对比文件名称：2001-09-11_US6287891B_发明授权_US06287891B1 Method for transferring semiconductor device layers to different substrates
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。公开性判断：未公开。 | 对比文件在“IV. SUMMARY OF THE INVENTION”部分提到“器件或电路……在薄有源层上制造”，并在“1. The Preferred Embodiment.”中描述有源层2可以是BSOI中的埋氧层或III-V族材料如砷化镓或磷化铟，但未提及氮化镓，也未提及缓冲层降低晶格失配和热膨胀系数差别的功能。 | 对比文件未公开氮化镓外延层，也未公开其作为缓冲层的作用。因此，技术特征A未被公开。 |
| 特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。公开性判断：未公开。 | 对比文件在“1. The Preferred Embodiment.”中描述，在器件层1上形成光刻胶层4和蜡层6，然后通过蜡层附着穿孔结构7作为临时支撑。该临时支撑并非直接形成在氮化镓外延层（不存在）上，且不是永久支撑衬底。 | 对比文件未公开在氮化镓外延层上形成第二支撑衬底，因此技术特征B未被公开。 |
| 特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。公开性判断：未公开。 | 对比文件在“1. The Preferred Embodiment.”中，光刻胶层4覆盖在器件层1和金属化3上，但未描述覆盖整个侧面；蜡层6覆盖在光刻胶上；未涉及第二支撑衬底。 | 对比文件未公开覆盖整个侧面和上表面的钝化层结构，因此技术特征C未被公开。 |
| 特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。公开性判断：未公开。 | 对比文件在蚀刻种子衬底5时，使用样品支架15和O型环17密封，保护其他表面，而未使用钝化层作为掩膜。 | 对比文件未公开使用钝化层作为掩膜蚀刻第一支撑衬底，因此技术特征D未被公开。 |
| 特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。公开性判断：未公开。 | 对比文件在去除种子衬底并附着新衬底后，使用溶剂去除蜡和光刻胶，露出的是器件层1和新衬底12，而非第二支撑衬底和氮化镓外延层。 | 对比文件未公开露出第二支撑衬底和氮化镓外延层，因此技术特征E未被公开。 |
| 特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。公开性判断：未公开。 | 对比文件在去除保护层后，未进行任何外延生长步骤，而是直接露出器件和电路。 | 对比文件未公开在氮化镓外延层上形成单晶氮化镓层，因此技术特征F未被公开。 |
| 特征G：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。公开性判断：直接公开。 | 对比文件在“1. The Preferred Embodiment.”中明确记载：“蜡优选为固体黑蜡，Apiezon Wax W”（The wax is preferably a solid black wax, Apiezon Wax W），并详细描述了蜡的施加和固化。该蜡属于石蜡类材料。 | 对比文件公开了使用蜡作为保护层，蜡是石蜡的一种，因此技术特征G中“石蜡”被直接公开。由于特征G要求“至少一种”，对比文件公开了石蜡，故技术特征G被直接公开。 |
| 特征H：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。公开性判断：直接公开。 | 对比文件在施加光刻胶后描述：“光刻胶4在足够低的温度下烘焙……优选的固化条件为：在约130°C至140°C烘焙约30分钟至60分钟”（The photoresist 4 is baked...）。在涂蜡后也描述：“硬烘焙在约120°C至140°C去除残余溶剂和水分”（hard baked at temperature between about 120°C and about 140°C）。 | 对比文件明确公开了在形成保护层（光刻胶、蜡）后进行烘焙固化工艺，与目标专利的固化工艺实质相同。因此技术特征H被直接公开。 |
| 特征I：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。公开性判断：直接公开。 | 对比文件在“1. The Preferred Embodiment.”中记载：“优选的种子衬底5由键合绝缘体上硅（BSOI）制成”（The preferred seed substrate 5 is made of bonded silicon-on-insulator (BSOI)），即硅衬底。 | 对比文件公开了种子衬底为硅衬底，而硅衬底是目标专利第一支撑衬底的一种，因此技术特征I被直接公开。 |
| 特征J：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。公开性判断：直接公开。 | 对比文件在“1. The Preferred Embodiment.”中明确记载：“种子衬底5然后被蚀刻掉，通过干蚀刻……或优选通过湿蚀刻，因为湿蚀刻是更快更经济的方法”（the seed substrate 5 is then etched away, either by dry etching...or preferably, by wet etching）。并具体描述使用氢氧化钾（KOH）水溶液进行湿蚀刻。 | 对比文件直接公开了使用湿蚀刻工艺去除种子衬底，因此技术特征J被直接公开。 |
| 特征K：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。公开性判断：未公开。 | 对比文件在去除蜡时使用三氯乙烯（TCE），去除光刻胶使用丙酮，未提及醇溶剂（如甲醇、异丙醇等）。 | 对比文件未公开使用醇溶剂去除钝化层，因此技术特征K未被公开。 |
| 特征L：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。公开性判断：未公开。 | 对比文件未涉及第二支撑衬底。其临时穿孔结构7可由金属（铝、不锈钢）制成，但该结构不是形成在氮化镓外延层上的第二支撑衬底；永久支撑衬底12由玻璃或塑料制成，非金属。 | 对比文件未公开第二支撑衬底及其材料，因此技术特征L未被公开。 |
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