对比文件的名称：2009-09-10_US2009224283A_发明申请_US20090224283A1 METHOD OF FABRICATING PHOTOELECTRIC DEVICE OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND STRUCTURE THEREOF
目标专利的名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层（未公开） | [0032]：“在临时衬底表面形成第一III族氮化物半导体层。”[0035]：“第一III族氮化物半导体层62和第二III族氮化物半导体层64的材料为AlxInyGa1-x-yN，该材料有助于硅掺杂n型氮化镓层的外延。” | 目标专利的氮化镓外延层是作为缓冲层保留用于后续生长单晶GaN，而对比文件的第一III族氮化物半导体层是牺牲层，后续被去除，且未明确其作为降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层，作用不同，因此未公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底（未公开） | [0035]：“在第二III族氮化物半导体层64上形成金属镜层65，然后在金属镜层65上沉积导电层66。”[0033]：“在第二III族氮化物半导体层上形成金属镜层，然后形成导电层。” | 对比文件中的第二III族氮化物半导体层是器件层，而非目标专利的氮化镓外延层（缓冲层），且导电层形成在金属镜层上，并非直接形成在氮化镓外延层上，因此未公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层（未公开） | [0035]：“蚀刻保护层67，例如二氧化硅层，覆盖导电层66和金属镜层65。” | 对比文件的蚀刻保护层仅覆盖导电层和金属镜层，未覆盖氮化镓外延层（第一III族氮化物半导体层）的侧面，也未覆盖第二支撑衬底（导电层）的侧面和上表面，而是覆盖导电层和金属镜层，与目标专利的钝化层覆盖位置不同，因此未公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底（未公开） | [0035]：“将蚀刻剂引入第一III族氮化物半导体层62'的沟槽中，使用蚀刻剂使第一III族氮化物半导体层62'与临时衬底61分离。”[0033]：“使用蚀刻工艺或激光束将第二III族氮化物半导体层、金属镜层和导电层与第一III族氮化物半导体层分离。” | 对比文件未使用钝化层作为掩膜蚀刻临时衬底，而是通过蚀刻第一III族氮化物半导体层或激光分离，因此未公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层（未公开） | [0035]：“然后通过另一蚀刻工艺去除蚀刻保护层67。” | 对比文件去除保护层后露出导电层、金属镜层和第二III族氮化物半导体层，并非目标专利的第二支撑衬底和氮化镓外延层（缓冲层），因此未公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层（未公开） | 对比文件无相关步骤。 | 对比文件在去除保护层后即得到器件，没有后续生长单晶GaN层的步骤，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成（未公开） | [0035]：“蚀刻保护层67，例如二氧化硅（SiO2）层。” | 对比文件的保护层材料为二氧化硅，不属于目标专利所列的液体搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺（未公开） | 对比文件未提及在形成蚀刻保护层后进行固化工艺。 | 对比文件没有公开任何固化工艺，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种《直接公开》 | [0032]：“临时衬底，例如蓝宝石衬底（即氧化铝，Al2O3）、碳化硅（SiC）衬底、硅衬底、氧化锌（ZnO）衬底、氧化镁（MgO）衬底、砷化镓（GaAs）衬底等。” | 对比文件明确公开了临时衬底可以是蓝宝石（氧化物衬底）、碳化硅（碳化物衬底）和硅（硅衬底），与目标专利的第一支撑衬底材料相同，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底（未公开） | [0035]：“进行湿蚀刻工艺去除第一III族氮化物半导体层62'的残留物。”[0016]：“第一III族氮化物半导体层通过干蚀刻或湿蚀刻工艺去除。” | 对比文件中的湿蚀刻用于去除第一III族氮化物半导体层，而非直接蚀刻临时衬底。临时衬底通过分离而非蚀刻去除，因此未公开湿蚀刻第一支撑衬底。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除（未公开） | [0035]：“通过另一蚀刻工艺去除蚀刻保护层67。” | 对比文件未公开使用醇溶剂去除保护层，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成《直接公开》 | [0033]：“在金属镜层上形成导电层。”[0016]：“导电层通过电镀或电化学沉积铜或镍形成。” | 对比文件公开了在结构上形成导电层，该导电层由金属（铜、镍等）制成，起到支撑作用，相当于目标专利的第二支撑衬底，且材料为包含金属的导电材料，因此直接公开了该特征中“由包含金属的导电材料制成”的技术方案。 |
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