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对比文件列表
2004-04-20_US6723600B_发明授权_US06723600B2 Method for making a metal-insulator-metal capacitor using plate-through mask techniques_+++D_G_j+++.docx
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2004-06-24_JP2004179419A_发明专利_JP2004179419A Semiconductor device and manufacturing method thereof_+++d_h_i_j+++.docx
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2004-08-05_US2004152258A_发明申请_US20040152258A1 Semiconductor device and method of manufacturing the same_+++D_H_I_j+++.docx
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2004-08-17_US6777777B_发明授权_US06777777B1 High density composite MIM capacitor with flexible routing in semiconductor dies_+++D_H_I_g_j+++.docx
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2004-12-14_US6830971B_发明授权_US06830971B2 High K artificial lattices for capacitor applications to use in CU or AL BEOL_+++D_a_b_c_e+++.docx
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2006-02-16_JP2006049486A_发明专利_JP2006049486A Semiconductor device and its manufacturing method_+++D_H_I_J+++.docx
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2006-05-10_CN1771603A_发明公开_CN1771603A 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器_+++D_H_I_g+++.docx
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2006-08-16_CN1819194A_发明公开_CN1819194A 具有多种垂直排列电容区域的电容元件_+++D_E_G_a_b_c+++.docx
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2006-08-17_US2006180895A_发明申请_US20060180895A1 Capacitor device with vertically arranged capacitor regions of various kinds_+++C_D+++.docx
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2006-09-28_JP2006522464A_发明专利_JP2006522464A In a semiconductor die, a high density composite mim capacitor with reduced voltage dependence_+++D_F_G_I_h_j+++.docx
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2007-05-10_US2007102745A_发明申请_US20070102745A1 CAPACITOR STRUCTURE_+++B_E_a_d_g+++.docx
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2007-06-12_US7230434B_发明授权_US07230434B1 Multi-layered capacitor_+++A_C_D_E_j+++.docx
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2007-10-11_JP2007528604A_发明专利_JP2007528604A Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device produced by the present method_+++d_f_g_h_i+++.docx
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2008-01-08_US7317221B_发明授权_US07317221B2 High density MIM capacitor structure and fabrication process_+++D_g_h_j+++.docx
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2008-03-01_TW200811915A_发明专利_TW200811915A 高良率高密度晶片電容設計 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++A_B_C_D_E_g_j+++.docx
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2008-09-25_US2008230820A_发明申请_US20080230820A1 SEMICONDUCTOR DEVICE_+++A_B_C_D_E_G+++.docx
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2008-12-12_KR1020080108351A_发明公开_KR1020080108351A 고수율 고밀도 온-칩 커패시터 설계_+++B_E_G_a_c_d+++.docx
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2009-01-15_DE102008028554A_发明专利_DE102008028554A1 Semiconductor device with reduced capacitance tolerance value_+++A_C_D_E_G_b_j+++.docx
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2009-01-15_US2009014832A_发明申请_US20090014832A1 Semiconductor Device with Reduced Capacitance Tolerance Value_+++B_C_D_E_a_j+++.docx
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2009-02-11_EP2022081A_发明公开_EP2022081A1 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++b_c_d_j+++.docx
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2009-04-15_CN101410944A_发明公开_CN101410944A 高成品率高密度芯片上电容器设计_+++d+++.docx
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2010-11-11_JP2010258130A_发明专利_JP2010258130A Semiconductor device and layout method of the same_+++D_G_j+++.docx
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US2011086487A1_Description_20260318_1917_+++D_G_j+++.docx
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2004-08-17_US6777777B_发明授权_US06777777B1 High density composite MIM capacitor with flexible routing in semiconductor dies_+++D_H_I_g_j+++.docx

**对比文件名称:** 2004-08-17_US6777777B_发明授权_US06777777B1 High density composite MIM capacitor with flexible routing in semiconductor dies

**目标专利名称:** 336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B

**模型名称:** deepseek-r1

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**A**:包括:耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构。**未被公开**未提供。目标专利的MOM电容器结构是利用互连堆叠中导电互连层的横向叉指形成的电容器(参见目标专利说明书第[0002]段)。对比文件全文仅描述了由垂直堆叠的金属板(如150、126、128)和介电层(如152、154)构成的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,并明确称之为“MIM capacitor”。对比文件中没有任何关于利用互连层横向叉指形成电容器的描述,也完全没有提及“MOM电容器”或类似结构。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开“MOM电容器结构”。
**B**:所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。**未被公开**未提供。由于技术特征A中的“MOM电容器结构”未被对比文件公开,因此其包含“至少一个下互连层”的特征也未被公开。对比文件中描述的MIM电容器的电极(如150、126、128)是专门沉积和图案化的“metal plate”,并非利用互连堆叠中已有的互连层(如M1, M2等)形成。因此,该特征未被公开。
**C**:所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层。**未被公开**未提供。该特征定义了与MOM电容器结构耦合的第二上互连层。由于对比文件未公开“MOM电容器结构”(特征A),因此也就不存在与之耦合的第二上互连层。对比文件图1中的“interconnect metal layer 114”虽然是互连层,但其通过金属段和通孔连接的是MIM电容器的电极(150、126、128),而非MOM电容器结构。因此,该特征未被公开。
**D**:位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。**《直接公开》**说明书第3页第21行-第4页第9行,图1:“structure 100 includes, among other things, metal plate 128, dielectric segment 154, metal plate 126, dielectric segment 152 and metal plate 150 which is situated on interlayer dielectric 108. In structure 100, metal plate 128 and metal plate 126 form the two electrodes of an ‘upper’ MIM capacitor and metal plate 126 and metal plate 150 form the two electrodes of a ‘lower’ MIM capacitor.” “metal plate 150 is situated on interlayer dielectric 108 in interconnect metal layer 110.” “metal segments 142, 144 and metal segment 146 are situated in interconnect metal layer 114... In the present exemplary embodiment, interconnect metal layer 114 is an immediately subsequent interconnect metal layer relative to interconnect metal layer 110...”目标专利中“MIM电容器层”指构成MIM电容器的绝缘体和金属电极层。对比文件图1清楚显示,由金属板(126, 128)和介电层(154)构成的“upper MIM capacitor”以及由金属板(150, 126)和介电层(152)构成的“lower MIM capacitor”均位于互连金属层110(对应第一上互连层)和互连金属层114(对应第二上互连层)之间。这些金属板和介电层共同构成了位于两个互连层之间的“至少一个MIM电容器层”。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**E**:耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构。**未被公开**未提供。该特征要求MIM电容器结构耦合到MOM电容器结构。对比文件虽然公开了MIM电容器结构(如上/下层MIM电容),但未公开任何MOM电容器结构(特征A)。因此,不存在MIM电容器结构与MOM电容器结构之间的耦合关系。该特征未被公开。
**F**:所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板,所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分。**未被公开**未提供。目标专利中,MIM电容器结构的一个极板是“第一上互连层的一部分”(参见说明书[0028]段,图2中极板212为互连层M9)。对比文件中的MIM电容器结构,其极板(如150, 126, 128)均为专门沉积形成的“metal plate”,并非互连金属层(如110, 114)本身或其一部分。虽然这些金属板通过通孔(如124, 130, 132)和金属段(如142, 144, 146)连接到互连层,但极板本身与互连层是独立的、不同结构层。因此,对比文件没有公开使用互连层的一部分作为MIM电容器极板的技术方案。该特征未被公开。
**G**:所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。**《隐含公开》**说明书第3页第21行-第4页第1行:“structure 100 includes, among other things, metal plate 128, dielectric segment 154, metal plate 126, dielectric segment 152 and metal plate 150...”目标专利中,“MIM电容器层”广义上指构成MIM电容器的材料层,包括电极和介电层。特征G限定了MIM电容器结构的第二极板包含MIM电容器层的至少一部分。在对比文件中,MIM电容器结构(例如上层MIM)的第二极板(即金属板128)本身就是构成该MIM电容器的电极层,属于“MIM电容器层”的一部分。本领域技术人员可以从对比文件图1及描述中毫无疑义地理解,MIM电容器由金属电极板(128, 126)和介电层(154)构成,这些电极板是MIM电容器不可或缺的组成部分。因此,金属板128作为第二极板,必然“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。该特征被对比文件隐含公开。
**H**:其特征在于,进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构,所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板,所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。**《直接公开》**说明书第3页第21行-第4页第4行,图1:“In structure 100, metal plate 128 and metal plate 126 form the two electrodes of an ‘upper’ MIM capacitor and metal plate 126 and metal plate 150 form the two electrodes of a ‘lower’ MIM capacitor. Thus, metal plate 126 forms a shared electrode between the upper MIM capacitor ... and the lower MIM capacitor...”目标专利特征H描述了两个堆叠的MIM电容器结构共享一个电极。对比文件图1及其描述明确公开了“upper MIM capacitor”(对应附加MIM电容器结构)和“lower MIM capacitor”(对应MIM电容器结构)均位于互连层110和114之间,并且共享金属板126作为公共电极。具体而言,“upper MIM capacitor”的第一电容器极板是金属板128,介电层是154,其第二电容器极板是共享的金属板126,而该共享金属板126同时又是“lower MIM capacitor”的第一电容器极板。这完全符合特征H的描述。因此,该特征被对比文件直接公开。
**I**:其特征在于,所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板,并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。**《直接公开》**说明书第4页第21行-第5页第4行,图1:“metal segments 142, metal segments 144 and metal segment 146 are situated in interconnect metal layer 114...” “metal segments 142 are electrically connected to metal plate 150... by vias 124. Metal segments 144 are electrically connected to metal plate 126... by vias 130... Metal segment 146 is electrically connected to metal plate 128... by vias 132.”目标专利特征I描述了第二上互连层的不同部分分别连接到附加MIM电容器结构的两个极板。在对比文件图1中,互连金属层114(对应第二上互连层)包含多个金属段(metal segments)。其中,金属段146(第一部分)通过通孔132连接到“upper MIM capacitor”(附加MIM电容器结构)的第一极板(金属板128)。同时,金属段144(第二部分)通过通孔130连接到“upper MIM capacitor”的第二极板(即共享电极金属板126)。这明确公开了第二互连层的不同部分分别耦合到附加MIM电容器结构的两个极板。因此,该特征被对比文件直接公开。
**J**:其特征在于,所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。**《隐含公开》**说明书第1页第14-17行:“High performance mixed signal and RF circuits require high density integrated capacitors.” 说明书第2页第1-3行:“Therefore, a need exists for mixed signal and RF MIM capacitors that are dense and that further do not adversely affect interconnect routing.”目标专利特征J限定了电容器的应用场合。对比文件在背景技术和发明目的中明确指出,其高密度复合MIM电容器旨在满足高性能混合信号和射频(RF)电路的需求。本领域技术人员公知,混合信号和RF电路是蜂窝电话、PCS单元、机顶盒、便携式数据单元等无线通信和消费电子设备的核心组成部分。因此,为了解决混合信号和RF电路对高密度电容的需求而发明的电容器,其必然可以且旨在被集成到这些具体的设备中。这是本领域技术人员根据对比文件公开的内容能够直接、毫无疑义地推断出的应用场景。因此,该特征被对比文件隐含公开。

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