对比文件名称：2004-09-01_EP1451853A_发明公开_EP1451853A1 DIODE HAVING VERTICAL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层——隐含公开 | 对比文件[0029]：“缓冲层120形成在透明衬底100上，优选为蓝宝石衬底。缓冲层120最终替代蓝宝石衬底100的功能，可以形成为一层、两层或三层。例如，缓冲层120可以仅具有通过VPE生长的n-GaN层。对于两层缓冲层，第一层GaN层110通过VPE生长在蓝宝石衬底上，第二层n-GaN层120通过VPE生长在GaN层110上。” | 对比文件公开了在蓝宝石衬底（第一支撑衬底）上形成包含GaN的缓冲层，该缓冲层在半导体领域中通常用于降低晶格失配和热膨胀系数差异，本领域技术人员可以合理推断其具有该作用。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件没有公开任何第二支撑衬底，其方法在形成外延层后直接进行激光剥离，没有形成额外的支撑衬底。因此未公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件未公开钝化层，也未公开第二支撑衬底，因此未公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件采用激光剥离方法去除衬底，未使用钝化层掩膜进行蚀刻。因此未公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件未公开钝化层和第二支撑衬底，因此未公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件在去除衬底后，未形成单晶氮化镓层，而是形成n型接触电极。因此未公开。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件未公开钝化层，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件未公开钝化层及固化工艺，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种——直接公开 | 对比文件[0029]：“缓冲层120形成在透明衬底100上，优选为蓝宝石衬底。” | 对比文件明确使用蓝宝石衬底，蓝宝石属于氧化物衬底，因此直接公开了第一支撑衬底包括氧化物衬底。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件使用激光剥离，不是湿蚀刻，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件未公开钝化层，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成——未公开 | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件未公开第二支撑衬底，因此未公开。 |
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