**对比文件名称**：2009-04-15_CN101410944A_发明公开_CN101410944A 高成品率高密度芯片上电容器设计
**目标专利名称**：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
**模型名称**：本次调用由DeepSeek模型执行
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，《未公开》 | 说明书第[0029]段：“CMOS 312用作FEOL电容器并包括第一固体衬底702层；第二硅层703，该硅层包括源极区704、漏极区706和栅极区708；以及第三导电多晶硅接触层705，包括在每个源极区704、漏极区706和栅极区708上布置的分立接触区。” 图7示出了CMOS 312位于最下层。 | 目标专利中的MOM电容器结构是利用后端制程（BEOL）中的金属互连层（如M1-M6）形成的横向耦合电容器。对比文件公开的CMOS 312是前段制程（FEOL）中基于半导体衬底（硅层、源/漏/栅）形成的电容器，其本质是金属-氧化物-半导体（MOS）电容器，而非利用金属互连层叉指结构的金属氧化物金属（MOM）电容器。二者结构、形成位置和工作原理均不同。因此，对比文件未公开MOM电容器结构，更未公开其耦合到“第一上互连层”。 |
| 技术特征B：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层，《未公开》 | 无对应引用。 | 由于技术特征A未被公开，即对比文件未公开MOM电容器结构，因此自然未公开该结构包括“至少一个下互连层”。对比文件中的CMOS 312是FEOL器件，不涉及利用互连堆叠中的金属互连层。 |
| 技术特征C：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层，《未公开》 | 说明书第[0046]段：“端口1 801被电连接到MOSCAP 312栅极708、“-”符号的CVNCAP第一金属层板822、“-”符号的VNCAP第二金属层板832、“-”符号的第三顶金属层板842并电连接到CMIM顶板752。端口2 802被电连接到“+”符号的CVNCAP第一金属层板820、“+”符号的CVNCAP第二金属层板830、“+”符号的第三顶金属层板842以及CMIM底板754。” | 对比文件公开了两个端口（801，802）分别连接到并联电容器组（CMOS 312， CVNCAP 316， CMIM 314）的两端。然而，这并非目标专利中定义的“第二上互连层耦合到MOM电容器结构”。目标专利的“第二上互连层”（如M10）是互连堆叠中的一个特定导电层，用于连接和构成MIM电容器结构的一部分。对比文件未明确区分“第一上互连层”和“第二上互连层”，也未描述有类似功能的特定上互连层与CMOS 312（非MOM）直接耦合构成权利要求所述的结构。 |
| 技术特征D：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层，《隐含公开》 | 说明书第[0029]段：“MIMCAP 314也是BEOL的一部分并具有顶板752和底板754以及其间的电介质756，MIMCAP 314连接到CVNCAP顶金属层732”。图7示出MIMCAP 314位于CVNCAP金属层M7/M8之上。 | 目标专利的“位于第一上互连层与第二上互连层之间的至少一个MIM电容器层”是指MIM电容器的介电层及可能的电极层。对比文件明确公开了MIM电容器314（CMIM），其具有顶板752、底板754和其间的电介质756。虽然对比文件未明确使用“第一上互连层”、“第二上互连层”的表述，但其MIM电容器314位于BEOL区域的上部（见图7），且必然位于两个导电层（例如其自身的底板754和顶板752，或与其他金属层之间）之间以实现电容功能。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，MIM电容器必然包含介电层（即MIM电容器层）位于两个导体之间。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征E：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，《未公开》 | 说明书第[0029]段及图7、图8(b)描述了CMOS 312、CVNCAP 316和CMIM 314三者并联连接。 | 对比文件确实公开了MIM电容器314（CMIM）与其他电容器（CMOS和CVNCAP）并联连接。然而，技术特征E要求MIM电容器结构耦合到“MOM电容器结构”。如特征A所述，对比文件中的CMOS 312是MOS电容器，并非MOM电容器结构。因此，尽管存在耦合关系，但耦合的对象不同，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，《未公开》 | 说明书第[0029]段：“MIMCAP 314也是BEOL的一部分并具有顶板752和底板754以及其间的电介质756”。图5示出MIM电容器500具有独立的顶板502和底板504。 | 目标专利的核心创新点之一在于MIM电容器结构的一个极板（第一电容器极板）由互连堆叠中已有的第一上互连层（如M9）的一部分构成，而非独立的、额外的金属极板。对比文件中的MIM电容器314具有独立的顶板752和底板754，这两个极板都是专门为MIM电容器形成的独立结构，并非由互连堆叠中已有的上互连层的一部分构成。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分，《未公开》 | 同上，对比文件公开了独立的顶板752和底板754。 | 目标专利中“第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”，结合说明书（如[0029]段“顶部极板252”），应理解为第二极板是沉积在MIM电容器层（介电层）上的独立金属层。对比文件中的MIM电容器314具有独立的顶板752和底板754，它们都是完整的金属层，并非“MIM电容器层的一部分”。MIM电容器层通常指介电层，而极板是位于其上的导体。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板，《未公开》 | 对比文件全文仅描述了一个MIM电容器结构（CMIM 314）。 | 目标专利权利要求限定了两个MIM电容器结构，其中一个（附加MIM电容器结构）与另一个共享一个极板。对比文件仅公开了一个MIM电容器314，未公开存在附加的、共享极板的MIM电容器结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板，《未公开》 | 无对应引用。 | 由于技术特征H（附加MIM电容器结构）未被公开，因此涉及该附加结构具体连接关系的技术特征I自然也未被公开。对比文件未描述第二上互连层以不同部分分别连接到两个不同的MIM电容器极板。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中，《未公开》 | 无对应引用。 | 对比文件虽然描述了其电容器结构可用于集成电路（IC），但并未具体公开或暗示该电容器被集成到目标专利权利要求所列举的特定设备（如蜂窝电话、手持式PCS单元等）中。该特征限定了具体的应用领域，对比文件未涉及此具体应用公开。 |
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