对比文件名称：2006-10-17_US7122095B_发明授权_US07122095B2 Methods for forming an assembly for transfer of a useful layer
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件[0021]记载：“有用层包括基底层14，在其上形成或沉积有层16。通常，基底层14是种子层，层16通过外延生长在种子层上。种子层可以由碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅或氮化铝等形成。在一个实施例中，基底层14由SiC形成，而外延生长层由诸如氮化镓GaN的金属氮化物或由不同金属氮化物的叠层形成。”此外，[0021]记载：“第一支撑10可以由半导体材料形成，例如碳化硅SiC、单晶或多晶硅等，或由绝缘材料形成，例如蓝宝石。” | 对比文件公开了在第一支撑上形成包含GaN外延层的结构，但并非直接形成GaN外延层作为缓冲层。对比文件中的GaN外延层（层16）是在基底层（种子层）上外延生长的，而基底层和第一支撑之间还有界面层。该结构未明确GaN外延层用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层，且GaN外延层不直接接触第一支撑，因此不构成缓冲层。本领域技术人员不能毫无疑义地确定对比文件公开了该技术特征，且对比文件未提供任何暗示或推理，故不构成直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。直接公开。 | 对比文件[0024]记载：“图2说明将图1所示的组件（称为第一衬底）固定到第二支撑20。在这种情况下，使用金属键合技术，键合层示于22。”以及图2显示第二支撑20通过键合层22固定到有用层14,16的自由表面（即GaN外延层16的表面）。 | 对比文件明确公开了在包括GaN外延层的有用层上固定第二支撑衬底，该固定通过键合实现，本质上是将第二支撑形成在GaN外延层上。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件未记载形成覆盖整个侧面和上表面的钝化层。对比文件[0027]提及使用掩膜覆盖有用层的自由表面以便蚀刻周边环，但该掩膜仅覆盖自由表面，且第二支撑尚未形成。对比文件未提及任何类似钝化层的结构。 | 对比文件没有任何关于在GaN外延层侧面和第二支撑衬底侧面和上表面形成钝化层的描述。虽然对比文件使用了掩膜，但掩膜的作用、位置和时间均与目标专利的钝化层不同。因此，对比文件未公开该技术特征，也不能合理推断出此特征。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件[0027]-[0028]描述了去除周边环的方法，包括使用掩膜进行蚀刻或使用切割，但未涉及使用钝化层作为掩膜蚀刻整个第一支撑衬底。对比文件[0028]提及“去除周边环”和“去除第一支撑的相邻部分”，但并非以钝化层作为掩膜。 | 对比文件的主要目的是处理周边环，而不是使用钝化层作为掩膜去除整个第一支撑衬底。对比文件没有公开任何使用钝化层作为掩膜蚀刻第一支撑衬底的步骤，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件未提及去除钝化层的步骤，因为未形成钝化层。对比文件在[0027]-[0028]中可能涉及去除掩膜，但掩膜不是钝化层，且掩膜去除后露出的是有用层表面，而非第二支撑衬底和GaN外延层。 | 对比文件没有公开去除钝化层以露出第二支撑衬底和GaN外延层的步骤，故该特征未被公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件未记载在去除钝化层（或类似层）后，在露出GaN外延层上形成单晶GaN层。对比文件[0021]描述了GaN外延层本身是作为有用层的一部分，但未提及再生长步骤。 | 对比文件的目标是转移有用层，而不是在转移后进一步生长单晶GaN层。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件未记载任何关于钝化层材料的信息，也没有提及搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯。 | 对比文件未公开任何与目标专利钝化层材料相关的技术内容，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件未提及在形成钝化层后进行固化工艺。 | 对比文件没有公开任何固化工艺，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。直接公开。 | 对比文件[0021]记载：“第一支撑10可以由半导体材料形成，例如碳化硅SiC、单晶或多晶硅等，或由绝缘材料形成，例如蓝宝石。”蓝宝石为氧化物衬底，SiC为碳化物衬底，硅为硅衬底。 | 对比文件明确公开了第一支撑衬底可以是碳化硅（碳化物）、蓝宝石（氧化物）或硅（硅衬底），与目标专利的技术特征I完全一致，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件[0027]提及使用等离子体蚀刻或RIE去除周边环，[0031]提及干法或湿法蚀刻用于形成通道，但未提及使用湿蚀刻选择性蚀刻第一支撑衬底。 | 对比文件未公开使用湿蚀刻工艺去除第一支撑衬底。尽管对比文件提到了湿法蚀刻可用于其他目的，但未针对第一支撑衬底，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件未提及使用醇溶剂去除任何层。 | 对比文件未公开任何关于醇溶剂去除钝化层的信息，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。未直接公开，未隐含公开。 | 对比文件[0024]公开了第二支撑20通过金属键合层22固定，但未明确第二支撑本身的材料。对比文件[0021]公开了第一支撑材料，但未限定第二支撑与第一支撑相同或为金属。 | 对比文件没有具体描述第二支撑衬底的材料，既没有公开其与第一支撑相同，也没有公开其包含金属的导电材料，因此该特征未被公开。 |
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