**对比文件名称**：2010-11-11_JP2010258130A_发明专利_JP2010258130A Semiconductor device and layout method of the same
**目标专利名称**：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
根据您的要求，我作为资深专利代理师，现对对比文件JP2010258130A是否公开了目标专利CN105074915B权利要求中的各技术特征进行评估。评估将严格遵循权利要求的技术特征划分，并结合目标专利说明书原文进行解释。
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号/位置) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构。 | 未找到相关描述。 | **未公开**。目标专利的MOM电容器结构是由互连层中的横向导电叉指形成的电容器（见说明书[0002]-[0004]）。对比文件全文仅描述了由独立的下部電極107、容量絶縁膜108、上部電極109构成的MIM电容器（见[0009]，[0019]），并未提及任何由互连层叉指构成的MOM电容器结构。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出MOM电容器结构，更无法得出其耦合到第一上互连层的技术方案。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。 | 未找到相关描述。 | **未公开**。由于对比文件未公开技术特征A所述的MOM电容器结构，因此自然也未能公开该结构包括下互连层的特征。目标专利中下互连层是构成MOM电容器叉指的部分（见说明书[0002]），而对比文件中的“下層配線102”仅是互连线，并未被描述为用于形成电容器结构。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层。 | 未找到相关描述。 | **未公开**。此特征以MOM电容器结构的存在为前提。由于对比文件未公开MOM电容器结构（特征A），因此也就不存在耦合到该结构的第二上互连层。对比文件中的“上層配線106”（见[0019]）是互连线，用于连接MIM电容器或下層配線，其作用与目标专利中作为MIM电容器一部分且与MOM结构耦合的第二上互连层（如M10）不同。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。 | [0019]：“ＭＩＭ容量ＭＣ１、ＭＣ２を構成する下部電極１０７は、...第２層間絶縁膜１０４上に形成されている。 また、容量絶縁膜１０８は、...第２層間絶縁膜１０４上に形成されている。 上部電極１０９は、...容量絶縁膜１０８上に形成されている。” <br> （构成MIM电容器MC1、MC2的下部电极107形成在第二层间绝缘膜104上。另外，电容绝缘膜108形成在第二层间绝缘膜104上。上部电极109形成在电容绝缘膜108上。） | **直接公开**。对比文件明确公开了由下部電極107（金属）、容量絶縁膜108（绝缘体）、上部電極109（金属）构成的MIM电容器层（MC1， MC2）。这些层形成在互连堆叠中，位于下層配線102和上層配線106之间（参见图1）。在目标专利中，“第一上互连层”和“第二上互连层”例如对应于M9和M10（见说明书[0006], [0028]），而对比文件中的上層配線106（可视为上互连层）位于MIM电容器之上，下層配線102位于其下。MIM电容器层实质上位于两个互连层（下層配線102和上層配線106）之间。虽然对比文件的上下互连层命名与目标专利可能不完全对应，但本领域技术人员可以毫无疑义地理解，对比文件公开了“位于两个互连层之间的MIM电容器层”这一技术特征。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构。 | [0019]：“ＭＩＭ容量ＭＣ１、ＭＣ２はそれぞれ、下部電極１０７、容量絶縁膜１０８、上部電極１０９...を備えている。” <br> （MIM电容器MC1、MC2分别具备下部电极107、电容绝缘膜108、上部电极109...） | **未公开**。对比文件确实公开了独立的MIM电容器结构（MC1， MC2）。然而，目标专利的核心在于将MIM电容器结构与MOM电容器结构**耦合**，以形成互补的BEOL电容器（见说明书[0008], [0025]）。对比文件全文未提及任何MOM电容器结构（特征A），因此其MIM电容器结构不可能与一个不存在的MOM结构相耦合。本领域技术人员无法从对比文件中得出“耦合到MOM电容器结构的MIM电容器结构”这一技术方案。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分。 | 未找到相关描述。 | **未公开**。目标专利的一个关键创新点在于利用互连层（如M9）本身作为MIM电容器的一个极板，从而简化工艺（见说明书[0026]）。对比文件中的MIM电容器具有独立的、专门沉积形成的下部電極107和上部電極109（见[0019]），其极板并非由上互连层的一部分构成。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。 | [0019]：“上部電極１０９は、...容量絶縁膜１０８上に形成されている。” <br> （上部电极109形成在电容绝缘膜108上。） | **直接公开**。在对比文件中，MIM电容器结构（MC1， MC2）的第二电容器极板即为其上部電極109。该上部電極109是构成MIM电容器层的部件之一（即“至少一个MIM电容器层”的一部分）。这与目标专利中第二电容器极板包括MIM电容器层（如顶部极板252， 见图2）的一部分相一致。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。 | 未找到相关描述。 | **未公开**。该特征描述了共享极板的层叠MIM电容器结构（参见目标专利图4及说明书[0033]）。对比文件虽然描述了多个MIM电容器（MC1， MC2），但它们是并排排列的（见图1，图4），彼此独立，并未共享极板，也未构成一个极板位于两个互连层之间的附加结构。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。 | 未找到相关描述。 | **未公开**。此特征以技术特征H所述的附加MIM电容器结构的存在为前提。由于对比文件未公开该附加结构（特征H），因此自然也未公开第二上互连层与该附加结构两个极板的耦合关系。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。 | [0002]：“近年、ＬＳＩ（Large Scale Integration）のノイズ対策としてＭＩＭ（Metal- Insulator- Metal）構造のデカップリング容量（Decoupling Capacitor）がＬＳＩへ搭載されるようになってきている。 また、ＭＩＭ構造の容量（ＭＩＭ容量）はメモリデバイスとして既に広く使用されており、ＬＳＩへ搭載する素子としての重要性が高まってきている。” <br> （近年来，作为LSI的噪声对策，MIM结构的去耦电容器开始被搭载在LSI上。此外，MIM结构的电容器（MIM电容器）已作为存储器件被广泛使用，作为搭载在LSI上的元件的重要性日益提高。） | **隐含公开**。对比文件明确指出MIM电容器用于LSI（大规模集成电路）作为去耦电容器或存储器件。本领域技术人员公知，LSI是构成各种电子设备的核心部件。因此，可以合理推断，包含此类MIM电容器的半导体器件（即对比文件公开的“半导体装置”）可以被集成到使用LSI的各类电子设备中，包括但不限于目标专利列举的蜂窝电话、PCS单元等。虽然对比文件未明确列出具体设备名称，但其公开的应用领域（LSI）完全涵盖了将这些电容器集成到最终消费电子设备中的技术可能性。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
### **评估结论**
经逐一比对分析：
- **直接公开**的技术特征有：**D**、**G**。
- **隐含公开**的技术特征有：**J**。
- **未公开**的技术特征有：A、B、C、E、F、H、I。
因此，在回答结尾应插入的代码为：<<<D>>><<<G>>><<<j>>>