对比文件的名称：2007-04-26_JP2007106665A_发明专利_JP2007106665A Gallium nitride device substrate containing lattice parameter altering element
目标专利的名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：deepseek
以下是对比文件与目标专利权利要求的特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其特征在于，所述方法包括，在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层《隐含公开》 | 对比文件[2]段落：“犠牲基板１０２上には、窒化ガリウムからなるバッファ層が形成されている。このバッファ層１０４は、通常、５００〜８００℃の範囲の比較的低い成長温度で形成されるもので、通常、低温バッファ層と呼ばれる。”以及“バッファ層１０４が、アルミニウムを含む場合、バッファ層１０４の例示的な組成は、Ａｌ ｘ Ｇａ １−ｘ Ｎ［式中、０≦ｘ≦１］であり、好ましくはＡｌ ｘ Ｇａ １−ｘ Ｎ［式中、ｘ＝１］（ＡｌＮ）である。” | 对比文件公开了在牺牲基板（相当于第一支撑衬底）上形成由氮化镓或氮化铝镓组成的缓冲层。虽然该缓冲层在对比文件中主要作为低温缓冲层用于后续层生长，但本领域技术人员公知，在异质衬底上形成GaN缓冲层的基本作用之一就是降低因晶格失配和热膨胀系数差别导致的应力与缺陷。目标专利明确将GaN外延层定义为用作此目的的缓冲层，对比文件中的GaN缓冲层本质上同样起到此作用。因此，即便对比文件未明确表述“降低晶格失配和热膨胀系数差别”，但基于其技术方案和本领域常识，本领域技术人员能够合理推断出该特征，故属于隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底《未公开》 | 对比文件[2]段落：“代替基板１１４（新たなホスト基板とも呼ばれる）は、接合材料１１２を使用して層１１０に装着される。”以及“接合材料１１２は、例えば、パラジウム、タングステン、チタンまたはこれらの組合せを含む金属アロイであってよい。” | 对比文件公开了在包含晶格参数改变元素的GaN层（层110）上通过接合材料安装替代基板（相当于目标专利的第二支撑衬底）。然而，目标专利的技术特征B明确限定是在“氮化镓外延层”上直接形成第二支撑衬底。对比文件中的层110是包含晶格参数改变元素的GaN层（如InGaN），其组成和功能与目标专利中作为缓冲层的GaN外延层不同。对比文件并未公开在作为缓冲层的GaN外延层上直接形成替代基板，且二者之间还设置有中间层、蚀刻停止层等。因此，对比文件未公开技术特征B。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层《未公开》 | 对比文件全文未提及任何“钝化层”的形成，特别是未提及在“氮化镓外延层的整个侧面”以及“第二支撑衬底的侧面和上表面”形成钝化层。 | 对比文件描述的方法中，在安装替代基板（第二支撑衬底）后，是通过蚀刻或激光剥离等方式去除牺牲基板，并未涉及在已暴露的侧壁或表面上形成保护性钝化层。目标专利中形成钝化层是为了保护外延层和支撑衬底免受蚀刻剂影响，对比文件的处理方式完全不同。因此，对比文件完全没有公开技术特征C。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底《未公开》 | 对比文件[2]段落：“犠牲基板１０２、バッファ層１０４、中間層１０６および存在するのであればエッチング停止層１０８は、エッチング、レーザリフトオフまたはそれらの組合せを含む様々な技術によって除去することができる。” | 对比文件公开了使用蚀刻工艺去除牺牲基板，但并未公开使用任何“钝化层”作为蚀刻掩膜。对比文件中的蚀刻过程是直接针对牺牲基板及其上层进行的，或者利用激光剥离工艺，其工艺逻辑与目标专利中利用钝化层保护特定区域并选择性蚀刻的方式完全不同。因此，对比文件未公开技术特征D。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层《未公开》 | 对比文件全文未提及任何“钝化层”的去除步骤。 | 由于对比文件未公开钝化层的形成（特征C），自然也不存在后续去除钝化层以露出第二支撑衬底和氮化镓外延层的步骤。因此，对比文件未公开技术特征E。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层《未公开》 | 对比文件[2]段落：“エッチング停止層１０８の窒化アルミニウムガリウムを除去するために使用して、層１１０を露出させることができる。”以及“代替基板１１４に装着された層１１０が残されている。” | 对比文件公开了在去除牺牲基板及中间层后，露出包含晶格参数改变元素的层110，并可在其上进一步生长材料。但该过程不涉及“去除钝化层”这一前提步骤，且最终外露并用于后续生长的层是包含晶格参数改变元素的GaN层（如InGaN），而非目标专利中用作缓冲层的“氮化镓外延层”。因此，对比文件未公开技术特征F。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成《未公开》 | 对比文件全文未提及任何钝化层的材料，特别是未提及液体搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯。 | 对比文件中未公开钝化层，更未公开钝化层的具体材料选择。因此，对比文件未公开技术特征G。 |
| 技术特征H：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺《未公开》 | 对比文件全文未提及任何钝化层的固化工艺。 | 由于对比文件未公开钝化层及其形成，自然也不存在后续的固化工艺。因此，对比文件未公开技术特征H。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种《直接公开》 | 对比文件[2]段落：“犠牲基板１０２は、例えば、サファイアまたはシリコンカーバイドである。”以及“代替基板がシリコンである場合には、ウェットエッチングプロセスを用いてこれを除去することができる。” | 对比文件明确公开了牺牲基板（相当于目标专利的第一支撑衬底）可以是蓝宝石（氧化物衬底）、碳化硅（碳化物衬底）或硅衬底，这与目标专利中限定的材料范围完全一致。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术特征，属于直接公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底《直接公开》 | 对比文件[2]段落：“代替基板がシリコンである場合には、ウェットエッチングプロセスを用いてこれを除去することができる。” | 对比文件明确公开了当牺牲基板为硅时，可以通过湿蚀刻工艺进行去除。这与目标专利中通过湿蚀刻工艺选择性蚀刻第一支撑衬底的技术手段相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术特征，属于直接公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除《未公开》 | 对比文件全文未提及任何钝化层，更未提及使用醇溶剂（如甲醇、丙酮、异丙醇）去除钝化层。 | 由于对比文件未公开钝化层及其去除步骤，自然也未公开用醇溶剂去除钝化层这一具体技术。因此，对比文件未公开技术特征K。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成《隐含公开》 | 对比文件[2]段落：“適切な代替基板材料の例には、ケイ素、窒化ガリウムおよび窒化アルミニウムが含まれる。”以及“接合材料１１２は、例えば、パラジウム、タングステン、チタンまたはこれらの組合せを含む金属アロイであってよい。” | 对比文件公开了替代基板（相当于第二支撑衬底）可以由硅（与第一支撑衬底材料相同的一部分）制成，并公开了接合材料为金属合金。虽然对比文件未明确公开第二支撑衬底本身由包含金属的导电材料制成（其公开的替代基板材料主要为非金属），但公开了与第一支撑衬底相同的材料（硅）。对于“包含金属的导电材料”这一方案，对比文件未明确公开。然而，基于本领域技术人员的常识，支撑衬底常采用导电金属以作为电极，且对比文件公开了使用金属接合材料，因此本领域技术人员有动机合理推断出第二支撑衬底也可由金属等导电材料制成以实现电学功能。因此，该特征部分被公开，属于隐含公开。 |
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