### 对比文件名称
**2005-08-11_JP2005217112A_发明专利_JP2005217112A Nitride semiconductor light emitting element**
### 目标专利名称
**1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法 CN102751415B**
### 本次调用的模型名称
**DeepSeek AI**
---
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层**<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[2]记载：“導電性基板の材質としては、一般的に用いられる金属及びこれらの金属を含む導電性合金を用いることができ、具体的には、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ等が挙げられる。また高濃度にドープされた導電性Ｓｉ等の半導体も用いることができる。”<br>（翻译：作为导电性基板的材质，可以使用通常使用的金属及含有这些金属的导电性合金，具体可列举Al、Cu、Cr、W等。此外，也可以使用高浓度掺杂的导电性Si等半导体。） | 对比文件明确公开了导电性基板（即支撑层）可以由金属或含Si的半导体材料制成，与特征A“由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层”完全一致，且该基板在器件中起到支撑半导体层的作用，与目标专利中支撑层的作用相同。因此，特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：在所述支撑层上的第一电极**<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[2]记载：“本発明の窒化物半導体発光素子は、...導電性基板、対向面側オーミック電極、ｐ型導電性の層とｎ型導電性の層に挟まれた発光層、発光面側オーミック電極が積層されてなる。”<br>（翻译：本发明的氮化物半导体发光元件，...层叠有导电性基板、对向面侧欧姆电极、夹在p型导电性层和n型导电性层之间的发光层、发光面侧欧姆电极。） | 对比文件直接公开了其结构顺序：导电性基板（支撑层）上依次层叠对向面侧欧姆电极（第一电极），即第一电极位于支撑层之上。因此，特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构**<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[2]记载：“導電性基板、対向面側オーミック電極、ｐ型導電性の層とｎ型導電性の層に挟まれた発光層、発光面側オーミック電極が積層されてなる。”<br>（翻译：层叠有导电性基板、对向面侧欧姆电极、夹在p型导电性层和n型导电性层之间的发光层、发光面侧欧姆电极。） | 对比文件直接公开了半导体结构（p型导电性层、发光层、n型导电性层）位于第一电极（对向面侧欧姆电极）之上。因此，特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及半导体结构的侧表面为倾斜形状。仅在段落[2]提到可在发光面侧表面形成凹凸，但该凹凸位于电极表面，并非半导体结构侧壁。 | 对比文件没有公开半导体结构具有倾斜侧表面，也未给出任何关于侧壁倾斜的暗示。本领域技术人员无法从对比文件直接或推导出该特征。因此，特征D未公开。 |
| **技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层**<br>**《隐含公开》** | 对比文件段落[2]记载：“ｐ型導電性の層と透明導電膜の間に、少なくともｐ型導電性の層に接してｎ型導電性の層を形成する。”<br>（翻译：在p型导电性层和透明导电膜之间，形成至少与p型导电性层接触的n型导电性层。）<br>实施例2中具体形成Si掺杂InGaN/GaN超晶格层。 | 对比文件公开了在p型导电性层（半导体结构的一部分）和透明导电膜（第一电极的一部分）之间设置n型导电性层，该层直接接触两者，用于改善欧姆接触和电流分布。该层的位置、接触关系与目标专利的电流扩散层实质相同，虽然未明确使用“电流扩散层”术语，但本领域技术人员可以合理推断其具有电流扩散功能。因此，特征E被隐含公开。 |
| **技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层**<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[2]记载：“発光面側に透明導電膜からなるオーミック電極を形成する。”<br>（翻译：在发光面侧形成由透明导电膜构成的欧姆电极。）<br>实施例中在n型GaN层上形成ITO透明导电膜。 | 对比文件直接公开了在半导体结构（n型导电性层）上形成透明导电氧化物层（发光面侧欧姆电极），该层由ITO等透明导电氧化物制成，与目标专利的透明导电氧化物层作用相同（用于电流扩散和光提取）。因此，特征F被直接公开。 |
| **技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极**<br>**《直接公开》** | 对比文件实施例记载：“この後、ＦｅＣｌ_3／ＨＣｌ混合液でエッチングして電極パターンを形成する。”<br>（翻译：之后，用FeCl3/HCl混合液蚀刻形成电极图案。） | 对比文件公开了在透明导电氧化物层（发光面侧欧姆电极）上通过蚀刻形成电极图案，即第二电极仅位于透明导电氧化物层的一部分上，与特征G一致。因此，特征G被直接公开。 |
| **技术特征H：金属层**<br>**技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未公开在半导体结构（n型层）与第二电极之间设置金属层。在发光面侧，第二电极直接形成在透明导电氧化物层上，透明导电氧化物层直接与半导体结构接触，中间无金属层。 | 对比文件没有公开任何位于半导体结构（n型半导体层）和第二电极之间的金属层，也没有给出任何关于该金属层的暗示。因此，特征H和I均未公开。 |
| **技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触**<br>**技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性**<br>**技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未公开任何具有氮反应性并被涂覆或掺杂在半导体结构界面上的金属层，特别是在发光面侧（n型层侧）。 | 对比文件未涉及此类金属层，也未提及氮反应性金属或涂覆掺杂方式。因此，特征J、K、L均未公开。 |
| **技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数**<br>**《未公开》** | 对比文件未涉及任何关于电流扩散层（或对应层）与透明导电氧化物层功函数大小的比较。 | 对比文件没有公开功函数关系，本领域技术人员无法从对比文件推导出该特征。因此，特征M未公开。 |
| **技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层**<br>**《隐含公开》** | 对比文件实施例2记载：“ＳｉドープＩｎＧａＮ層（厚さ２ｎｍ、ｎ＝１×１０^20ｃｍ^-3）とＳｉドープＧａＮ層（厚さ２ｎｍ、ｎ＝１×１０^20ｃｍ^-3）を繰り返し３回成長し最表面を高濃度のｎ型層とするコンタクトトンネリング層を形成する。”<br>（翻译：重复生长Si掺杂InGaN层（厚度2nm，n=1×10^20cm^-3）和Si掺杂GaN层（厚度2nm，n=1×10^20cm^-3）3次，形成最表面为高浓度n型层的接触隧道层。）<br>该层形成于p型GaN层与ITO透明导电膜之间。 | 对比文件公开了由InGaN层和GaN层交替构成的超晶格层（InGaN/GaN超晶格），该层直接接触p型半导体层（半导体结构）和ITO透明导电膜（第一电极），与特征N中“直接接触所述半导体结构和所述第一电极”以及“包括InGaN/GaN超晶格层”完全吻合。虽然未明确称为“电流扩散层”，但其结构、位置和接触关系一致，因此特征N被隐含公开。 |
| **技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层**<br>**技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层**<br>**技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层**<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[2]记载：“ｐ型導電性の層と、ｎ型導電性の層と、これらの間に配置された発光層”并结合结构描述“導電性基板、対向面側オーミック電極、ｐ型導電性の層、発光層、ｎ型導電性の層、発光面側オーミック電極”。<br>（翻译：p型导电性层、n型导电性层、配置在它们之间的发光层；以及导电性基板、对向面侧欧姆电极、p型导电性层、发光层、n型导电性层、发光面侧欧姆电极。） | 对比文件直接公开了半导体结构的具体分层：p型导电性层（p型半导体层）位于第一电极上，有源层（发光层）位于p型层上，n型导电性层（n型半导体层）位于有源层上。因此，特征O、P、Q被直接公开。 |
| **技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率**<br>**《未公开》** | 对比文件未提及电流扩散层（或对应层）具有增强载流子迁移率的功能。 | 对比文件没有公开该层对载流子迁移率的增强作用，也未给出任何关于其功能的技术启示。因此，特征R未公开。 |
| **技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数**<br>**技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未涉及任何关于功函数的大小比较。 | 对比文件没有公开电流扩散层与半导体结构或第一电极的功函数关系，本领域技术人员无法从对比文件推导出这些特征。因此，特征S和T均未公开。 |
| **技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极**<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[2]记载：“対向面側オーミック電極が、透明導電膜と光反射機能を有する膜とを発光層に近い順にこの順で備えてなる” 以及“光反射機能を有する膜の材質として、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｒ、ＲｈおよびＺｎなどの金属”。<br>（翻译：对向面侧欧姆电极在靠近发光层一侧依次具备透明导电膜和具有光反射功能的膜。光反射功能膜的材料为Al、Ag、Mg、Cr、Rh、Zn等金属。） | 对比文件直接公开了第一电极（对向面侧欧姆电极）包括具有光反射功能的膜（反射电极），该膜由金属制成，用于反射光，与目标专利的反射电极作用相同。因此，特征U被直接公开。 |
| **技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极**<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[2]记载：“対向面側オーミック電極が、透明導電膜と光反射機能を有する膜とを備えてなる” 以及“透明導電膜の材質としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ_2、ＺｎＯ等”。<br>（翻译：对向面侧欧姆电极具备透明导电膜和光反射功能膜。透明导电膜的材质为ITO、SnO2、ZnO等。） | 对比文件直接公开了第一电极（对向面侧欧姆电极）包括透明导电膜（透明电极），该膜由ITO等透明导电氧化物制成，用于欧姆接触，与目标专利的透明电极作用一致。因此，特征V被直接公开。 |
| **技术特征W：其中，所述支撑层包括金属**<br>**《直接公开》** | 与特征A引用相同，对比文件公开导电性基板可使用金属（如Al、Cu、Cr、W等）。 | 对比文件明确公开了支撑层（导电性基板）包括金属，因此特征W被直接公开。 |
| **技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上**<br>**《直接公开》** | 对比文件结构描述“導電性基板、対向面側オーミック電極”表明导电性基板位于底部，对向面侧欧姆电极位于其上方。 | 对比文件直接公开了支撑层（导电性基板）布置在第一电极（对向面侧欧姆电极）的下方，即第一电极位于支撑层之上，与特征X“支撑层被布置在所述第一电极上”的方位关系一致（从衬底方向看，支撑层在电极上方，但通常以器件方向定义，支撑层在底部，电极在支撑层上）。因此，特征X被直接公开。 |
| **技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积**<br>**技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未公开半导体结构具有倾斜侧表面，也未涉及第一表面和第二表面面积关系的描述。 | 对比文件没有公开半导体结构的侧壁倾斜，也没有任何关于面积差异的教导或暗示。因此，特征Y和Z均未公开。 |
---
## 公开性代码汇总
根据上述比对，对比文件直接公开或隐含公开的技术特征对应代码如下：
- 直接公开：A、B、C、F、G、O、P、Q、U、V、W、X
- 隐含公开：e、n
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<F>>><<<G>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<X>>><<<e>>><<<n>>>