明专利_JP2001111106A Gallium nitride compound semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
**目标专利名称**：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
**本次调用的模型名称**：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层<br>**《未公开》** | 对比文件未公开由金属或含Si的半导体制成的支撑层，其基板为蓝宝石绝缘基板（参见[0035]等）。 | 对比文件中的基板1为蓝宝石（Al₂O₃），属于绝缘体，并非金属或含Si的半导体层，且对比文件未设置任何支撑层。因此本领域技术人员不能从对比文件得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：在所述支撑层上的第一电极<br>**《未公开》** | 对比文件未公开支撑层，其第一电极（pad电极5）形成在P型半导体层4上（参见[0036]）。 | 由于对比文件无支撑层，第一电极未形成在支撑层上，而是形成在半导体层上。因此技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极上的半导体结构<br>**《未公开》** | 对比文件中半导体结构（N型层2、发光层3、P型层4）形成在基板1上，第一电极（pad电极5）形成在P型层4上（参见[0035]-[0036]）。 | 对比文件中半导体结构位于第一电极之下，而非第一电极之上。顺序相反，因此未公开。 |
| **技术特征D**：所述半导体结构具有倾斜的侧表面<br>**《未公开》** | 对比文件未描述半导体层的侧表面为倾斜形状（参见图1-8等）。 | 对比文件中半导体层为垂直叠层，侧壁通常为垂直或近似垂直，未提及倾斜侧表面。因此未公开。 |
| **技术特征E**：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层<br>**《未公开》** | 对比文件在P型半导体层4和pad电极5之间未设置任何电流扩散层（参见[0036]）。 | 对比文件未在任何层间设置电流扩散层，因此未公开。 |
| **技术特征F**：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层<br>**《直接公开》** | 【0037】“在基板1的背面和侧面以及高浓度N型杂质掺杂的N型氮化镓化合物半导体层2a上，形成透光性欧姆金属薄膜6和透光性氧化物半导体层7。”氧化物半导体层7选自In₂O₃、SnO₂、ZnO、Cd₂SnO₄、CdSnO₃等。 | 对比文件中的“透光性氧化物半导体层”即为透明导电氧化物（TCO），且形成于N型半导体层（半导体结构的一部分）上。该层在对比文件中用于透光电极，与目标专利中TCO层的作用相同（提高光提取效率）。因此直接公开。 |
| **技术特征G**：在所述半导体结构的一部分上的第二电极<br>**《直接公开》** | 【0090】“在氧化物半导体层47上的局部，形成用于与外部电气连接的pad电极45。” | 对比文件中的pad电极形成于氧化物半导体层上，氧化物半导体层位于半导体结构（N型层）上，因此pad电极（第二电极）形成于半导体结构的一部分上。该电极用于N型侧电连接，与目标专利中第二电极作用相同。因此直接公开。 |
| **技术特征H**：金属层<br>**《直接公开》** | 【0037】“形成透光性欧姆金属薄膜6……”欧姆金属薄膜6的材料为Au、Ni、Ti、Pt、Pd等。 | 对比文件中的欧姆金属薄膜6是金属层，直接形成于半导体层上。因此直接公开。 |
| **技术特征I**：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间<br>**《直接公开》** | 【0037】欧姆金属薄膜6形成于N型半导体层2a上，其上方依次为氧化物半导体层7和pad电极（第二电极）。 | 欧姆金属薄膜6位于N型半导体层（半导体结构）和pad电极（第二电极）之间，中间通过氧化物半导体层7连接，但金属层确实处于半导体结构与第二电极之间的路径上。该结构特征与目标专利一致。因此直接公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触<br>**《直接公开》** | 【0037】“欧姆性金属薄膜”明确表明其具有欧姆接触特性。 | 对比文件明确该金属薄膜为“欧姆性”，意即与半导体层形成欧姆接触。因此直接公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性<br>**《未公开》** | 对比文件未提及金属层对氮的反应性，虽然Ti等金属已知与氮反应，但对比文件未公开该特性或其作用。 | 对比文件仅描述金属层用于欧姆接触，未涉及其对氮的吸气或反应功能。本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得出该金属层具有高氮反应性。因此未公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中<br>**《未公开》** | 对比文件描述金属层以薄膜形式沉积（如真空蒸镀），厚度1-10nm（参见[0089]等），未提及涂覆或掺杂进入界面内部。 | 对比文件中的金属层是表面淀积的连续薄膜，而非“涂覆或掺杂”在半导体界面中。因此未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数<br>**《未公开》** | 对比文件未设置电流扩散层，因此不存在功函数比较。 | 无电流扩散层，故无法比较功函数，未公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层<br>**《未公开》** | 对比文件未设置电流扩散层。 | 无电流扩散层，未公开。 |
| **技术特征O**：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层<br>**《未公开》** | 对比文件中P型半导体层4位于发光层3之上，第一电极（pad电极5）位于P型层4之上（参见[0035]-[0036]）。 | 对比文件中p型半导体层在第一电极之下，而非之上。顺序相反，未公开。 |
| **技术特征P**：在所述p型半导体层上的有源层<br>**《未公开》** | 对比文件有源层（发光层3）位于N型层2和P型层4之间（参见[0035]）。 | 对比文件有源层在p型半导体层之下（因为p型层在顶部，有源层在其下），而非之上。因此未公开。 |
| **技术特征Q**：和在所述有源层上的n型半导体层<br>**《未公开》** | 对比文件N型半导体层2位于基板1与有源层3之间（参见[0035]）。 | 对比文件n型半导体层在有源层之下，而非之上。因此未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率<br>**《未公开》** | 对比文件未设置电流扩散层。 | 无电流扩散层，未公开。 |
| **技术特征S**：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数<br>**《未公开》** | 对比文件未设置电流扩散层。 | 无电流扩散层，未公开。 |
| **技术特征T**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数<br>**《未公开》** | 对比文件未设置电流扩散层。 | 无电流扩散层，未公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一电极包括反射电极<br>**《未公开》** | 对比文件第一电极（pad电极5）为金属（Au等），未提及反射功能（参见[0036]）。 | 对比文件未公开第一电极具有反射电极结构，尽管金属可能反射，但未明确其反射作用。因此未公开。 |
| **技术特征V**：其中，所述第一电极包括透明电极<br>**《未公开》** | 对比文件第一电极（pad电极5）为不透明金属（Au等）（参见[0036]）。 | 对比文件第一电极为金属，不透明，未公开透明电极。因此未公开。 |
| **技术特征W**：其中，所述支撑层包括金属<br>**《未公开》** | 对比文件无支撑层。 | 无支撑层，未公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上<br>**《未公开》** | 对比文件无支撑层。 | 无支撑层，未公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积<br>**《未公开》** | 对比文件未描述半导体层具有倾斜侧表面，也未提及面积关系。 | 对比文件半导体层为矩形叠层，侧壁垂直，无倾斜侧表面，因此无面积关系。未公开。 |
| **技术特征Z**：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积<br>**《未公开》** | 对比文件未公开面积比较。 | 同上，无倾斜侧表面，未公开。 |
### 结论
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征F、G、H、I、J，未公开其他技术特征。
<<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>>