对比文件名称：2009-10-08_JP2009231560A_发明专利_JP2009231560A Method of manufacturing semiconductor light emitting device
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层（未公开） | 对比文件在LED结构形成工程中，在生长基板上形成半导体层，未提及形成氮化镓外延层作为缓冲层。原文：“図２（ａ）のように、支持基板２０とは別に用意したサファイア等のウエハ状成長基板２５上に、例えばＭＯＣＶＤ等の技術を用いて半導体層１０を成長させる。…半導体層１０は、成長基板２５側から順にｎ型半導体層１０１、活性層１０２、ｐ型半導体層１０３の順に成長させる。”（第[2]段）。 | 对比文件未公开在第一支撑衬底上形成用作缓冲层的氮化镓外延层。对比文件直接在生长基板上生长半导体层，该半导体层包括n型层、有源层和p型层，并未设置单独的缓冲层，也没有描述其降低晶格失配和热膨胀系数差别的功能。因此，技术特征A未被对比文件公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底（直接公开） | 对比文件在支持基板接着工程中，将LED结构体通过焊料层粘合到支持基板。原文：“成長基板２５のＬＥＤ構造体２１は、はんだ層１３２により支持基板２０に接着される。”（第[2]段）。LED结构体包括半导体层，半导体层包含GaN层。 | 对比文件公开了在半导体层（包括GaN层）上形成第二支撑衬底（支持基板）。虽然通过焊料层粘合，但目标专利不排除任何形成方式，因此该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层（直接公开） | 对比文件在保护膜形成工程中，形成保护膜覆盖LED结构体侧面和支撑基板背面。原文：“ウエハ状ＭＢ−ＬＥＤ構造体２８を耐アルカリ性溶液保護膜１７で覆う。…保護膜１７は、ウエハ状ＭＢ−ＬＥＤ構造体２８の接着層１３およびｐ型電極層１１の端面を被覆するように形成する。…さらに、本実施形態では、支持基板２０の裏面にも保護膜１７を形成した。”（第[2]段）。保护膜覆盖了LED结构体（包括半导体层）的侧面和支撑基板的侧面和背面。 | 对比文件公开了在LED结构体（包括GaN外延层）的侧面以及支撑基板（第二支撑衬底）的侧面和上表面（背面）上形成保护膜（钝化层）。该保护膜的作用与目标专利的钝化层类似，均为保护内部结构。因此，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底（未公开） | 对比文件在生长基板除去工程中，使用激光剥离等公知技术去除生长基板，未使用保护膜作为掩膜。原文：“レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）等の公知の工程を用いて、成長基板２５をＬＥＤ構造体２１から剥離する。”（第[2]段）。保护膜是在去除生长基板之后形成的。 | 对比文件没有使用钝化层作为掩膜蚀刻第一支撑衬底。相反，生长基板是在形成保护膜之前通过激光剥离去除的。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层（直接公开） | 对比文件在保护膜除去工程中，去除保护膜后露出支撑基板和LED结构体。原文：“アセトン等の有機溶剤によりウエハ状ＭＢ−ＬＥＤ構造体２８を洗浄し、耐アルカリ性溶液保護膜１７を除去する。これにより、…表面が凹凸加工されたＬＥＤ構造体２１が接着されたウエハ状支持基板２０を得ることができる。”（第[2]段）。去除保护膜后，支撑基板和LED结构体（包括半导体层）露出。 | 对比文件公开了去除保护膜后露出第二支撑衬底（支持基板）和氮化镓外延层（半导体层）。因此，技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层（未公开） | 对比文件在保护膜去除后，直接在半导体层表面形成n型电极，没有生长单晶氮化镓层。原文：“図４（ｂ）のように、ウエハ状ＭＢ−ＬＥＤ構造体２８の凹凸加工された上面にｎ型電極１６を所定の位置に形成する。”（第[2]段）。 | 对比文件没有在去除保护膜后生长单晶氮化镓层的步骤，而是直接形成电极。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成（未公开） | 对比文件使用的保护膜材料为有机材料，具体为ProTEK B3（主成分エチルエトキシプロピオネートおよびイソアミルメチルケトン）或ProTEK PS，并非液体搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯。原文：“材料溶液として、日産化学工業株式会社製ProTEK B3（主成分エチルエトキシプロピオネートおよびイソアミルメチルケトン）を用い、スピンコート塗布後、所定温度で乾燥することにより保護膜１７を形成する。”（第[2]段）。 | 对比文件明确公开了保护膜的材料，与目标专利限定的材料不同。因此，技术特征G未被对比文件公开。 |
| 技术特征H：形成所述钝化层后进行固化工艺（直接公开） | 对比文件在保护膜形成后，进行干燥固化。原文：“スピンコート塗布の条件は、１０００ｒｐｍ／９０ｓｅｃ、乾燥工程は、１１０℃で２ｍｉｎ後２０５℃で２ｍｉｎとすることができる。”（第[2]段）。 | 对比文件公开了在形成保护膜后进行干燥固化工艺，相当于目标专利的固化工艺。因此，技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种（直接公开） | 对比文件列举了生长基板的材料。原文：“成長基板２５としては、サファイアに限らず、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、ＧａＡｓ基板等、ＧａＮがエピタキシャル成長可能な種々の基板を用いることができる。”（第[2]段）。其中，サファイア（蓝宝石）是氧化物衬底，ＳｉＣ基板是碳化物衬底。 | 对比文件直接公开了氧化物衬底（蓝宝石）和碳化物衬底（SiC），这些属于技术特征I中的材料。虽然硅衬底未明确列举，但对比文件公开了多种衬底，且本领域技术人员可知硅也可用于生长GaN，因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底（未公开） | 对比文件去除生长基板的方法是激光剥离或干蚀刻，没有使用湿蚀刻。原文：“レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）等の公知の工程を用いて、成長基板２５をＬＥＤ構造体２１から剥離する。”（第[2]段）。此外，还提到“研削・研磨や、ＲＩＥ等のドライエッチングの手法”。 | 对比文件没有公开使用湿蚀刻工艺选择性地蚀刻第一支撑衬底。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除（未公开） | 对比文件使用丙酮等有机溶剂去除保护膜。原文：“アセトン等の有機溶剤によりウエハ状ＭＢ−ＬＥＤ構造体２８を洗浄し、耐アルカリ性溶液保護膜１７を除去する。”（第[2]段）。丙酮不是醇溶剂。 | 对比文件没有明确使用醇溶剂去除保护膜，而是使用丙酮等有机溶剂。因此，技术特征K未被对比文件直接公开，也无隐含公开的足够依据。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成（直接公开） | 对比文件的支持基板是导电性支持基板，由Si基板和Pt导电层组成。原文：“導電性支持基板２０として、…ウエハ状のＳｉ基板２００の両面に導電層２０１、２０２としてＰｔ層が形成されたものを用意する。”（第[2]段）。Pt是金属，因此支持基板包含金属的导电材料。 | 对比文件公开了第二支撑衬底由包含金属（Pt）的导电材料制成，这符合技术特征L中的一种情况。因此，技术特征L被直接公开。 |
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